Федорченко, В. П. Установка для измерения электропроводности и термо-ЭДС в области температур 80-290 К [Текст] / В. П. Федорченко, Е. А. Матвеенко, Е. И. Малкин // Физическое образование в вузах. - 2010. - Т. 16, N 2. - С. 48-52. : ил. - Библиогр.: с. 52 (1 назв. )
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): электроводность -- термо-ЭДС -- измерения электрических параметров -- низкотемпературные измерения -- электрические параметры -- измерения -- физика полупроводников -- полупроводники Аннотация: Создана автоматизированная установка для измерения электропроводности и термо-ЭДС материалов в интервале температур от 80 до 290 К. Доп.точки доступа: Матвеенко, Е. А.; Малкин, Е. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SIO2 [Текст] / В. А. Новиков [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 1. - С. 79-87 : рис. - Библиогр.: с. 86-87 (38 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): МДП-структура -- Оксид галлия -- адмиттанс -- диоксид кремния -- инверсионный слой -- низкотемпературные измерения -- объемные ловушки -- органические пленки пентацена -- органические полупроводники -- пентацен -- эквивалентные схемы -- электрофизика Аннотация: В широком диапазоне частот и температур экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе органических пленок пентацена, сформированных методом термовакуумного напыления на подложках из SiO[2] и SiO[2]/Ga[2]O[3]. Вольт-фарадные характеристики МДП-структур с диэлектриком SiO[2] практически не имеют гистерезиса. Показано, что при температурах 150-300 К в структурах формируется инверсионный слой при больших положительных смещениях. Концентрация дырок в пентацене, определенная из емкостных измерений, превышает 10{18} см{-3} и практически не зависит от температуры и частоты. Экспериментальные частотные зависимости адмиттанса МДП-структур с диэлектриком SiO[2] хорошо согласуются с результатами расчета при помощи метода эквивалентных схем. Для структур со слоем Ga[2]O[3] обнаружена отрицательная дифференциальная проводимость диэлектрика, что требует усложнения эквивалентной схемы. Показана возможность использования низкотемпературных измерений адмиттанса для исследования ловушек в объеме пленки пентацена. Доп.точки доступа: Новиков, В. А.; Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Копылова, Т. Н.; Дегтяренко, К. М.; Черников, Е. В.; Калыгина, В. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Адмиттансные характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 5. - С. 77-85. - Библиогр.: с. 85 (38 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Электрический ток Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): nBn-структура -- адмиттанс -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- низкотемпературные измерения -- теллурид кадмия - ртути -- униполярные барьерные детекторы -- эквивалентная схема -- электрофизические свойства Аннотация: Впервые экспериментально исследован адмиттанс nBn -структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне частот и температур. Состав CdTe в барьерном слое исследованных образцов изменялся от от 0. 74 до 0. 83, а толщина этого слоя - от 210 до 300 нм. Экспериментальные частотные зависимости адмиттанса nBn -структур хорошо согласуются с результатами расчета при использовании метода эквивалентных схем. Предложенная эквивалентная схема состоит из двух последовательно соединенных цепочек, каждая из которых содержит параллельно включенные емкость и сопротивление. Изучено изменение значений элементов эквивалентной схемы при нагреве от 9 до 300 К, а также при подаче напряжения смещения. Впервые показано, что освещение nBn -структур на основе HgCdTe излучением с длиной волны 0. 91 мкм вызывает релаксацию значений параметров эквивалентной схемы в течение сотен минут после выключения подсветки. Обсуждаются механизмы, ответственные за элементы эквивалентной схемы, а также особенности зависимостей адмиттанса при различных параметрах барьерных слоев. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Г. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |