Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами [Текст] / П. А. Карасев [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 49-55 : ил. - Библиогр.: с. 54-55 (18 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): нитрид галлия -- ионная имплантация -- молекулярные ионы -- МД-моделирование -- молекулярно-динамическое моделирование -- каскады столкновений -- молекулярный эффект -- точечные дефекты -- внутрикаскадная рекомбинация -- атомарные ионы Аннотация: Описаны результаты МД-моделирования бомбардировки открытой поверхности (0001) GaN ускоренными атомарными (F, P, Ag) и молекулярными (PF[2], PF[4]) ионами с энергией 50 эВ/а. е. м. Обращено внимание на внутри-каскадную рекомбинацию образующихся точечных дефектов и генерацию простейших точечных дефектов тяжелыми ионами Ag и молекулами PF[4].Results of atomistic simulation of (0001) GaN surface bombardment by 50 eV/a. m. u. atomic (F, P, Ag) and molecular (PF[2] and PF[4]) ions are presented. Strong in-cascade recombination of generated point defects is found. Final defect distributions are significantly shifted towards the surface. Both these findings are in good agreement with experimental data on formation of structural defects in GaN under accelerated ion irradiation. Enhanced defect generation as compared to approximation given by binary collisions is found for heavy atomic (Ag) and molecular (PF[4]) ions. In the case of molecular ion the mentioned effect is observed close to the sample surface only. Доп.точки доступа: Карасев, Платон Александрович; Титов, Андрей Иванович (1939-); Улла, Мохаммад Вали; Джурабекова, Флюра; Куронен, Антти; Нордлунд, Кай Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние плотности каскадов смещений на топографию и сдвиг поверхности нитрида галлия, облучаемого атомарными и молекулярными ионами [Текст] / К. В. Карабешкин [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 55-61 : ил. - Библиогр.: с. 60-61 (14 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): нитрид галлия -- ионная имплантация -- молекулярные ионы -- свеллинг -- распыление -- топография поверхности -- молекулярный эффект -- каскады столкновений -- атомарные ионы Аннотация: В статье рассмотрено влияние плотности каскадов столкновений на изменение свойств поверхности GaN при его бомбардировке ускоренными атомарными и молекулярными ионами. Показано, что при малых плотностях свеллинг преобладает над распылением, а при больших - наоборот, доминирует распыление. Шероховатость поверхности увеличивается при увеличении массы иона/размера кластера. Установлен пороговый характер развития этих процессов и определены пороговые дозы начала развития особенностей топографии поверхности и изменения толщины модифицируемых слоев.Effect of collision cascade density on GaN surface properties under molecular and atomic ion bombardment have been studied. At low level of cascade density swelling prevails sputtering. In the case of molecular ion irradiation, when cascade is high, sputtering is more effective than swelling. Threshold behavior of these phenomena is established and corresponding values are found. Physical reasons are suggested. Доп.точки доступа: Карабешкин, Константин Валерьевич; Карасев, Платон Александрович; Беляков, Владимир Сергеевич; Архипов, Александр Викторович; Титов, Андрей Иванович (1939-) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Прямое наблюдение внутрикластерных реакций, индуцированных в кластерах (CF[3]I)[n] фемтосекундным УФ-излучением [Текст] / В. М. Апатин [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 7. - С. 610-613
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): кластеры (физика) -- внутрикластерные реакции -- молекулярные ионы -- фемтосекундное УФ-излучение -- УФ-излучение Аннотация: Осуществлено прямое наблюдение внутрикластерных реакций, в том числе реакции образования молекулярного иона I\{+\}[2], инициируемых в кластерах (CF[3]I) [n] УФ-излучением фемтосекундной длительности. Показано, что имеются два канала образования I\{+\}[2] с характерными временами приближенно равно 1 пс и 7 пс. Предложена модель исследуемых реакций, которая хорошо согласуется с результатами эксперимента. Доп.точки доступа: Апатин, В. М.; Компанец, В. О.; Лохман, В. Н.; Огурок, Н. - Д. Д.; Пойдашев, Д. Г.; Рябов, Е. А.; Чекалин, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Карасев, Платон Александрович. Особенности образования дефектов в кремнии при бомбардировке молекулярными ионами [Текст] / П. А. Карасев, К. В. Карабешкин // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 3 (153). - С. 64-70 : ил. - Библиогр.: с. 69-70 (15 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): кремний -- ионная имплантация -- молекулярные ионы -- молекулярный эффект -- каскады столкновений -- атомарные ионы -- моделирование каскадных эффектов -- имплантация ионов -- фторид фосфора Аннотация: Рассмотрен молекулярный эффект при бомбардировке кремния ускоренными атомарными и молекулярными ионами различных энергий. Изложены физические механизмы данного эффекта. Описаны результаты экспериментальных исследований и компьютерного моделирования бомбардировки кремния ионами Р{+} и PF{+}[4].Molecular effect in silicon under molecular ion bombardment over a wide energy range is described. Physical mechanisms for explanation of this phenomenon are suggested. Results of experimental studies and computer simulation of processes occurred in Si under Р{+} and PF{+}[4] ion bombardment are presented. Доп.точки доступа: Карабешкин, Константин Валерьевич Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Средние константы скорости распада и энергии возбуждения кластеров металлов, распыленнных ионами SF{+}[5] и инертных газов [Текст] / С. Е. Максимов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 2. - С. 114-117. - Библиогр.: c. 117 (21 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): атомарные ионы -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- инертные газы -- молекулярные ионы -- мономолекулярные распады -- распыление пучками Аннотация: Представлены результаты исследования методом ВИМС процессов фрагментации кластеров металлов, распыленных пучками атомарных ионов Xe{+} и молекулярных ионов SF{+}[5]. Показано, что средние константы скорости распада и, следовательно, энергии возбуждения кластеров одинаковой стехиометрии не зависят от типа бомбардирующих ионов. Доп.точки доступа: Максимов, С. Е.; Джемилев, Н. Х.; Коваленко, С. Ф.; Тугушев, В. И.; Тукфатуллин, О. Ф.; Хожиев, Ш. Т. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |