Кучеренко, И. В. Спектры ИК-отражения структур с квантовым точками dTe/ZnTe и проявление в них свойств квантовых точек CdTe, а также эффектов взаимной диффузии [Текст] / И. В. Кучеренко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1488-1491. - Библиогр.: с. 1491 (16 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диффузия -- квантовые точки -- локальные моды -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- спектры решеточного ИК-отражения -- фрейлиховские моды -- щелевые моды Аннотация: Исследованы спектры ИК-отражения структур из чередующихся слоев квантовых точек CdTe и барьеров ZnTe, выращенных на буферных слоях ZnTe и CdTe/ZnTe на подложке (001) GaAs. Проведен дисперсионный анализ спектров и найдены параметры осцилляторов. Квантовые точки проявляются в спектрах в виде широкой полосы с частотой, близкой к частоте фрелиховской моды. В спектрах обнаружены также свидетельства взаимной диффузии CdTe и ZnTe - полосы, связанные с локальной модой Zn в CdTe и двумя щелевыми модами Cd в ZnTe. Доп.точки доступа: Виноградов, В. С.; Карчевски, Г.; Новикова, Н. Н.; Чистелли, Гауди М.; Пиччинини, М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Магнитные свойства массивов наночастиц кобальта на поверхности CaF[2] (110) /Si (001) [Текст] / Б. Б. Кричевцов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 1. - С. 109-117. - Библиогр.: с. 116-117 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наночастицы -- наночастицы кобальта -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- петли магнитного гистерезиса -- магнитный гистерезис -- пленки кобальта -- коэрцитивные поля -- остаточная намагниченность -- намагниченность насыщения -- намагниченность Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены гетероструктуры Co/CaF[2]/Si (001) с гофрированной поверхностью (110) буферного слоя CaF[2]. Полученные структуры представляют собой массивы наночастиц монокристаллического Co в основном кубической fcc-модификации. С помощью магнитооптической методики исследовано поведение петель магнитного гистерезиса в зависимости от плотности покрытия подложки островками кобальта, размеров островков и температуры. При малых плотностях покрытия, когда эффективная толщина пленки кобальта d[eff] меньше критической d{c}[eff], магнитная структура пленок при T = 294 K представляет собой ансамбль суперпарамагнитных слабовзаимодействующих наночастиц и характеризуется небольшими величинами коэрцитивного поля H[c] и остаточной намагниченности M[rem]. Понижение температуры сопровождается сильным увеличением H[c] и M[rem] связанным с переходом островков в блокированное состояние. Температура блокировки структур составляет T[b] около 280 K. Параметр магнитной анизотропии K и намагниченность насыщения M[s] островков зависят от температуры роста кобальта T[Co]. Увеличение плотности покрытия выше критической толщины d{c}[eff] при T = 294 K приводит к сильному росту H[c] и M[rem], появлению анизотропии петель гистерезиса, вызванной гофрированной структурой буферного слоя CaF[2]. Проводится сравнение экспериментальных результатов с моделью ансамбля невзаимодействующих суперпарамагнитных частиц. Доп.точки доступа: Кричевцов, Б. Б.; Гастев, С. В.; Ильющенков, Д. С.; Кавеев, А. К.; Соколов, Н. С. |
Структуры GaAs с квантовыми точками InAs и As, полученные в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / В. Н. Неведомский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1662-1666 : ил. - Библиогр.: с. 1665-1666 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- ПКТ -- InAs -- As -- металлические квантовые точки -- МКТ -- эпитаксиальные слои -- GaAs -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- механизм Странского-Крастанова -- Странского-Крастанова механизм -- выращивание квантовых точек -- мышьяк -- просвечивающая электронная микроскопия -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- поля -- деформационные поля -- V-образные дефекты -- дефекты упаковки -- заращивание квантовых точек -- арсенид галлий -- отжиг -- высокотемпературный отжиг -- самоорганизация квантовых точек -- коалесценция -- оствальдовское созревание -- диффузия -- ускоренная диффузия -- деформации -- локальные деформации Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои GaAs, содержащие полупроводниковые квантовые точки InAs, сформированные по механизму Странского-Крастанова, и металлические квантовые точки As, сформированные путем самоорганизации в слое GaAs, выращенном при низкой температуре и содержащем большой избыток мышьяка. Методом просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования микроструктуры полученных образцов. Установлено, что металлические квантовые точки As, формирующиеся в непосредственной близости от полупроводниковых квантовых точек InAs, имеют большие размеры, чем находящиеся на удалении. Это явление, по-видимому, есть результат воздействия деформационных полей квантовых точек InAs на процессы самоорганизации квантовых точек As. Другим явлением, вероятно, связанным с локальными деформациями вокруг квантовых точек InAs, оказывается формирование V-образных дефектов (дефектов упаковки) при заращивании квантовых точек InAs слоем арсенида галлия при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Такие дефекты оказывают сильное воздействие на процессы самоорганизации квантовых точек As. В частности, при высокотемпературном отжиге, необходимом для формирования крупных квантовых точек As путем коалесценции (оствальдовского созревания), наличие V-образных дефектов приводит к растворению квантовых точек As в их окрестности. При этом избыточный мышьяк, скорее всего, диффундирует на открытую поверхность образца за счет каналов ускоренной диффузии по плоскостям дефектов упаковки. Доп.точки доступа: Неведомский, В. Н.; Берт, Н. А.; Чалдышев, В. В.; Преображенский, В. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р. |
Зависимость спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоев твердого раствора Pb[1-x]Eu[x]Te (0 x 0. 1) от условий выращивания [Текст] / Д. А. Пашкеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 891-896. : ил. - Библиогр.: с. 895-896 (11 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- твердые растворы -- Pb[1-x]Eu[x]Te -- эпитаксиальные слои -- выращивание слоев -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- излучательная рекомбинация -- температура роста -- неоднородности -- запрещенные зоны Аннотация: Изучались спектры фотолюминесценции твердого раствора Pb[1-x]Eu[x]Te (0< x <0. 1) при низких температурах. Эпитаксиальные слои выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии при различных температурах. В спектрах помимо основной линии, соответствующей межзонной излучательной рекомбинации, с низкоэнергетической стороны наблюдались дополнительные линии излучения. На поверхности образцов (менее 1% от общей площади) обнаружены неоднородности, концентрация и размер (1-10 мкм), которых уменьшаются с увеличением температуры роста. Дополнительные линии излучения связываются с локальными неоднородностями в слое. Определена зависимость ширины запрещенной зоны Pb[1-x]Eu[x]Te (0< x <0. 1) от состава при 77. 4 K, которая является нелинейной и выражается соотношением E[g][эВ]=0. 213+4. 8x-18. 4x{2}. Доп.точки доступа: Пашкеев, Д. А.; Селиванов, Ю. Г.; Felder, F.; Засавицкий, И. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Гасанов, Г. А. Получение пленок (PbX) [1-x] (Sm[2]X[3]) [x] (где X-S, Se, Te; x=0, 01-0, 04) на пористом кремнии [Текст] = Deriving of films (PbX) [1-x] (Sm[2]X[3]) [x] (where X-S, Se, Te; x=0, 01-0, 04) on porous silicon / Г. А. Гасанов // Альтернативная энергетика и экология. - 2010. - N 3 (83). - С. 14-21. : табл., граф., рис. - Библиогр.: с. 17 (5 назв. )
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура акустики Распространение звука Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физика полупроводников и диэлектриков Химия Физико-химические методы анализа Электрохимия Кл.слова (ненормированные): метод акустической микроскопии -- аморфизированные поверхностные пленки -- пористый кремний -- метод термовакуумного осаждения -- метод ТВО -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- метод МЛЭ -- кристаллическое строение пленок Аннотация: О методах получения и исследования структуры пленок полупроводников (PbX) [1-x] (Sm[2]X[3]) [x] (где X-S, Se, Te; x=0, 01-0, 04). Подробно описан метод получения буферного пористого слоя. Структурное совершенство пленок анализировалось методами рентгеновской дифрактометрии и акустической микроскопии. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si (310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона [Текст] / М. В. Якушев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 396-402. : ил. - Библиогр.: с. 401-402 (19 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- HgCdTe -- подложки -- кремний -- Si (310) -- твердые растворы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- фотоприемники -- ФП -- инфракрасные фотоприемники -- ИК ФП -- фоточувствительные элементы -- ФЧЭ -- дефекты структуры -- фотодиоды -- комнатная температура -- температура жидкого азота Аннотация: Представлены результаты исследований процессов роста твердых растворов HgCdTe на подложках из кремния диаметром до 100 мм методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Определены оптимальные условия получения гетероструктур HgCdTe/Si (310) приборного качества для спектрального диапазона 3-5 мкм. Представлены результаты измерений и обсуждение фотоэлектрических параметров инфракрасного фотоприемника форматом 320x 256 элементов с шагом 30 мкм на основе гибридной сборки матричного фоточувствительного элемента с кремниевым мультиплексором. Показана высокая стабильность параметров фотоприемника к термоциклированию от комнатной температуры до температуры жидкого азота. Доп.точки доступа: Якушев, М. В.; Брунев, Д. В.; Варавин, В. С.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Марчишин, И. В.; Предеин, А. В.; Сабинина, И. В.; Сидоров, Ю. Г.; Сорочкин, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |