Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных слоев GaN : Mg, выращенных методом МО ГФЭ [Текст] / В. В. Лундин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 996-1001 : ил. - Библиогр.: с. 1001 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магний -- легирование -- метод газофазной эпитаксии -- МО ГФЭ -- морфология поверхности -- несущий газ -- слои GaN -- GaN слои -- эпитаксильные слои Аннотация: Магний является единственной легирующей примесью для получения слоев GaN p-типа проводимости методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Большая энергия активации магния в GaN требует высоких концентраций вводимой примеси, что приводит к ухудшению морфологии растущих слоев. В работе описано влияние режимов роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, легированных магнием. Показано, что морфология поверхности сильно легированных слоев зависит от среднего содержания магния в слое и значительно улучшается при использовании азота в качестве несущего газа. Доп.точки доступа: Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Заварин, Е. Е.; Синицын, М. А.; Николаев, А. Е.; Михайловский, Г. А.; Брунков, П. Н.; Гончаров, В. В.; Бер, Б. Я.; Казанцев, Д. Ю.; Цацульников, А. Ф. |
Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (lambda~3. 3 мкм) [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 278-284 : ил. - Библиогр.: с. 284 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- двойные гетероструктуры -- InAs/InAsSbP -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- подложки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электролюминесцетные характеристики -- светоизлучающие кристаллы -- чипы -- эпитаксиальные слои -- спектральные характеристики -- инжекция -- квантовая характеристика -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- квантовый выход -- длина волны -- мощные светодиоды -- светоизлучающие структуры -- оптическая мощность -- квазинепрерывный режим Аннотация: Исследованы два типа конструкций светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках p- и n-InAs. Изучены вольт-амперные и электролюминесцетные характеристики созданных светодиодов. Показано, что конструкция светодиода со светоизлучающим кристаллом (чипом), смонтированным эпитаксиальным слоем к корпусу прибора и выводом излучения через подложку n-InAs, обеспечивает лучший отвод тепла и, как следствие, устойчивость спектральных характеристик при увеличении тока инжекции и более высокую квантовую эффективность излучательной рекомбинации. Внутренний квантовый выход светоизлучающих структур с длиной волны lambda=3. 3-3. 4 мкм достигал величины 22. 3%. Оптическая мощность излучения светодиодов в квазинепрерывном режиме составляла 140 мкВт при токе 1 А, а в импульсном режиме достигала значения 5. 5 мВт при токе 9 А. Доп.точки доступа: Астахова, А. П.; Головин, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Калинина, К. В.; Кижаев, С. С.; Серебренникова, О. Ю.; Стоянов, Н. Д.; Horvath, Zs. J; Яковлев, Ю. П. |
Крутоголов, Ю. К. Механизм компенсации донорной примеси в приповерхностном слое GaP при термообработке в парах фосфора [Текст] / Ю. К. Крутоголов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 782-789. : ил. - Библиогр.: с. 789 (30 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вторичная ионная масс-спектрометрия -- ВИМС -- вольт-фарадные измерения -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- газофазная эпитаксия -- метод газофазной эпитаксии -- донорные примеси -- термообработка -- термическая обработка -- пары фосфора -- электронные ловушки -- давление паров -- приповехностные слои -- GaP -- межузельный фосфор Аннотация: С помощью вторичной ионной масс-спектрометрии и вольт-фарадных измерений изучен механизм образования приповерхностного слоя с низкой концентрацией нескомпенсированных доноров в GaP n-типа проводимости, выращенном методом газофазной эпитаксии и подвергнутом термообработке при различном давлении паров фосфора. Зависимость толщины указанного слоя от давления паров фосфора имеет минимум при давлении (1. 5±0. 5) x10{3} Па. Показано, что при давлениях паров выше указанного подходящим кандидатом на роль компенсирующего акцептора является межузельный фосфор, образующий глубокую электронную ловушку. При низких давлениях вероятным компенсирующим центром является вакансия фосфора, создающая глубокий уровень с энергией E[c]- (0. 21±0. 01) эВ. При 700{o}C эффективный коэффициент диффузии межузельного фосфора составляет ~ (3±1) x10{-15} см{2}/с, а вакансии фосфора ~ (3±1) x10{-14} см{2}/с. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей [Текст] / С. О. Усов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 981-985. : ил. - Библиогр.: с. 985 (12 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): распределение брегговских отражателей -- РБО -- брегговские отражатели -- структурные свойства -- оптические свойства -- InAlN/GaN -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- МО -- сапфировые подложки -- подложки -- эпитаксиальные слои Аннотация: Проведено исследование структурных и оптических свойств InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на сапфировых подложках. Исследовано влияние режимов роста и толщин слоев InAlN на структурные свойства распределенных брегговских отражателей. Показано, что оптимизация режимов эпитаксиального роста позволяет создавать InAlN/GaN распределенные брегговские отражатели с коэффициентом отражения более 99% и максимумом отражения в диапазоне длин волн 460-610 нм. Доп.точки доступа: Усов, С. О.; Заварин, Е. Е.; Цацульников, А. Ф.; Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Николаев, А. Е.; Синицын, М. А.; Крыжановская, Н. В.; Трошков, С. И.; Леденцов, Н. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Получение слоев нитрида галлия с пониженной плотностью дислокаций [Текст] / В. В. Мамаев [и др.] // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 4 (158). - С. 28-31 : ил. - Библиогр.: с. 31 (6 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полевые транзисторы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- гетероструктуры -- нитрид галлия -- плотность дислокаций -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- атомно-силовая микроскопия -- СВЧ-транзисторы -- многослойные гетероструктуры Аннотация: Цель работы - выращивание кристаллически совершенных слоев нитрида галлия с пониженной плотностью дислокаций и высокой подвижностью электронов методом молекулярно-лучевой эпитаксии на инородных подложках с использованием аммиака в качестве источника активного азота, а также в снижении стоимости гетероструктур для изготовления сверхвысокочастотных полевых транзисторов.Purpose is to grow perfect crystal gallium nitride layers with low dislocation density and high electron mobility by molecular beam epitaxy on foreign substrates using ammonia as a source of active nitrogen, and also to reduce the cost of manufacturing of microwave heterostructure field effect transistors. Доп.точки доступа: Мамаев, Виктор Викторович; Сидоров, Валерий Георгиевич (1939-); Петров, Станислав Игоревич; Алексеев, Алексей Николаевич Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |