Балашова, Е. В. Диэлектрические свойства пленок бетаин фосфита [Текст] / Е. В. Балашова, Б. Б. Кричевцов, В. В. Леманов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 525-532. - Библиогр.: с. 532 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки бетаин фосфита -- поликристаллические пленки -- бетаин фосфит -- монокристаллические подложки -- подоложки кварца -- подложки ниобата лития -- диэлектрическая проницаемость Аннотация: Поликристаллические пленки бетаин фосфита выращены на монокристаллических подложках кварца и ниобата лития с предварительно нанесенными встречно-штыревыми преобразователями. С помощью поляризационного микроскопа в режиме отражения показано, что пленки состоят из больших (до 1 nm) монокристаллических блоков. Температурные зависимости емкости пленок на частотах 120 Hz - 1MHz демонстрируют сильный максимум при температуре сегнетоэлектрического фазового перехода. Исследовано смещающегося поля на диэлектрическую проницаемость пленок. Показано, что различия температурного поведения диэлектрической проницаемости в монокристаллах и пленках связаны с влиянием динамических деформаций подложки на пленку и присутствием эффективного деполяризующего поля. Доп.точки доступа: Кричевцов, Б. Б.; Леманов, В. В. |
Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием [Текст] / О. А. Новодворский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 439-444
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерное осаждение -- монокристаллические подложки -- примеси галлия -- рентгеноструктурные исследования -- широкозонные полупроводники -- лазерные диоды Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках сапфира (0001) получены пленки ZnO n-типа проводимости, легированные галлием до 2. 5 ат%. Определены зависимости пропускания пленок ZnO в спектральном диапазоне от 200 до 3200 нм от концентрации примеси галлия. Установлено, что увеличение концентрации примеси галлия смещает границу фундаментальной полосы поглощения в синюю область, но снижает прозрачность пленок ZnO в инфракрасной области спектра. Определена зависимость ширины запрещенной зоны ZnO от уровня легирования галлием. Получены спектры фотолюминесценции пленок ZnO с различным уровнем легирования. Установлена немонотонная зависимость интенсивности и положения максимума фотолюминесценции от уровня легирования. Проведены рентгеноструктурные исследования пленок. Установлена зависимость кристаллографических параметров (постоянной решетки c) пленки ZnO от концентрации примеси галлия и условий процесса напыления. Доп.точки доступа: Новодворский, О. А.; Горбатенко, Л. С.; Панченко, В. Я.; Храмова, О. Д.; Черебыло, Е. А.; Венцель, К.; Барта, Й. В.; Бублик, В. Т.; Щербачев, К. Д. |
Иванов, М. С. Особенности формирования тонких сегнетоэлектрических пленок Ba[x]Sr[1-x]TiO[3] на различных подложках методом высокочастотного распыления [Текст] / М. С. Иванов, М. С. Афанасьев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 7. - С. 1259-1262. - Библиогр.: с. 1262 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрические пленки -- метод высокочастотного распыления -- тонкие пленки -- твердые растворы -- монокристаллические подложки Аннотация: Методом высокочастотного катодного распыления керамической мишени стехиометрического состава на установке магнетронного распыления получены эпитаксиальные тонкие пленки твердых растворов Ba[x]Sr[1-x]TiO[3] на монокристаллических подложках MgO (001) и NdGaO[3] (011). Определены основные качественные различия оптических, структурных и электрических свойств полученных сегнетоэлектрических пленок, выявлена их существенная зависимость от выбора подложки. Доп.точки доступа: Афанасьев, М. С. |
Эпитаксиальный рост и свойства пленок Mg[x]Zn[1-x]O, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения [Текст] / А. А. Лотин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 260-264 : ил. - Библиогр.: с. 264 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- Mg[x]Zn[1-x]O -- эпитаксиальные пленки -- лазерно-плазменное осаждение -- метод лазерно-плазменного осаждения -- распыления -- керамические мишени -- подложки -- монокристаллические подложки -- оксид цинка -- кристаллические решетки -- магний -- Mg -- запрещенные зоны -- шероховатые поверхности Аннотация: Методом лазерно-плазменного осаждения при распылении керамических мишеней были выращены тонкие пленки Mg[x]Zn[1-x]O, содержащие Mg в концентрациях x=0-0. 45. Определены условия их эпитаксиального роста на монокристаллических подложках Al[2]O[3] (00. 1). Достигнут рекордный предел растворимости Mg в гексагональном оксиде цинка, соответствующий x=0. 35. Рассогласование постоянных кристаллической решетки a пленок ZnO и Mg[0. 35]Zn[0. 65]O при этом не превышало 1%, а значения ширин запрещенных зон различались на 0. 78 эВ. Шероховатость поверхности пленок составила 0. 8-1. 5 нм в диапазоне x=0-0. 27. Доп.точки доступа: Лотин, А. А.; Новодворский, О. А.; Хайдуков, Е. В.; Рочева, В. В.; Храмова, О. Д.; Панченко, В. Я.; Венцель, К.; Трумпайска, Н.; Щербачев, К. Д. |
Осаждение тонких пленок Bi[2]Te[3] и Sb[2]Te[3] методом импульсной лазерной абляции [Текст] / И. С. Вирт [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 564-569 : ил. - Библиогр.: с. 568-569 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- тонкие пленки -- осаждение -- импульсная лазерная абляция -- ИЛА -- метод импульсной лазерной абляции -- подложки -- монокристаллические подложки -- температура -- мишени -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- дифракция электронов высоких энергий -- метод дифракции электронов высоких энергий -- кристаллиты -- электрические свойства -- удельное сопротивление -- абляции Аннотация: Методом импульсной лазерной абляции получены пленки Bi[2]Te[3] и Sb[2]Te[3]. Пленки осаждались в вакууме (1x10{-5} мм рт. ст. ) на подогретые до температуры 453-523 K монокристаллические подложки Al[2]O[3] (0001), BaF[2] (111) и свежие сколы KCl или NaCl (001). Толщина пленок составляла 10-1500 нм. Структура объемного материала мишеней и пленок исследовалась методом рентгеновской дифрактометрии и дифракции электронов высоких энергий на просвет соответственно. Электрические свойства пленок измерялись в температурном интервале 77-300 K. Показано, что пленки обладают полупроводниковыми свойствами. На температурных зависимостях удельного сопротивления наблюдается несколько активационных участков, энергии которых зависят от толщины пленки и размеров кристаллитов. Доп.точки доступа: Вирт, И. С.; Шкумбатюк, Т. П.; Курило, И. В.; Рудый, И. О.; Лопатинский, И. Е.; Линник, Л. Ф.; Тетеркин, В. В.; Федоров, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ермаков, К. С. Влияние морфологии поверхности монокристаллических подложек Si (111) на магнитные свойства эпитаксиальных пленок Co [Текст] / К. С. Ермаков, Ю. П. Иванов, Л. А. Чеботкевич // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып. 12. - С. 2392-2396. . - Библиогр.: с. 2396 (21 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монокристаллические подложки -- магнитные свойства -- морфология поверхности Аннотация: Эпитаксиальные пленки Co (111) /Cu (111) -R30{o}/Si (111) выращены на атомарно-гладкой и вицинальной поверхностях Si (111). Методом сканирующей туннельной микроскопии определены шероховатости подложки и пленки Co. Исследована зависимость коэрцитивной силы от азимутального угла. Установлена зависимость магнитной анизотропии и величины коэрцитивной силы от шероховатости поверхности. Показано, что в эпитаксиальных пленках Co, осажденных на атомарно-гладкие поверхности Si, кристаллографическая анизотропия типа <110> приводит к изотропности процессов перемагничивания. При осаждении на вицинальные поверхности реализуется одноосная анизотропия, наведенная ступенькой. В пленках, осажденных на атомарно-гладкие поверхности, наблюдается сложная доменная структура. Доп.точки доступа: Иванов, Ю. П.; Чеботкевич, Л. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Эволюция фазового состава и структуры в сапфире, имплантированном ионами {64}Zn{+} и термообработанном в кислороде [Текст] / В. В. Привезенцев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 2. - С. 186-194 : рис. - Библиогр.: c. 194 (17 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физика высоких и низких давлений Кл.слова (ненормированные): монокристаллические подложки -- оже-спектроскопия -- просвечивающая микроскопия -- сканирующая электронная микроскопия -- фазовый состав -- энергодисперсионный анализ Аннотация: Монокристаллические подложки Al[2]O[3] были имплантированы ионами {64}Zn{+} с дозой 5x10{16} см{-2} и энергией 100 кэВ и затем прогреты в кислороде при ступенчатом увеличении температуры от 400 до 1000 °C. Изменения на поверхности и в объеме образца исследовались методами сканирующей электронной микроскопии, энергодисперсионного анализа, просвечивающей микроскопии и оже-спектроскопии. Доп.точки доступа: Привезенцев, В. В.; Зилова, О. С.; Бурмистров, А. В.; Батраков, А. А.; Пресняков, М. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |