Аномальное спиновое расщепление электронов в квантовых точках II типа InSb в матрице InAs [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 662-666
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спиновое расщепление -- аномальное спиновое расщепление -- магнитооптические исследования -- магнитофотолюминесценция -- молекулярно-пучковая эпитаксия Аннотация: Проведены магнитооптические исследования гетероструктур с квантовыми точками II типа InSb в матрице InAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено необычное поведение магнитофотолюминесценции из квантовых точек, измеренной в геометрии Фарадея, в образцах с множественными плоскостями квантовых точек. В частности, пик с сигма\{-\}-поляризацией, отвечающей оптическим переходам электронов с s=+1/2, имеет большую энергию, чем сигма\{+\}-пик, соответствующий s=-1/2, что противоречит отрицательной величине электронного g-фактора как в матрице InAs, так и в квантовой точке InSb. Эффект объясняется соревнованием двух каналов излучательной рекомбинации, различающихся начальными состояниями электронов, принадлежащих либо квантовым точкам InSb, либо мелким донорам в матрице InAs. Доп.точки доступа: Терентьев, Я. В.; Люблинская, О. Г.; Торопов, А. А.; Мельцер, Б. Я.; Семенов, А. Н.; Соловьев, В. А.; Иванов, С. В. |