Воронков, Э. Н. Электропроводность аморфных пленок халькогенидных соединений в сильных электрических полях [Текст] / Э. Н. Воронков, С. А. Козюхин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 953-956 : ил. - Библиогр.: с. 956 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): аморфные пленки -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- электрические поля -- сильные электрические поля -- электропроводность -- напряженность поля Аннотация: Исследовано влияние напряженности электрического поля и температуры на электропроводность аморфных тонких пленок халькогенидных соединений. Показано, что при напряженности электрического поля, превышающей 10{4} В/см, ток растет экспоненциально с увеличением напряжения. При этом энергия активации температурной зависимости проводимости уменьшается с ростом напряженности электрического поля. На основе допущения о доминирующем влиянии на проводимость роста концентрации носителей заряда с увеличением напряженности поля предложена модель, которая удовлетворительно объясняет экспериментальные результаты. В качестве характеристических параметров модели использована эффективная подвижность носителей заряда ~10{-2} см{2}/ (Вхс) и характеризующая влияние электрического поля длина активации ~ (10-30) нм. Доп.точки доступа: Козюхин, С. А. |
Бекяшев, Р. Х. Опытная проверка результатов расчета потенциала электростатического поля, создаваемого полусферическим электродом (лекционная демонстрация) [Текст] / Р. Х. Бекяшев, Л. А. Игнатьева // Физическое образование в вузах. - 2010. - Т. 16. N 1. - С. 58-68 : ил. - Библиогр.: с. 68 (7 назв. ) . - ISSN 1609-3143
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): электростатическое поле -- расчет электростатического поля -- полусферические электроды -- электроды -- лекционные демонстрации -- эксперименты -- напряженность поля Аннотация: Приведена методика расчетов электростатического потенциала и напряженности поля, создаваемых полусферическим электродом. Доп.точки доступа: Игнатьева, Л. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Шкоркин, В. В. Снижение помехоэмиссии силовых дросселей тороидальной конструкции [Текст] / В. В. Шкоркин, Ю. М. Казанцев // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 316, N 4. - С. 107-110 : ил. - Библиогр.: с. 110 (5 назв. ). . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Энергетика Преобразователи, выпрямители, инверторы Кл.слова (ненормированные): дроссели -- помехоэмиссия -- тороидальные конструкции -- импульсные источники питания -- источники вторичного электропитания -- рациональная компоновка -- угловое распределение -- напряженность поля Аннотация: Для расчета поля рассеяния силовых дросселей тороидальной конструкции, используемых в импульсных источниках вторичного электропитания, предложена модель в виде эквивалентного витка с током. Показано, что для снижения помехоэмиссии дросселя целесообразно его разделение на два меньшего типоразмера. При их встречном включении и размещении на несущем основании таким образом, чтобы места установки выводов были в параллельных плоскостях, суммарное значение напряженности магнитного поля снижается не менее чем на 20 дБ. Доп.точки доступа: Казанцев, Ю. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кюрегян, А. С. Краевые инверсионные каналы и поверхностные токи утечки в высоковольтных полупроводниковых приборах [Текст] / А. С. Кюрегян // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 372-378. : ил. - Библиогр.: с. 377-378 (9 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): краевые каналы -- поверхностные токи -- высоковольтные полупроводниковые приборы -- электрические поля -- напряженность поля -- поверхность фаски -- заряды -- МДП транзистор -- p-n-p структуры -- пороговое напряжение -- поверхностные утечки (физика) -- область пространственного заряда -- ОПЗ Аннотация: Показано, что электрическое поле над поверхностью полупроводниковых приборов может оказаться достаточным для того, чтобы индуцировать краевые инверсионные каналы, если напряжение смещения велико, а плотность поверхностного заряда Q[s] мала. В этом случае краевая область приборов, содержащих p-n-p-структуру (например, тиристоров), функционирует как планарный p-канальный МДП транзистор, у которого затвор совмещен со стоком, а функцию подзатворного диэлектрика выполняет вся среда над поверхностью. Ток между истоком и стоком этого "краевого МДП транзистора" является током поверхностной утечки всего прибора. Построена аналитическая теория, описывающая вольт-амперную характеристику в подпороговом режиме. Показано, что этот новый механизм определяет полный ток утечки высоковольтных приборов, если |Q[s]| и температура T достаточно малы (|Q[s]|<4 нКл/см{2}, T<270 K для кремниевых и |Q[s]|<58 нКл/см{2}, T<600 K для карбид-кремниевых приборов). Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Белицын, И. В. Эллиптическое электрическое и магнитное поля электроустановок. Метод их расчета и нормирования [Текст] / И. В. Белицын, Т. В. Котырло, А. В. Макаров // Известия Томского политехнического университета. - 2008. - Т. 312, № 4 : Энергетика. - С. 61-65 : ил. - Библиогр.: с. 65 (6 назв.) . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Энергетика Электрические системы в целом Физика Классическая электродинамика. Теория относительности Кл.слова (ненормированные): электроустановки -- эллиптические электрические поля -- магнитные поля -- методы расчетов -- нормирование -- критерии нормирования -- воздействие на человека -- напряженность поля -- критерии оценки -- ВЛЭП 500 кВ Аннотация: Показан подход к созданию критериев нормирования воздействия электромагнитных полей на человека. На основе анализа полей, создаваемых электроустановками промышленной частоты, получены аналитические выражения для расчета эллиптических полей. В качестве нового критерия обосновано и предложено использовать действующее значение напряженности электромагнитных полей. Приведено сравнение критериев для оценки напряженности электромагнитных полей для конкретного объекта электроэнергетики - ВЛЭП 500 кВ. Доп.точки доступа: Котырло, Т. В.; Макаров, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |