Ферромагнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках Pb[1-x-y]Ge[x]Cr[y]Te [Текст] / Е. П. Скипетров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 316-323
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнитные полупроводники -- ферромагнетизм -- парамагнитные центры -- германий -- хром Аннотация: Исследованы магнитные свойства твердых растворов Pb[1-x-y]Ge[x]Cr[y]Te (x=0. 02-0. 20, y=0. 01-0. 08). Обнаружено, что магнитная восприимчивость сплавов состоит из двух вкладов: парамагнитного кюри-вейссовского (область температур T меньше 50 K), связанного, по-видимому, с парамагнетизмом ионов Cr\{3+\}, и высокотемпературного ферромагнитного (T меньше 300 K). По величинам парамагнитного и ферромагнитного вкладов получены зависимости концентраций магнитных центров от состава матрицы. Показано, что уменьшение концентрации парамагнитных центров может быть, по крайней мере качественно, объяснено перестройкой электронной структуры при увеличении концентрации германия. Предложена феноменологическая модель, объясняющая характер изменения магнитных свойств при увеличении содержания хрома, и обсуждаются возможные механизмы ферромагнитного упорядочения в исследованных сплавах. Доп.точки доступа: Скипетров, Е. П.; Михеев, М. Г.; Пакпур, Ф. А.; Скипетрова, Л. А.; Пичугин, Н. А.; Слынько, Е. И.; Слынько, В. Е. |
Разбавленные магнитные полупроводники на основе халькопиритов A\{II\}B\{IV\}C\{V\}[2] допированные Mn [Текст] / С. Ф. Маренкин [и др. ] // Инженерная физика. - 2009. - N 7. - С. 27-36
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): спинтроника -- полупроводники -- магнитные полупроводники -- магнетики -- халькопириты Аннотация: Рассмотрены модели возникновения ферромагнетизма в магнитных полупроводниках с малым содержанием магнитной смеси. Приведены результаты расчетов электронного строения и экспериментальные данные по физико-химическим свойствам халькопиритов A\{II\}B\{IV\}C\{V\}[2], допированных Mn. Доп.точки доступа: Маренкин, С. Ф.; Яржемский, В. Г.; Муравьев, Э. Н.; Федорченко, И. В.; Кочура, А. В. |
Моргунов, Р. Б. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников [Текст] / Р. Б. Моргунов, А. И. Дмитриев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 10. - С. 1873-1889. - Библиогр.: с. 1887-1889 (144 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- магнитные полупроводники -- магнетизм -- электронные спиновые резонансы -- нанотехнологии -- спинтроники -- ферромагнитные полупроводники -- тонкие пленки -- намагниченность -- нанопроволоки -- магнитосопротивление наноструктур -- легирования марганцем -- нанопроволоки элементарных полупроводников Аннотация: Обобщены исследования магнитных и электротранспортных свойств упорядоченных наноструктур магнитных полупроводников. Эта новая область лежит на пересечении нанотехнологий и фундаментальных проблем магнетизма. Обсуждены перспективы применения ферромагнитных полупроводников в спинтронике. Проведен сравнительный анализ магнитных и электротранспортных свойств нанопроволок, тонких пленок и объемных элементарных полупроводников, легированных переходными металлами. Обсуждено влияние размерных эффектов на спиновую динамику, намагниченность и магнитосопротивление наноструктур. Доп.точки доступа: Дмитриев, А. И. |
Электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с ферромагнитными инжекторами вида (A{III}, Mn) B{V} и Ni [Текст] / М. М. Прокофьева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1447-1450. : ил. - Библиогр.: с. 1450 (13 назв. )
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- электролюминесценция -- ферромагнитные инжекторы -- ферромагниты -- ФМ -- ферромагнитные металлы -- металлы -- никель -- Ni -- квантовые ямы -- спиновые светоизлучающие диоды -- ССИД -- диоды -- электролюминесцентные характеристики -- магнитные полупроводники -- InMnAs -- температурная зависимость Аннотация: Проведено сравнительное исследование электролюминесцентных характеристик светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с InGaAs/GaAs-квантовой ямой и инжекторным слоем, выполненным в виде ферромагнитного металла (Ni), полуметаллического соединения (MnSb) или магнитного полупроводника (InMnAs). Общей особенностью является гашение электролюминесценции при уменьшении толщины спейсерного слоя между квантовой ямой и магнитным инжектором. Обнаружено, что температурная зависимость электролюминесценции в диодах с Ni и MnSb обусловлена термическим выбросом носителей из квантовой ямы, а в диодах с InMnAs-температурной зависимостью концентрации носителей в магнитном полупроводнике, а также термическим выбросом носителей из квантовой ямы в области высоких температур. Доп.точки доступа: Прокофьева, М. М.; Дорохин, М. В.; Данилов, Ю. А.; Кудрин, А. В.; Вихрова, О. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Демидов, Е. С. Высокотемпературный алмазоподобный ферромагнетик на основе Si с самоорганизованным сверхрешеточным распределением примеси Mn [Текст] / Е. С. Демидов, Е. Д. Павлова, А. И. Бобров // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 11. - С. 790-793
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): магнитные полупроводники -- полупроводники -- наноразмерные пленки -- ферромагнетики -- высокотемпературные ферромагнетики -- импульсное осаждение -- лазерная плазма -- температура Кюри -- Кюри температура -- эффект Холла -- Холла эффект -- магнитооптический эффект Керра -- Керра магнитооптический эффект Аннотация: С применением высокоразрешающей локальной электронной микроскопии и дифракции исследована кристаллическая структура наноразмерных пленок разбавленного магнитного полупроводника Si: Mn с температурой Кюри приближенно равной 500 К, полученных импульсным осаждением из лазерной плазмы. Ферромагнетизм Si: Mn с высокой электрической и полной магнитной активностью Mn проявился в ферромагнитном резонансе, аномальном эффекте Холла и магнитооптическом эффекте Керра. Установлено, что неравновесная лазерная технология позволяет достичь сверхпересыщения твердого раствора Mn до 15% в положении замещения в кремнии с сохранением алмазоподобной кристаллической структуры и эпитаксиальным ростом пленок Si: Mn. При этом имеет место самоорганизованное формирование сверхрешеточной структуры. Доп.точки доступа: Павлова, Е. Д.; Бобров, А. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Bannikov, V. V. Ab initio search of novel bipolar magnetic semiconductors: layered YZnAsO doped with Fe and Mn [Text] / V. V. Bannikov, A. L. Ivanovskii // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 11. - С. 821-824
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- магнитные полупроводники -- биполярные полупроводники -- слоистые полупроводники Доп.точки доступа: Ivanovskii, A. L. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Температурное тушение внутрицентровой люминесценции ионов Mn{2+} в разбавленных магнитных полупроводниках [Текст] / В. Ф. Агекян [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 4. - С. 558-561 : граф., схема. - Библиогр.: с. 561 (9 назв.). - Доклад, представленный на XVI Международном Феофиловском симпозиуме по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): внутрицентровая люминесценция -- температурное тушение ионов -- ионы марганца -- полупроводники -- магнитные полупроводники -- разбавленные магнитные полупроводники -- спектральные составы -- интенсивности люминесценции -- эпитаксиальные слои -- квантовый выход люминесценции -- магнитные поляроны Аннотация: Исследованы температурные зависимости спектрального состава и интенсивности внутрицентровой люминесценции 3d-оболочки ионов Mn{2+} и температурная зависимость спектров возбуждения люминесценции в эпитаксиальном слое Cd[0. 2]Mn[0. 8]Te при различных уровнях оптического возбуждения. Установлено, что в кристаллах типа II[1-x]Mn[x]VI с высокой концентрацией марганца характеристики внутрицентровой люминесценции Mn{2+} зависят от эффективности миграции возбуждения по ионам марганца. В условиях миграции квантовый выход люминесценции определяется кооперативным эффектом. Доп.точки доступа: Агекян, В. Ф.; Серов, А. Ю.; Философов, Н. Г.; Штром, И. В.; Karczewski, G. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Спектроскопия потерь энергии отраженных электронов моносилицида железа [Текст] / А. С. Паршин [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 10. - С. 82-86 : рис. - Библиогр.: c. 86 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): магнитные полупроводники -- моносилицид железа -- полупроводниковый моносилицид железа -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- силициды железа -- спектроскопия потерь энергии электронов -- спектроскопия сечения рассеяния электронов -- фотоэлектронные спектры -- электроны моносилицида железа -- энергия электронов Аннотация: Исследованы рентгеновские фотоэлектронные спектры, спектры характеристических потерь и сечения неупругого рассеяния электронов моносилицида железа FeSi. Показано, что спектры сечения неупругого рассеяния электронов имеют преимущества в изучении процессов потерь энергии электронов по сравнению со спектрами потерь энергии отраженных электронов. Анализ тонкой структуры спектров сечения неупругого рассеяния электронов позволил выявить неразрешенные пики, определить их энергии, интенсивность и природу. Различия между энергиями подгоночных пиков потерь в спектрах сечения неупругого рассеяния электронов для FeSi и чистого Fe существеннее, чем химические сдвиги в рентгеновских фотоэлектронных спектрах, что отражает возможность применения тонкой структуры спектров сечения неупругого рассеяния электронов для элементного анализа. Доп.точки доступа: Паршин, А. С.; Игуменов, А. Ю.; Михлин, Ю. Л.; Пчеляков, О. П.; Жигалов, В. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Хлудков, С. С. Получение и исследование нитрида индия, обладающего ферромагнитными свойствами [Текст] / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 12. - С. 113-121 : рис. - Библиогр.: c. 120-121 (64 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Магнетизм Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): Кюри температура -- магнитные полупроводники -- магнитные свойства -- нитрид индия -- переходные металлы -- температура Кюри -- ферромагнитизм Аннотация: Представлен обзор научной литературы с 2000 г. по легированию InN примесями, придающими ему ферромагнитные свойства, и магнитным свойствам InN. По данным теоретических и экспериментальных исследований InN, легированный переходными металлами и редкоземельными элементами, обладает ферромагнитными свойствами при температуре выше комнатной и является материалом, перспективным для спинтроники. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |