Самхарадзе, Т. Г. Определение оптимального строения гетероструктуры InGaN [Текст] / Т. Г. Самхарадзе, О. И. Рабинович, В. П. Сушков // Инженерная физика. - 2008. - N 5. - С. 20-21
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): многокомпонентные гетероструктуры -- гетероструктуры -- InGaN -- светоизлучающие диоды Аннотация: Проведено моделирование многокомпонентных гетероструктур (МКГ) InGaN для использования в светоизлучающих диодах (СИД). Результаты представлены в виде графиков рабочих характеристик СИД, основанных на исследованных МКГ, например, вольт-амперные характеристики, зависимость внутреннего квантового выхода от количества квантово-размерных ям и спектральная характеристика. Доп.точки доступа: Рабинович, О. И.; Сушков, В. П. |
Рабинович, О. И. Исследование зависимости внешнего квантового выхода излучающих диодов от плотности тока [Текст] / О. И. Рабинович, В. П. Сушков // Инженерная физика. - 2008. - N 5. - С. 22-23
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): многокомпонентные гетероструктуры -- гетероструктуры -- AlGaInN -- излучающие диоды -- внешний квантовый выход -- плотность тока Аннотация: Проведено исследование зависимости внешнего квантового выхода излучающих диодов (ИД) (в видимой области спектра - СИД, в УФ области - УФИД) от плотности тока на основе многокомпонетной гетероструктуры AlGaInN с помощью компьютерного моделирования. Предложена модель, объясняющая уменьшение квантового выхода с увеличением плотности тока. Доп.точки доступа: Сушков, В. П. |
Рабинович, О. И. Исследование особенностей рабочих характеристик многокомпонентных гетероструктур и светоизлучающих диодов на основе AlInGaN [Текст] / О. И. Рабинович, В. П. Сушков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 548-551
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- многокомпонентные гетероструктуры -- квантоворазмерные ямы -- компьютерное моделирование -- параметры слоев кристаллов -- спектры излучения Аннотация: Проведено моделирование многокомпонентных гетероструктур на основе AlInGaN для использования их в светоизлучающих диодах. Определено влияние неоднородного распределения атомов индия в светоизлучающих " нанодиодах" на рабочие характеристики приборов в целом. Разработана модель, описывающая строение многокомпонентных AlInGaN-гетероструктур для излучающих диодов. Доп.точки доступа: Сушков, В. П. |
Самхарадзе, Т. Г. Изучение аспектов поведения рабочих характеристик AlGaInN излучающих диодов [Текст] / Т. Г. Самхарадзе, О. И. Рабинович // Инженерная физика. - 2009. - N 4. - С. 24-26
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- многокомпонентные гетероструктуры -- компьютерное моделирование -- твердые растворы -- оптоэлектронные полупроводниковые приборы Аннотация: Проведено изучение поведения основных характеристик излучающих диодов. Результаты представлены в виде графиков рабочих характеристик СИД, основанных на результатах компьютерного моделирования AlGaInN многокомпонентных гетероструктур, например, ВАХ и зависимость напряженности поля от содержания атомов In и количества кванто-размерных ям. Доп.точки доступа: Рабинович, О. И. |
Рабинович, О. И. Влияние примеси в AlGaInN многокомпонентных гетероструктурах на рабочие характеристики светоизлучающих диодов [Текст] / О. И. Рабинович // Инженерная физика. - 2009. - N 6. - С. 12-14
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- диоды -- рабочие характеристики -- многокомпонентные гетероструктуры -- гетероструктуры -- компьютерное моделирование Аннотация: Проведено изучение поведения основных характеристик светоизлучающих диодов (СИД). Результаты представлены в виде графиков рабочих характеристик СИД, основанных на результатах компьютерного моделирования AlGaInN многокомпонентных гетероструктур, например, ВАХ и зависимость внутреннего квантового выхода СИД от легирования барьеров в квантово-размерной активной области. |