Формирование и "белая" фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO[x], имплантированных ионами углерода [Текст] / А. И. Белов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1498-1503. : ил. - Библиогр.: с. 1503 (31 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- нанокластеры -- ионы углерода -- кластеры -- нанокристаллы -- высокотемпературный отжиг -- отжиг -- оксид кремния -- SiOx -- имплантация ионов -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- РФЭС -- метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии Аннотация: Приведены экспериментальные данные по ионному синтезу нанокомпозитных слоев с углеродсодержащими кластерами и нанокристаллами Si при облучении пленок нестехиометрического оксида кремния SiO[x] ионами углерода с последующим высокотемпературным отжигом. Показано, что при достаточно больших дозах C{+} пленки обладают фотолюминесценцией в области спектра, охватывающей весь видимый диапазон и ближнюю инфракрасную область. Формирование указанных кластеров и нанокристаллов подтверждается методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, причем распределение углерода практически воспроизводит расчетный профиль пробегов ионов, т. е. отсутствует заметное диффузионное перераспределение этого элемента. Предложена качественная модель слоистого строения ионно-синтезированных структур. Доп.точки доступа: Белов, А. И.; Михайлов, А. Н.; Николичев, Д. Е.; Боряков, А. В.; Сидорин, А. П.; Грачев, А. П.; Ершов, А. В.; Тетельбаум, Д. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Подлесная, Ольга Андреевна. Модифицирование поверхности хитозана методами ионно-плазменной технологии [Текст] / О. А. Подлесная, Р. А. Нежметдинова // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2011. - N 53. - С. 78-84. : ил. - Библиогр.: с. 84 (5 назв. )
Рубрики: Машиностроение Машиностроительные материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): модифицирование поверхности -- хитозан -- ионно-плазменная технология -- геометрические свойства поверхности -- химические свойства поверхности -- антимикробные свойства поверхности -- метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- фотоэлектронная спектроскопия -- спектроскопия Аннотация: Рассматривается возможность управления геометрическими, химическими и антимикробными свойствами поверхности хитозана путем модификациии различными методами ионно-плазменной технологии. Приводятся результаты исследования химического состава поверхности хитозана, который определялся методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Доп.точки доступа: Нежметдинова, Рамиля Амировна Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Экспериментальное исследование валентной зоны сплавов Ti(NiCu) с различным составом и кристаллической структурой [Текст] / Б. В. Сеньковский [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 8. - С. 1441-1446. - Библиогр.: с. 1446 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): валентные зоны сплавов -- плотность электронный состояний -- кристаллические структуры -- метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии -- элементные составы Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследована плотность электронных состояний валентной зоны сплавов Ti (NiCu) с различной кристаллической структурой и элементным составом. Установлено, что изменение кристаллического состояния при мартенситном превращении и при переходе из аморфного состояния в кристаллическое не меняет распределения плотности электронных состояний валентной зоны сплавов Ti[50]Ni[50] и Ti[50]Ni[25]Cu[25]. Показано, что изменение элементного состава приводит к существенному перераспределению электронной плотности в сплавах системы Ti[50]Ni[50-x]Cu[x] (x=0, 10, 15, 25, 38, 30, 50 at. %). С увеличением концентрации меди в сплавах Ti (NiCu) уменьшается вклад никелевых d-состояний в окрестности уровня Ферми, d-зона никеля смещается в сторону больших энергий связи, а d-зона меди - в сторону меньших энергий связи. Доп.точки доступа: Сеньковский, Б. В.; Усачев, Д. Ю.; Федоров, А. В.; Шеляков, А. В.; Адамчук, В. К. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |