Александров, И. А.
    Линейно поляризованная фотолюминесценция ансамбля вюрцитных GaN/AlN квантовых точек [Текст] / И. А. Александров, В. Г. Мансуров, П. Хольтц // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 9. - С. 498-500
УДК
ББК 22.345
Рубрики: Физика
   Люминесценция

Кл.слова (ненормированные):
микрофотолюминесценция -- фотолюминесценция -- вюрцитные квантовые точки -- квантовые точки -- фотолюминесценция квантовых точек -- лазерное возбуждение -- поляризация излучения -- безызлучательная рекомбинация -- центры безызлучательной рекомбинации
Аннотация: Исследована микрофотолюминесценция GaN/AlN квантовых точек, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии на сапфировых подложках вдоль оси (0001). Номинальное количество осажденного GaN варьировалось от 1 до 4 монослоев для получения квантовых точек с различным средним размером и плотностью. Плотность квантовых точек составляла около 10\{11\} см\{-2\}, таким образом, около 10\{3\} квантовых точек возбуждалось в экспериментах. Фотолюминесценция квантовых точек линейно поляризована, наибольшая степень поляризации (15 для образца с наименьшим количеством осажденного GaN).


Доп.точки доступа:
Мансуров, В. Г.; Хольтц, П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




   
    Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек [Текст] / А. В. Гайслер [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 5. - С. 313-318
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- InAs -- экситонные состояния -- механизм Странского-Крастанова -- Странского-Крастанова механизм -- криогенная микрофотолюминесценция -- излучатели пар запутанных фотонов
Аннотация: Методом криогенной микрофотолюминесценции исследована тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек, выращенных по механизму Странского-Крастанова с малым временем прерывания роста. Продемонстрировано монотонное увеличение расщепления экситонных состояний с увеличением размера квантовых точек до значений ~10\{2\} мкэВ. Показано, что в интервале энергий экситонов 1. 3-1. 4 эВ величина расщепления экситонных состояний сравнима с естественной шириной экситонных линий. Это представляет большой интерес для разработки излучателей пар запутанных фотонов на основе InAs квантовых точек.


Доп.точки доступа:
Гайслер, А. В.; Ярошевич, А. С.; Деребезов, И. А.; Калагин, А. К.; Бакаров, А. К.; Торопов, А. И.; Щеглов, Д. В.; Гайслер, В. А.; Латышев, А. В.; Асеев, А. Л.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Ченцов, С. И.
    Изолированные (квантовые) излучатели, сформированные с участием донорно-акцепторных пар, в гетероструктуре ZnSe/ZnMgSSe [Текст] / С. И. Ченцов, А. А. Пручкина, В. С. Кривобок // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 4. - С. 490-493. - Библиогр.: c. 493 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
дипольные моменты -- донорно-акцепторные пары -- квантовые излучатели -- квантовые ямы -- микрофотолюминесценция
Аннотация: На основе измерений низкотемпературной (5 K) микрофотолюминесценции в гетероструктуре с широкой квантовой ямой ZnSe/ZnMgSSe продемонстрировано существование изолированных (квантовых) излучателей, линии излучения которых претерпевают скачкообразное изменение спектрального положения на несколько мэВ в течение времен порядка 1-10 минут. Нестандартные свойства обнаруженных излучателей объяснены на основе представлений о системах, имеющих значительный дипольный момент в основном состоянии, таких как одиночные донорно-акцепторные пары.


Доп.точки доступа:
Пручкина, А. А.; Кривобок, В. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)