Моделирование процесса квазипластичной поверхностной обработки твердых хрупких материалов электронной техники [Текст] / Т. Б. Теплова[и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 11. - С. 20-23. . - Библиогр.: с. 23 (7 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): лейкосапфир -- микроэлектроника -- квазипластичная поверхностная обработка -- подложки -- шероховатость Аннотация: В настоящее время проявляется значительный интерес к использованию в микроэлектронике очень твердых кристаллических материалов, таких как сапфир или алмаз. Для их применения требуется высококачественная обработанная поверхность с минимальной дефектностью подповерхностного слоя. Квазипластичное послойное разрушение сверхтонких слоев в твердых материалах при их обработке было исследовано в наших экспериментах. Доп.точки доступа: Теплова, Т. Б.; Гридин, О. М.; Соловьев, В. В.; Ашкинази, Е. Е.; Ральченко, В. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Соловьев, В. В. Модель прецизионной обработки твердых хрупких кристаллических материалов с получением нанометрового рельефа поверхности [Текст] / В. В. Соловьев // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 12. - С. 10-14. . - Библиогр.: с. 14 (5 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): лейкосапфир -- микроэлектроника -- квазипластичная поверхностная обработка -- подложки -- шероховатость -- алмазы -- нанотехнологии -- алмазное шлифование Аннотация: Монокристаллы лейкосапфира благодаря своим свойствам находят широкое применение при производстве высокотехнологичных изделий в области нанотехнологий. Шероховатость поверхности подложки является важным параметром при изготовлении высокочастотных приборов. Перспективный метод квазипластичной обработки позволяет получать на этапе алмазного шлифования высококачественную поверхность. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
535.31 В 39 Ветров, В. Н. Плоская линза из лейкосапфира [Текст] / В. Н. Ветров, Б. А. Игнатенков, В. Э. Якобсон // Оптика и спектроскопия. - 2015. - Т. 118, № 2. - С. 342-345 : диагр., ил. - Библиогр.: с. 345 (9 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Геометрическая оптика. Оптические приборы Кл.слова (ненормированные): линзы -- лейкосапфир -- кристаллические диски -- пластическая деформация -- преломление света -- плоская линза Аннотация: Модификация свойств лейкосапфира путем пластической деформации кристаллического диска позволяет получить пластины с переменным углом наклона оптической оси кристалла к поверхности, являющиеся линзами для необыкновенного луча. Рассмотрены особенности преломления света в плоской линзе из модифицированного лейкосапфира. Разработан алгоритм расчета показателя преломления необыкновенного луча на поверхностях плоской линзы. Доп.точки доступа: Игнатенков, Б. А.; Якобсон, В. Э.; Научно-исследовательский технологический институт оптического материаловедения ВНЦ "ГИО им. С. И. Вавилова" (Санкт-Петербург); Научно-исследовательский технологический институт оптического материаловедения ВНЦ "ГИО им. С. И. Вавилова" (Санкт-Петербург)Научно-исследовательский технологический институт оптического материаловедения ВНЦ "ГИО им. С. И. Вавилова" (Санкт-Петербург) |
О влиянии энергии электронов на характеристики излучения Вавилова - Черенкова и импульсной катодолюминесценции [Текст] / В. Ф. Тарасенко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 7. - С. 79-88. - Библиогр.: с. 88 (34 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): Вавилова - Черенкова излучение -- алмаз -- влияние энергии электронов -- воздействие пучком электронов -- высокоэнергетические электроны -- детекторы пучков высокоэнергетических электронов -- идентификация алмазов -- излучение Вавилова - Черенкова -- импульсная катодолюминесценция -- кварц -- лейкосапфир -- облучение кристаллов -- облучение полиметилметакрилата -- пучки электронов Аннотация: Сделан обзор результатов исследований излучения Вавилова - Черенкова (ИВЧ) и импульсной катодолюминесценции при облучении различных кристаллов и полиметилметакрилата (ПММА) пучками электронов субнаносекундной и наносекундной длительности. Представлены расчеты, демонстрирующие влияние энергии электронов и показателя преломления вещества на интенсивность ИВЧ и его спектр, а также на пространственные характеристики излучения. Приведены экспериментальные результаты по наблюдению ИВЧ при энергии электронов E до 400 кэВ. Показано, что увеличение E позволяет зарегистрировать ИВЧ в алмазе, лейкосапфире и кварце КУ1 с помощью стандартного спектрометра. Установлено, что в ПММА из-за поглощения излучения в области короче 300-350 нм, а также из-за внутреннего пробоя образцов вследствие накопления в них электронов при больших плотностях тока пучка или (и) длительностях импульсов, регистрация ИВЧ затруднена, даже с помощью монохроматора и ФЭУ. Даются рекомендации по созданию датчиков пучков убегающих электронов в установках типа ТОКАМАК. Доп.точки доступа: Тарасенко, В. Ф.; Бакшт, Е. Х.; Белоплотов, Д. В.; Бураченко, А. Г.; Ерофеев, М. В.; Липатов, Е. И.; Ломаев, М. И.; Олешко, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |