Анизотропия спиновой релаксации электронов, вызванная конкуренцией механизмов Рашбы и Дрессельхауза [Текст] / А. М. Смирнов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 933-937 : ил. - Библиогр.: с. 936 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод оптической ориентации -- анизотропия спиновой релаксации -- квантовые ямы -- кривые Ханле -- Ханле кривые -- механизмы Рашбы -- Рашбы механизмы -- электроны -- свободные электроны -- локализованные электроны -- время жизни электронов -- механизмы Дрессельхауза -- Дрессельхауза механизмы Аннотация: Методом оптической ориентации исследована анизотропия спиновой релаксации электронов в асимметричных вдоль оси роста квантовых ямах AlGaAs. Показано, что различие кривых Ханле для рассмотренных ориентаций связано именно с анизотропией спиновой релаксации, а не с анизотропией электронного g-фактора. Обнаружен вклад в кривые Ханле как от свободных, так и от локализованных электронов, имеющих разное время жизни. Доп.точки доступа: Смирнов, А. М.; Осепцова, В. А.; Платонов, А. В.; Гуревич, А. С.; Кочерешко, В. П.; Школьник, А. С.; Евтихиев, В. П.; Петров, В. В.; Долгих, Ю. К.; Ефимов, Ю. П.; Елисеев, С. А. |