Калыгина, В. М. Влияние монооксида углерода на вольт-фарадные характеристики МОП диодов Pd-SiO[2]-Si [Текст] / В. М. Калыгина, В. Ю. Грицык // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 780-784 : ил. - Библиогр.: с. 783-784 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- углерод -- монооксиды углерода -- восстановительные газы -- диоды -- МОП диоды -- диоды МОП -- металл - окисел - полупроводник -- МОП -- Pd-SiO[2]-Si Аннотация: Исследовано влияние монооксида углерода на вольт-фарадные характеристики МОП диодов Pd-SiO[2]-n-Si и временные зависимости изменений емкости при фиксированных смещениях на диоде. В отличие от других восстановительных газов, изменение емкости в газовой смеси CO/воздух имеет немонотонный характер. Во время экспозиции в газовой атмосфере вольт-фарадные характеристики сначала смещаются в область более высоких положительных напряжений, а затем они возвращаются и движутся вдоль оси напряжений в более низкие смещения. Резкий спад емкости в течение первых нескольких секунд газового импульса сменяется более медленным ростом емкости до нового стационарного значения, которое зависит от концентрации монооксида углерода. Результаты объясняются с учетом мостиковой и линейной форм адсорбции CO на поверхности SiO[2]. Доп.точки доступа: Грицык, В. Ю. |