Махсудов, Б. И. Моделирование температурной зависимости излучательных характеристик нанослойных инжекционных лазеров на основе симметричных гетероструктур [Текст] / Б. И. Махсудов, Х. Ш. Джураев, З. Д. Каримов // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 3. - С. 157-162 : рис., табл. - Библиогр.: c. 162 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Усилительные устройства Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- инжекционные лазеры -- квантово-размерные гетероструктуры -- квантово-размерный эффект -- локальное усиление -- модовое усиление -- нанослои -- нанослойные гетероструктуры -- наноструктуры -- оптимизация параметров гетероструктуры -- оптические волноводы -- пороговый ток -- электромагнитные волны Аннотация: Решена точная задача распространения электромагнитной волны в многослойной наноструктуре с комплексными значениями диэлектрической проницаемости. Учтён вклад в показатель преломления добавки к диэлектрической постоянной за счёт инжектированных носителей. В рамках этой задачи показано, что аномальная температурная зависимость порогового тока инжекционных лазеров на основе наногетероструктур связана с антиволноводным действием инжектированных носителей. Рассмотрена квантово-размерная гетероструктура на основе наносистем InGaAs/AsGaAs/GaAs, используемых для изготовления лазеров диапазона 0. 94-1. 14 мкм. Применяемые методики и подходы приемлемы также и для оптимизации многослойных наноструктур на основе других твёрдых растворов. В качестве оптической модели активной области инжекционных лазеров на основе наноструктур рассмотрен плоский многослойный диэлектрический волновод с комплексными значениями диэлектрической проницаемости в слоях. Показано, что для инжекционных лазеров при уменьшении толщины активной области зависимость модового усиления от локального усиления носит существенно сублинейный характер. Причиной тому является антиволноводное действие электронов. Результаты расчёта температурной зависимости порогового тока инжекционных лазеров указывают на наличие критической точки T c, при которой происходит резкое уменьшение характеристической температуры. На основании выполненных расчётов и оптимизации температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе наноструктур показано, что аномальное поведение температурной зависимости порогового тока тоже связано с ослаблением волноводных свойств их активной области. Доп.точки доступа: Джураев, Х. Ш.; Каримов, З. Д. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Махсудов, Б. И. Оптимизация температурной зависимости порогового тока гетеронанолазеров с учётом толщины и диэлектрических свойств материала волноводного нанослоя гетероструктур [Текст] / Махсудов Б. И. , Джураев Х. Ш. , Каримов З. Д. // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 9. - С. 127-131. - Библиогр.: с. 131 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): гетеронаноструктура -- инжекционные лазеры -- квантоворазмерные гетероструктуры -- локальное усиление -- модовое усиленные -- оптимизация параметров гетероструктуры -- оптические волноводы -- пороговый ток -- твёрдые растворы Аннотация: Решена точная задача распространения электромагнитной волны в многослойной гетеронаноструктуре с комплексными значениями диэлектрической проницаемости. Учтён вклад в показатель преломления добавки к диэлектрической постоянной за счёт инжектированных носителей. Рассмотрена гетероструктура на основе наносистемы, применяемой для изготовления лазеров диапазона 0. 94-1. 14 мкм. Использованные методики и подходы применимы также и для оптимизации многослойных структур на основе других твёрдых растворов и с несколькими квантовыми ямами. На основании выполненных расчётов температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе гетеронаноструктур показано, что аномальное поведение температурной зависимости порогового тока связано с ослаблением волноводных свойств их активной области. В соответствии с результатами расчётов осуществлена оптимизация параметров гетеронанотруктуры инжекционных лазеров по толщине и диэлектрических свойств материала волноводного нанослоя, позволяющая существенно ослабить температурную зависимость их излучательных характеристик. Доп.точки доступа: Джураев, Х. Ш.; Каримов, З. Д. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |