Электронное рассеяние света в осмии: влияние давления [Текст] / Ю. С. Поносов [и др. ] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 6. - С. 456-461
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): неупругое рассеяние света -- осмий -- монокристаллы -- фононы -- электроны -- зонная теория спектров -- энергия Ферми -- Ферми энергия Аннотация: Выполнены исследования неупругого рассеяния света электронами и фононами в монокристаллах 5d переходного металла осмия при давлениях до 60 ГПа и температурах 10-300 К. Сравнение q-зависимостей, измеренных и рассчитанных в рамках зонной теории спектров, предполагает существенную перенормировку энергий и затухания электронных состояний вблизи энергии Ферми и ее изменения под влиянием давления и температуры. Доп.точки доступа: Поносов, Ю. С.; Стружкин, В. В.; Стрельцов, С. В.; Гончаров, А. Ф. |
Каскадные процессы при неупругом рассеянии света в структурах с нанопроволоками ZnSe [Текст] / Н. Н. Мельник [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 787-790. - Библиогр.: с. 790 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): неупругое рассеяние света -- нанопроволоки -- резонансное комбинационное рассеяние света -- каскадные процессы Аннотация: Исследовалось резонансное комбинационное рассеяние света в структурах с нанопроволоками ZnSe диаметром 10-20 nm, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием пленки Au, осажденной на подложку, в качестве катализатора. Толщина слоя Au составляла 2, 10 и 100 A. Энергия возбуждающего лазера He-Cd (лямда=441. 6 nm) превышала ширину запрещенной зоны объемного ZnSe, измерения проводились при комнатной температуре. В этих условиях спектры комбинационного рассеяния света определяются каскадным процессом, в котором электрон, взаимодействуя с продольным оптическим фононом, совершает переходы между реальными зонными состояниями с некоторой вероятностью излучательной рекомбинации при каждом шаге. Обнаружен голубой сдвиг максимума люминесценции, связанный с пространственным ограничением носителей в нанопроволоке. Средний диаметр нанопроволок, рассчитанный исходя из величины этого сдвига, согласуется с данными электронной микроскопии. Доп.точки доступа: Мельник., Н. Н.; Виноградов, В. С.; Кучеренко, И. В.; Карчевский, Г.; Пляшечник, О. С. |
Ковалев, В. М. Неупругое рассеяние света дипольными экситонами [Текст] / В. М. Ковалев, А. В. Чаплик // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 4. - С. 339-342.
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): дипольные экситоны -- неупругое рассеяние света -- рассеяние света -- непрямые экситоны Аннотация: Рассчитано сечение неупругого рассеяния света на системе пространственно непрямых экситонов. Показано, что существуют два канала резонансного рассеяния, связанные с переходами через "вакуумное" и двухэкситонное состояния кристалла, вклады которых в амплитуду рассеяния компенсируют друг друга. Поэтому при рассеянии на экситонах для частоты, близкой к ширине запрещенной зоны, фактор резонансного усиления отсутствует. Доп.точки доступа: Чаплик, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Витлина, Р. З. Неупругое рассеяние света двумерной электронной системой с рашбовским спин-орбитальным взаимодействием [Текст] / Р. З. Витлина, Л. И. Магарилл, А. В. Чаплик // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 5. - С. 277-282
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерные электронные системы -- спин-орбитальное взаимодействие -- рашбовское спин-орбитальное взаимодействие -- неупругое рассеяние света -- константа Рашба -- Рашба константа Аннотация: Теоретически исследовано неупругое рассеяние света электронами двумерной системы с учетом рашбовского спин-орбитального взаимодействия (СОВ) в зоне проводимости. Рассматривался случай резонансного рассеяния: частота падающего (и рассеянного) света близка к эффективному расстоянию между зоной проводимости и спин-отщепленной зоной полупроводника типа A[III]B[V]. Показано, что в отличие от случая отсутствия СОВ в спектре рассеяния света имеется плазмонный пик даже при строго перпендикулярных векторах поляризации падающего и рассеянного света. В определенной геометрии в спектре можно наблюдать особенности, обусловленные только одночастичными переходами. Кроме того, показано, что в общем случае эллиптически поляризованного падающего и рассеянного света амплитуда плазмонного пика оказывается чувствительной к знаку эффективной константы рашбовского СОВ и знакам фаз векторов поляризации. Этот факт может быть использован для определения знака константы Рашба. Доп.точки доступа: Магарилл, Л. И.; Чаплик, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |