Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных слоев GaN : Mg, выращенных методом МО ГФЭ [Текст] / В. В. Лундин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 996-1001 : ил. - Библиогр.: с. 1001 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
магний -- легирование -- метод газофазной эпитаксии -- МО ГФЭ -- морфология поверхности -- несущий газ -- слои GaN -- GaN слои -- эпитаксильные слои
Аннотация: Магний является единственной легирующей примесью для получения слоев GaN p-типа проводимости методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Большая энергия активации магния в GaN требует высоких концентраций вводимой примеси, что приводит к ухудшению морфологии растущих слоев. В работе описано влияние режимов роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, легированных магнием. Показано, что морфология поверхности сильно легированных слоев зависит от среднего содержания магния в слое и значительно улучшается при использовании азота в качестве несущего газа.


Доп.точки доступа:
Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Заварин, Е. Е.; Синицын, М. А.; Николаев, А. Е.; Михайловский, Г. А.; Брунков, П. Н.; Гончаров, В. В.; Бер, Б. Я.; Казанцев, Д. Ю.; Цацульников, А. Ф.




   
    Получение слоев нанокристаллического кремния плазмохимическим осаждением из газовой фазы тетрафторида кремния [Текст] / П. Г. Сенников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 1002-1006 : ил. - Библиогр.: с. 1006 (32 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
кремний -- нанокристаллический кремний (nc-Si) -- морфология поверхности -- рентгеновская дифракция -- масс-спектрометрия -- ионная масс-спектроскопия -- плазмохимическое осаждение -- тетрафторид кремния -- фотолюминесценция
Аннотация: Сообщается о результатах получения слоев кремния на различных подложках методом плазмохимического осаждения в системе тетрафторид кремния-водород. Сняты спектры излучения плазмы в этой системе. Образцы исследованы методами рентгеновской дифракции и вторичной ионной масс-спектрометрии. Проведено морфологическое изучение поверхности, получены спектры комбинационного рассеяния, спектры пропускания в инфракрасном диапазоне и спектры фотолюминесценции. По фазовому составу слои представляют собой нанокристаллический кремний с размером блоков когерентного рассеяния от 3 до 9 нм в зависимости от условий проведения процесса и обладают интенсивной фотолюминесценцией при комнатной температуре.


Доп.точки доступа:
Сенников, П. Г.; Голубев, С. В.; Шашкин, В. И.; Пряхин, Д. А.; Дроздов, М. Н.; Андреев, Б. А.; Дроздов, Ю. Н.; Кузнецов, А. С.; Поль, Х. - Й.




    Алов, Н. В.
    Рентгенофлуоресцентный анализ с полным внешним отражением: физические основы и аналитическое применение (обзор) [Текст] / Н. В. Алов // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - С. 4-14. - Библиогр.: с. 13-14 (79 назв. ) . - ISSN 1028-6861
УДК
ББК 24.46/48
Рубрики: Химия
   Физико-химические методы анализа

Кл.слова (ненормированные):
рентгенофлуоресцентный анализ -- полное внешнее отражение -- методы анализа -- рентгеноспектральный анализ -- эффект полного внешнего отражения -- отражение рентгеновских лучей -- преломление рентгеновских лучей -- стоячие волны -- рентгеновская флуоресценция -- энергодисперсионные спектрометры -- химический анализ -- неразрушающий анализ -- поверхностные слои -- морфология поверхности
Аннотация: Дан обзор современного состояния одного из наиболее перспективных методов рентгеноспектрального анализа - рентгенофлуоресцентного анализа с полным внешним отражением.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




   
    Наноструктурные и морфологические свойства пленок SrTiO3 [Текст] / А. А. Агасиев [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 4. - С. 36-38. - Библиогр.: с. 38 (11 назв. ) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 26.303
Рубрики: Геология
   Минералогия

Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- магнетронное распыление -- морфология поверхности -- микроэлектроника -- сегнетоэлектрические пленки -- титанат стронция
Аннотация: Магнетронным распылением получены пленки титаната стронция. Рассмотрена морфология и структура пленок. Определены средние размеры (`1... 2 нм) псевдозерен, которые хорошо согласуются с размерами областей когерентного рассеяния. Оценены межатомные расстояния Ti-O, Sr-O, O-O в неупорядоченных и поликристаллических слоях. С помощью атомно-силового и сканирующего туннельного микроскопов исследована поверхность пленки.


Доп.точки доступа:
Агасиев, А. А.; Ахундов, Ч. Г.; Мамедов, М. З.; Сармасов, С. Н.; Мамедов, Г. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




   
    Кальцийфосфатные покрытия, созданные методом ВЧ-магнетронного распыления гидроксиапатита: остеогенный потенциал in vitro и in vivo [Текст] / М. А. Сурменева [и др. ] // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 317, N 2 : Математика и механика : Физика. - С. 101-106. : ил. - Библиогр.: с. 106 (15 назв. )
УДК
ББК 22.333
Рубрики: Физика
   Электронные и ионные явления. Физика плазмы

Кл.слова (ненормированные):
кальцийфосфатные покрытия -- гидроксиапатит -- остеогенные свойства покрытий -- остеоинтеграция -- ВЧ-магнетронное распыление -- морфология поверхности -- фазовый состав -- элементный состав -- электронная микроскопия -- энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия -- инфракрасная спектроскопия -- метод эктопического костеобразования -- биоактивность -- биосовместимость -- стволовые клетки -- костный мозг
Аннотация: Покрытия на основе стехиометрического гидроксиапатита были получены методом ВЧ-магнетронного распыления. Морфология поверхности, фазовый и элементный состав покрытий исследованы методами сканирующей электронной микроскопии, энергодисперсионного рентгеновского анализа, инфракрасной спектроскопии. Элементный состав покрытий определяется составом мишени для распыления. Распределение элементов по поверхности покрытия равномерное. Остеогенные свойства покрытий исследованы методом эктопического костеобразования. Полученные покрытия, обладают биосовместимостью без проявления остеоиндуцирующей активности. Структурирование поверхности значительно увеличивает in vivo влияние кальцийфосфатных магнетронных покрытий на остеогенную активность стромальных стволовых клеток костного мозга.


Доп.точки доступа:
Сурменева, М. А.; Сурменев, Р. А.; Хлусов, И. А.; Пичугин, В. Ф.; Конищев, М. Е.; Эппле, М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Ермаков, К. С.
    Влияние морфологии поверхности монокристаллических подложек Si (111) на магнитные свойства эпитаксиальных пленок Co [Текст] / К. С. Ермаков, Ю. П. Иванов, Л. А. Чеботкевич // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып. 12. - С. 2392-2396. . - Библиогр.: с. 2396 (21 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
монокристаллические подложки -- магнитные свойства -- морфология поверхности
Аннотация: Эпитаксиальные пленки Co (111) /Cu (111) -R30{o}/Si (111) выращены на атомарно-гладкой и вицинальной поверхностях Si (111). Методом сканирующей туннельной микроскопии определены шероховатости подложки и пленки Co. Исследована зависимость коэрцитивной силы от азимутального угла. Установлена зависимость магнитной анизотропии и величины коэрцитивной силы от шероховатости поверхности. Показано, что в эпитаксиальных пленках Co, осажденных на атомарно-гладкие поверхности Si, кристаллографическая анизотропия типа <110> приводит к изотропности процессов перемагничивания. При осаждении на вицинальные поверхности реализуется одноосная анизотропия, наведенная ступенькой. В пленках, осажденных на атомарно-гладкие поверхности, наблюдается сложная доменная структура.


Доп.точки доступа:
Иванов, Ю. П.; Чеботкевич, Л. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




   
    Влияние предварительной обработки поверхности на электрохимические характеристики свинцового покрытия [Текст] / Н. В. Горбачев [и др. ] // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2010. - N 49. - С. 83-89. : ил. - Библиогр.: с. 89 (3 назв. )
УДК
ББК 35.35
Рубрики: Химическая технология
   Электрохимические производства

Кл.слова (ненормированные):
электрохимические характеристики свинцовых покрытий -- свинцовые покрытия -- предварительная обработка поверхности -- обработка поверхности -- анодная поляризация -- гальванический свинец -- оксидирование -- электролиты -- хлорная кислота -- морфология поверхности
Аннотация: Установлено, что электрохимические характеристики электролитически осажденного свинца зависят от условий предварительной обработки поверхности.


Доп.точки доступа:
Горбачев, Николай Владимирович (аспирант); Горбачева, Екатерина Юрьевна (аспирант); Соловьева, Нина Дмитриевна (доктор технических наук, профессор); Краснов, Владимир Васильевич (доцент); Федоров, Федор Сергеевич (аспирант)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Ларина, Наталья Владимировна.
    Электроосаждение тонких пленок индия и серебра с нанокристаллической структурой [Текст] / Наталья Владимировна Ларина, Вячеслав Иванович Баканов, Эльвира Талхатовна Телегина // Вестник Тюменского государственного университета. - 2010. - N 3. - С. 243-249. : табл., ил. - Библиогр.: с. 249 (7 назв. )
УДК
ББК 24.57
Рубрики: Химия
   Электрохимия

Кл.слова (ненормированные):
электрохимическое выделение -- электрохимическая кристаллизация -- электрокристаллизация -- электроосаждение -- тонкодисперсные осадки -- тонкодисперсные системы -- тонкие пленки -- морфология поверхности -- нанокристаллическая структура -- In -- индий -- Ag -- серебро
Аннотация: Изучение характера взаимодействия элементов в тонкодисперсной системе.


Доп.точки доступа:
Баканов, Вячеслав Иванович; Телегина, Эльвира Талхатовна
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Васильев, В. А.
    Диффузионная модель роста и морфология поверхностей тонких пленок материалов [Текст] / В. А. Васильев, П. С. Чернов // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - N 11. - С. 11-16. . - Библиогр.: с. 16 (15 назв. )
УДК
ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
   Радиоэлектроника в целом

Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- стохастический клеточный автомат -- морфология поверхности -- диффузионная модель -- нанотехнологии
Аннотация: Дан обзор моделей роста поверхностей материалов. Предложена оригинальная модель роста поверхности тонких пленок, представляющая собой стохастический клеточный автомат и учитывающая диффузию частиц. Она позволяет исследовать влияние температуры подложки, скорости и времени осаждения на параметры, характеризующие морфологию поверхности. Представлены результаты сравнения экспериментальных данных, полученных с помощью атомно-силовой микроскопии, и теоретических, полученных путем моделирования с использованием предложенной диффузи.


Доп.точки доступа:
Чернов, П. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




   
    Наноструктуры Ni-Ge: роль интерфейса и магнитные свойства [Текст] / Ю. Э. Гребеньков [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 7. - С. 1405-1411. - Библиогр.: с. 1411 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры Ni-Ge -- магнитные свойства -- пленки -- структура слоев пленок -- намагниченность -- морфология поверхности -- локальные структуры
Аннотация: Исследованы морфология поверхности и локальная структура слоев пленок Ni-Ge и Ge-Ni-Ge-Ni-Ge. Показано, что поверхность пленок повторяет шероховатости поверхности подложки, имеющие характерные размеры по высоте 2-4 nm и в плоскости ~100 nm. На границах между слоями Ni и Ge образуется интерфейс, глубина которого составляет от 9 до 18 nm. Полученные данные использованы для объяснения особенностей магнитных свойств исследованных пленок: асимметрии петли гистерезиса при низких температурах и различия температурных зависимостей намагниченности при охлаждении образцов в поле и в нулевом поле.


Доп.точки доступа:
Гребенькова, Ю. Э.; Черниченко, А. В.; Великанов, Д. А.; Турпанов, И. А.; Мухамеджанов, Э. Х.; Зубавичус, Я. В.; Черков, А. К.; Патрин, Г. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Васильев, В. А.
    Моделирование и анализ поверхностей тонких пленок материалов [Текст] / В. А. Васильев, П. С. Чернов // Инженерная физика. - 2012. - № 2. - С. 25-30 : ил. - Библиогр.: с. 30 (12 назв.) . - ISSN 2072-9995
УДК
ББК 34.9
Рубрики: Приборостроение
   Приборостроение в целом

Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- стохастические клеточные автоматы -- морфология поверхности -- микросистемная техника -- атомно-силовая микроскопия -- случайное осаждение -- поверхность тонких пленок -- теория клеточных автоматов
Аннотация: Рассматривается проблема моделирования роста поверхности тонких пленок материалов. Предложена модель роста поверхности тонких пленок, представляющая собой стохастический клеточный автомат и позволяющая исследовать влияние температуры подложки, скорости и времени осаждения. Проведено сравнение результатов моделирования с данными атомно-силовой микроскопии экспериментально полученных образцов тонких пленок.


Доп.точки доступа:
Чернов, П. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




   
    Особенности поверхностного фторирования термоэластопластов на основе полиуретана и его влияние на свойства полимера [Текст] / В. Г. Назаров [и др.] // Перспективные материалы. - 2016. - № 2. - С. 52-60 : 4 табл., 3 рис. - Библиогр.: с. 57-58 (25 назв. ) . - ISSN 1028-978X
УДК
ББК 35.71 + 35.713
Рубрики: Химическая технология
   Высокомолекулярные соединения в целом

   Гетероцепные полимеры и пластмассы на их основе

Кл.слова (ненормированные):
термоэластопласты -- фторирование -- морфология поверхности -- антипирены -- горючесть -- пожаробезопасность -- агрессивная жидкая среда -- полиуретаны -- физико-механические свойства -- полимеры -- горюче-смазочные материалы
Аннотация: Рассмотрены особенности фторирования термоэластопластов на основе полиуретана. Выявлен характер изменения степени фторирования термоэластопласта от времени фторирования и атомный состав модифицированного поверхностного слоя. Исследовано и установлено существенное влияние фторирования на морфологию поверхности термоэластопласта на основе полиуретана, его физико-механические свойства, горючесть и стойкость к горюче-смазочным материалам. Морфология поверхности фторированного образца по сравнению с исходным становится более развитой за счет появления высокочастотной составляющей. Формирование такой структуры обусловлено более интенсивным фторированием эластичных областей полимера, как менее плотных, и на большую глубину с частичной деструкцией. Показано снижение скорости набухания образцов в авиационном керосине и в моторном масле. Установлено, что поверхностное фторирование уменьшает горючесть термоэластопласта по таким показателям, как время воспламенения, высота прогорания и максимальная высота пламени.


Доп.точки доступа:
Назаров, В. Г.; Столяров, В. П.; Петрова, Г. Н.; Грязнов, В. И.; Бузник, В. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




   
    Получение и свойства полупроводниковых пленок поли-5,10,15,20-тетракис(4'-аминофенил)порфирина [Текст] / С. А. Чуловская [и др.] // Перспективные материалы. - 2016. - № 5. - С. 33-40 : 7 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 38-40 (34 назв. ) . - ISSN 1028-978X
УДК
ББК 24.57 + 24.7
Рубрики: Химия
   Электрохимия

   Химия высокомолекулярных соединений

Кл.слова (ненормированные):
порфирины -- электрополимеризация -- органические полупроводники -- морфология поверхности -- импеданс -- фрактальная размерность -- полупроводниковые пленки -- аминофенил
Аннотация: Получены пленки поли-5, 10, 15, 20-тетракис (4'-аминофенил) порфирина (поли-H[2]T (p-NH[2]Ph) P) электрохимической полимеризацией при активации процесса синтезируемым электрохимически супероксид анион-радикалом из растворов диметилсульфоксида. Методом атомно-силовой микроскопии показано, что поверхность полученной пленки поли-H[2]T (p-NH[2]Ph) P имеет малую шероховатость и сформирована из однородных по химическому составу округлых глобул со средним размером около 40 нм. Согласно измерениям фотоэлектрического отклика обнаружено, что полученная поли-H[2]T (p-NH[2]Ph) P пленка является полупроводниковым материалом с проводимостью р-типа. Кинетика формирования пленки поли-H[2]T (p-NH[2]Ph) P на Pt электроде в диметилсульфоксиде охарактеризована методом спектроскопии электродного импеданса.


Доп.точки доступа:
Чуловская, С. А.; Кузьмин, С. М.; Шилов, А. Н.; Парфенюк, В. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Лычагин, Д. В.
    Скольжение как базовый механизм образования структурных элементов деформационного рельефа [Текст] / Д. В. Лычагин, Е. А. Алферова // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 7. - С. 1406-1412 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (20 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
деформационный рельеф -- кристаллография в целом -- монокристаллы никеля -- морфология поверхности -- никель -- поверхность монокристаллов -- сжатие -- скольжение
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования морфологии поверхности монокристаллов никеля после деформации сжатием.


Доп.точки доступа:
Алферова, Е. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




   
    Свойства пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением [Текст] / Т. З. Лыгденова [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 11. - С. 56-60 : рис. - Библиогр.: c. 60 (4 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

   Физика

   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
ВЧ-магнетронное напыление -- вольт-амперная характеристика -- морфология поверхности -- напыление пленки оксида галлия -- оксид галлия -- пленки оксида галлия -- фазовый состав
Аннотация: Представлены результаты анализа структуры и фазового состава пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением. Показано, что в интервале 290-350 К рост проводимости пленок с повышением температуры обусловлен возбуждением электронов с локального уровня Еt, расположенного на 0. 95 эВ ниже дна зоны проводимости.


Доп.точки доступа:
Лыгденова, Т. З.; Калыгина, В. М.; Новиков, В. А.; Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)