Коплак, О. В. Магнитомеханический эффект в приповерхностных слоях кремния Cz-Si [Текст] / О. В. Коплак, А. И. Дмитриев, Р. Б. Моргунов // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 7. - С. 1350-1355. - Библиогр.: с. 1355 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнитохимический эффект -- приповерхностные слои -- кремний -- метод Чохральского -- Чохральского метод Аннотация: Обнаружено изменение механических свойств приповерхностных слоев кристаллов кремния, выращенных методом Чохральского Cz-n-Si (111), под действием постоянного магнитного поля (B~ 0. 1 Т). Магнитостимулированное изменение микротвердости, модуля Юнга, коэффициента пластичности кристаллов кремния коррелирует с изменением параметра кристаллической решетки и внутренних напряжений. Главную роль в магнитомеханическом эффекте играет рост оксидной пленки под действием магнитного поля за счет уменьшения концентрации кислородных комплексов в приповерхностных слоях образца. В микроструктурированном кремнии, где поверхность значительно более развита, магнитное поле вызывает более глубокие изменения внутренних напряжений, чем в монокристаллах. Доп.точки доступа: Дмитриев, А. И.; Моргунов, Р. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |