Структура и ультрафиолетовая фотолюминесценция пленок 3C-SiC, выращенных на Si (111) [Текст] / Л. К. Орлов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 446-451. - Библиогр.: с. 451 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ультрафиолетовая фотолюминесценция -- фотолюминесценция -- нанокристаллические пленки -- кубический карбид кремния -- метод химической конверсии из паров гексана -- спектр фотолюминесценции Аннотация: Обсуждаются структура и светоизлучающие свойства нанокристаллических пленок кубического карбида кремния, полученных методом химической конверсии из паров гексана. Проведен детальный анализ морфологии, состава и кристаллографической структуры выращенных толстых пленок карбида кремния с применением методов рентгеноструктурного анализа, электронографии, интерференционной оптической сканирующей зондовой и просвечивающей электронной микроскопии. Использование для возбуждения третьей гармоники фемтосекундного лазера (лямда[exit] = 266 nm) наряду с традиционно наблюдаемыми линиями в спектре высокотемпературной фотолюминесценции позволило впервые выявить линию излучения, лежащую в области глубокого ультрафиолета, с длиной волны (лямда = 340 nm). Обсуждается природа линий, наблюдаемых в спектре фотолюминесценции. Доп.точки доступа: Орлов, Л. К.; Дроздов, Ю. Н.; Алябина, Н. А.; Ивина, Н. Л.; Вдовин, В. И.; Дмитрук, И. Н. |