Влияние окисления на проводимость нанокристаллических пленок PbTe (In) в переменном электрическом поле [Текст] / А. А. Добровольский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 2. - С. 265-268
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллические пленки -- PbTe (In) -- электрическое поле -- проводимость -- окисление Аннотация: Исследованы температурные и частотные зависимости компонент полного импеданса нанокристаллических пленок PbTe (In) в температурном диапазоне 4. 2-300 K в области частот 20 Гц-1 МГц. Пленки осаждались на охлажденную стеклянную подложку и отжигались в кислороде при температурах 300 и 350 градусах C. Транспорт носителей заряда в исследованных пленках определяется переносом заряда по инверсионным каналам на поверхности зерен и переходами через барьеры на межзеренных границах. Определены параметры (сопротивления и емкости), соответствующие каждому из указанных механизмов. В пленке, отожженной при 350 градусах C, доминирующий вклад в проводимость определяется инверсионными каналами. Показано, что в области низких температур перенос носителей по инверсионным каналам осуществляется посредством прыжковой проводимости. Доп.точки доступа: Добровольский, А. А.; Комиссарова, Т. А.; Дашевский, З. М.; Касиян, В. А.; Акимов, Б. А.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р. |
Скиба, Н. В. Диполи дисклинаций несоответствия в нанокристаллических пленках и покрытиях [Текст] / Н. В. Скиба, И. А. Овидько, А. Г. Шейнерман // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 265-270. - Библиогр.: с. 270 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диполи -- диполи дисклинаций несоответствия -- межзеренное скольжение -- твердотельные пленки -- нанокристаллические пленки -- система пленка-подложка -- дисклинационные диполи Аннотация: Предложена теоретическая модель, описывающая особый физический микромеханизм релаксации напряжений несоответствия в нанокристаллических пленках и покрытиях. Согласно представлениям предлагаемой модели, в нанокристаллических пленках и покрытиях при определенных условиях реализуется межзеренное скольжение, которое сопровождается образованием ансамбля диполей дисклинаций (ротационных дефектов). Такие диполи создают поля упругих напряжений, которые частично компенсируют напряжения несоответствия в нанокристаллических пленках и покрытиях. В рамках предлагаемой модели показано, что зарождение дисклинационных диполей в пленке (покрытии) способно значительно понизить полную энергию композита пленка/подложка для систем AlN/6H-SiC и GaN/6H-SiC в широком интервале их структурных параметров. Доп.точки доступа: Овидько, И. А.; Шейнерман, А. Г. |
Структура и ультрафиолетовая фотолюминесценция пленок 3C-SiC, выращенных на Si (111) [Текст] / Л. К. Орлов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 446-451. - Библиогр.: с. 451 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ультрафиолетовая фотолюминесценция -- фотолюминесценция -- нанокристаллические пленки -- кубический карбид кремния -- метод химической конверсии из паров гексана -- спектр фотолюминесценции Аннотация: Обсуждаются структура и светоизлучающие свойства нанокристаллических пленок кубического карбида кремния, полученных методом химической конверсии из паров гексана. Проведен детальный анализ морфологии, состава и кристаллографической структуры выращенных толстых пленок карбида кремния с применением методов рентгеноструктурного анализа, электронографии, интерференционной оптической сканирующей зондовой и просвечивающей электронной микроскопии. Использование для возбуждения третьей гармоники фемтосекундного лазера (лямда[exit] = 266 nm) наряду с традиционно наблюдаемыми линиями в спектре высокотемпературной фотолюминесценции позволило впервые выявить линию излучения, лежащую в области глубокого ультрафиолета, с длиной волны (лямда = 340 nm). Обсуждается природа линий, наблюдаемых в спектре фотолюминесценции. Доп.точки доступа: Орлов, Л. К.; Дроздов, Ю. Н.; Алябина, Н. А.; Ивина, Н. Л.; Вдовин, В. И.; Дмитрук, И. Н. |
Особенности морфологии и структура нанокристаллических пленок кубического карбида кремния, выращиваемых на поверхности Si [Текст] / Л. К. Орлов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 5. - С. 1018-1023. - Библиогр.: с. 1023 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллические пленки -- пленки кубического карбида кремния -- карбид кремния -- рекристаллизация пленки -- метод химической конверсии Аннотация: С помощью разнообразных методов анализа (электронная, зондовая и интерференционная оптическая микроскопия, электронография, рентгеновская дифракция) исследуются состав, морфология поверхности и кристаллическая структура нанокристаллических пленок кубического нидрида кремния, выращиваемых на кремнии методом химической конверсии из паров гексана. Проведено сопоставление характеристик пленок 3C-SiC, получаемых на подложках Si (100) и Si (111). Для гетероструктур 3C-SiC/Si (111) различными методами проанализированы особенности формы, размеров и кристаллической структуры островков, формируемых на поверхности роста. Показано, что формируемые на поверхности фигуры роста образуют нанокристаллическую плотноупакованную текстуру с размерами зерен менее 50 nm. Электроннограммы фигур роста на поверхности пленок демонстрируют наличие дополнительного сверхпериода, связанного с винтовыми осями в пространственной группе элементов симметрии кристалла. Доп.точки доступа: Орлов, Л. К.; Дроздов, Ю. Н.; Вдовин, В. И.; Тарасова, Ю. И.; Смыслова, Т. Н. |
Получение гетероструктур на основе нанокристаллических слоев политипов карбида кремния [Текст] / А. В. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 845-852. : ил. - Библиогр.: с. 851-852 (25 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- нанокристаллические пленки -- карбид кремния -- подложки -- ионное осаждение -- рентгеноструктурный анализ -- метод рентгеноструктурного анализа -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- ФЛ -- оптическая спектроскопия -- оптическое поглощение -- ОП -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- нанокристаллические политипы -- оптическое отражение -- ОО Аннотация: Показана возможность формирования гетероструктуры, состоящей из нанокристаллических слоев, - нижнего (на подложке) кубического политипа 3C и верхнего ромбоэдрического политипа 21R с использованием метода прямого ионного осаждения нанокристаллических пленок карбида кремния и градиентного нагрева подложек. Проведен детальный анализ структуры и последовательности расположения слоев карбида кремния с применением методов рентгеноструктурного анализа, фемтосекундной фотолюминесценции, оптической спектроскопии. Обсуждается природа максимумов, наблюдаемых в спектрах фотолюминесценции, оптического отражения и поглощения. Доп.точки доступа: Семенов, А. В.; Лопин, А. В.; Пузиков, В. М.; Баумер, В. Н.; Дмитрук, И. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Термическая устойчивость и газовая чувствительность нанокристаллических пленок In-Y-O-C [Текст] = Thermal stability and gas sensitivity of In-Y-O-C nanocrystalline films / И. В. Бабкина [и др. ] // Альтернативная энергетика и экология. - 2010. - N 7 (87). - С. 10-17. : граф. - Библиогр.: с. 17 (8 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокомпозиты -- нанокристаллические пленки -- In-Y-O-C -- термическая устойчивость нанокристаллических пленок -- газовая чувствительность нанокристаллических пленок -- датчики водорода Аннотация: Исследование газовой чувствительности нанокристаллических пленок In-Y-O-C к молекулярному водороду, парам этилового спирта и изобутана. Доп.точки доступа: Бабкина, И. В.; Габриельс, К. С.; Гусев, А. Л.; Калинин, Ю. Е.; Ситников, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Термоэлектрические свойства нанокристаллических пленочных композитов (In[0, 355]Y[0, 042]) [0, 603]) -C [Текст] = Thermoelectric properties of nanocrystalline film (In[0, 355]Y[0, 042]0[0, 603]) -C composites / А. Б. Грановский [и др. ] // Альтернативная энергетика и экология. - 2010. - N 11 (91). - С. 22-29. : граф., табл. - Библиогр.: с. 29 (18 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллические пленочные композиты -- термоэлектрические свойства композитов -- нанокристаллические пленки Аннотация: Результаты исследования транспортных свойств в нанокристаллических пленочных гетероструктурах, обладающих хорошей чувствительностью к молекулярным газам. Доп.точки доступа: Грановский, А. Б.; Калинин, Ю. Е.; Кудрин, А. М.; Макагонов, В. А.; Ситников, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Баканов, В. И. Электрохимическое формирование нанокристаллических пленок [Текст] / В. И. Баканов, Н. В. Ларина // Вестник Тюменского государственного университета. - 2011. - N 5. - С. 156-161. : ил. - Библиогр.: с. 161 (13 назв. )
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): электроосаждение -- нанокристаллическая структура -- пленки -- металлические пленки -- нанокристаллические пленки -- блестящие пленки -- наночастицы -- атомы металлов Аннотация: Рассмотрены модели образования структуры пленок, формируемых при электроосаждении атомов металла. Сформулированные условия получения блестящих пленок. Доп.точки доступа: Ларина, Н. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Баканов, В. И. Электрохимическое осаждение нанокристаллических пленок Bi-Se [Текст] / В. И. Баканов, Н. В. Ларина // Вестник Тюменского государственного университета. - 2012. - № 5. - С. 6-11 : ил., граф. - Библиогр.: с. 11. - полный текст статьи см. на сайте Научной электронной библиотеки http://elibrary.ru
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): нанокристаллические пленки -- электрохимическое осаждение -- химические соединения -- висмут -- селен -- система Bi-Se -- селенид висмута Аннотация: Рассмотрен характер взаимодействия висмута и селена в системе Bi-Se и образование в ней химического соединения Bi[2]Se[3]. Доп.точки доступа: Ларина, Н. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние добавок Pt, Pd, Ag, Y в тонких нанокристаллических пленках Sno2 на характеристики резистивных сенсоров водорода [Текст] / Е. Ю. Севастьянов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 5. - С. 155-163 : рис., табл. - Библиогр.: c. 163 (16 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): водород -- водородная энергетика -- газочувствительные характеристики сенсоров -- диоксид олова -- иттрий -- катализаторы -- микроструктура пленок -- нанокристаллические пленки -- палладий -- платина -- свойства сенсоров -- сенсоры водорода -- серебро -- стабильность -- электрические характеристики сенсоров Аннотация: Представлены результаты исследования электрических и газочувствительных характеристик сенсоров H[2] на основе тонких нанокристаллических пленок SnO[2] с нанесенными на поверхность дисперсными слоями Pt, Pd, Ag и примесями Ag, Y и Ag+Y в объеме. Показано, что различные сочетания катализаторов на поверхности и в объеме оказывают существенное влияние на микроструктуру пленок и плотность центров адсорбции кислорода на поверхности диоксида олова. В результате различаются значения сопротивления сенсоров в чистом воздухе R[0], энергии активации температурных зависимостей R[0], отклики на воздействие водорода в диапазоне концентраций 50-2000 ppm. Методом УФ-видимой спектроскопии в спектрах поглощения пленок с добавкой серебра в объеме обнаружена полоса поверхностно плазмонного резонанса серебра, свидетельствующая о том, что примесь присутствует в виде металлических наночастиц Ag. Особое внимание было уделено влиянию долговременных испытаний на свойства сенсоров с перечисленными добавками. Установлено, что совместное введение Ag+Y в объем пленок предотвращает рост сопротивления и откликов при длительном воздействии водорода, которое наблюдается в процессе эксплуатации всех других изученных образцов. Рассмотрены возможные механизмы изменений свойств сенсоров при испытаниях и роль добавок в их стабилизации. Доп.точки доступа: Севастьянов, Е. Ю.; Максимова, Н. К.; Потекаев, А. И.; Алмаев, А. В.; Черников, Е. В.; Сергейченко, Н. В.; Ким, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |