Цыпленков, В. В. Влияние одноосной деформации на релаксацию возбужденных состояний мелких доноров в кремнии при взаимодействии с междолинными фононами [Текст] / В. В. Цыпленков, К. А. Ковалевский, В. Н. Шастин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1450-1455 : ил. - Библиогр.: с. 1455 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фононы -- междолинные фононы -- рассеяние -- междолинное рассеяние -- доноры (физика) -- фосфор -- сурьма -- мышьяк -- деформация -- одноосная деформация -- релаксация (физика) -- электрон-фононное взаимодействие -- кремний -- анизотропия -- электроны -- возбуждение -- оптическое возбуждение -- состояния -- возбужденные состояния -- рабочие состояния -- время жизни состояний Аннотация: Проведены расчеты скорости междолинного рассеяния возбужденных состояний 2[p±], 2[p0] и 1[s] доноров V группы (фосфор, сурьма, мышьяк) в кремнии при электрон-фононном взаимодействии. При этом учитывалась анизотропия эффективной массы и вырождение состояний электронов, связанное с шестью долинами зоны проводимости. Определена степень влияния сдвига энергии основного состояния из-за потенциала центральной ячейки на процесс релаксации различных доноров. Особое внимание уделено зависимости темпа релаксации от деформации сжатия кремния в кристаллографическом направлении [100]. Установлено, что такая деформация может значительно увеличить времена жизни рабочих состояний в лазере на внутрицентровых переходах доноров в кремнии при их оптическом возбуждении, повышая квантовую эффективность и коэффициент усиления такой активной среды. Доп.точки доступа: Ковалевский, К. А.; Шастин, В. Н. |
Междолинное рассеяние электронов на локализованных и интерфейсных фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n(001) [Текст] / С. Н. Гриняев [и др.] // Вестник Томского государственного педагогического университета. - 2012. - № 7 (122). - С. 62-69 : ил., рис. - Библиогр.: с. 68 (10 назв.). - полный текст статьи см. на сайте Научной электронной библиотеки http://elibrary.ru . - ISSN 1609-624X
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые сверхрешетки -- электрон-фононное взаимодействие -- междолинное рассеяние -- размерное квантование -- электроны -- фононы Аннотация: На основе метода псевдопотенциала и феноменологической модели связи исследованы междолинные переходы в зоне проводимости сверхрешеток (GaAs) m (AlAs) n (001), вызванные интерфейсными и запертыми в слоях оптическими колебаниями атомов. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н. (доктор физико-математических наук; доцент); Никитина, Л. Н. (кандидат физико-математических наук; ассистент); Новикова, О. Л.; Тютерев, В. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |