Ярыкин, Н. А. Взаимодействие примеси меди с радиационными дефектами в легированном бором кремнии [Текст] / Н. А. Ярыкин, J. Weber // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1017-1020. : ил. - Библиогр.: с. 1020 (13 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): глубокие уровни -- примеси меди -- радиационные дефекты -- легирование бором -- монокристаллы кремния -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- облучение кристаллов -- облученные кристаллы -- диффузия меди -- концентрационные профили -- дивакансии -- уровни дивакансии Аннотация: Изучается спектр глубоких уровней, формирующихся в легированных бором монокристаллах кремния, выращенных методом Чохральского, в результате взаимодействия радиационных дефектов и примеси меди. Показано, что, независимо от порядка введения дефектов (как при низкотемпературной диффузии меди в предварительно облученные электронами кристаллы, так и при облучении загрязненных медью образцов), возникает один и тот же набор глубоких уровней. В дополнение к обычным радиационным дефектам в медьсодержащих кристаллах выявлены три уровня. Это уже упоминавшийся в литературе центр E[v]+0. 49 эВ, а также ранее не связываемые с медью уровень E[v]+0. 51 эВ и уровень, близкий к донорному уровню дивакансии. На основе анализа концентрационных профилей межузельная пара углерод--кислород исключена из возможных прекурсоров медьсодержащего центра E[v]+0. 49 эВ. Доп.точки доступа: Weber, J. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование свойств монокристаллического алмаза, выращенного из газовой фазы на подложках из природного алмаза [Текст] / А. А. Алтухов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 403-407. : ил. - Библиогр.: с. 407 (13 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллические алмазы -- выращивание алмазов -- алмазы -- подложки -- легирование бором -- ионная имплантация -- метод ионной имплантации -- отжиг -- ионы -- природные алмазы -- газовая фаза Аннотация: Представлены результаты исследований выращивания монокристаллических слоев алмаза с ориентацией (100) на подложках из природного алмаза типа IIa и получения полупроводникового алмаза при легировании слоев бором методом ионной имплантации. Найден оптимальный режим восстановления алмаза после имплантации путем отжига, обеспечивающий подвижность ионов, равную 1150 см{2}/ (В x с), наибольшую из получаемых в полупроводниковом алмазе с ионной имплантацией. Доп.точки доступа: Алтухов, А. А.; Вихарев, А. Л.; Горбачев, А. М.; Духновский, М. П.; Земляков, В. Е.; Зяблюк, К. Н.; Митенкин, А. В.; Мучников, А. Б.; Радищев, Д. Б.; Ратникова, А. К.; Федоров, Ю. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Khrypko, Sergey L.. Creation of porous silicon layers with the use of isopropyl alconol [Text] = Влияние изопропиленового спирта на характеристики слоев пористого кремния / S. L. Khrypko // Инженерная физика. - 2014. - № 4. - С. 44-47 : ил., схема, граф. - Библиогр.: с. 47 (12 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спирты -- изопропиловые спирты -- анодирование -- кремний -- пористый кремний -- фтористоводородная кислота -- легирование бором Аннотация: Исследовано влияние сопротивления кремния p-типа, плотности тока анодирования и времени анодирования на пористость, толщину и условия формирования пористого кремния. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Структурный беспорядок и оптические свойства конгруэнтных кристаллов ниобата лития, легированных цинком и бором [Текст] / Н. В. Сидоров [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 1. - С. 40-49 : граф., ил. - Библиогр.: с. 49 (29 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): структурный беспорядок -- оптические кристаллы -- конгруэнтные кристаллы -- ниобат лития -- легирование цинком -- легирование бором -- комбинационное рассеяние света -- фотоиндуцированное рассеяние света -- катионы -- расплавы -- кислородные октаэдры -- спектральные линии Аннотация: По концентрационной зависимости ширины и интенсивности линий спектра комбинационного рассеяния света и виду картин фотоиндуцированного рассеяния света обнаружено изменение механизма вхождения катионов Zn{2+} в структуру кристалла LiNbO[3] с увеличением концентрации цинка в расплаве, приводящее к скачкообразному анизотропному расширению кислородных октаэдров вдоль полярной оси. Доп.точки доступа: Сидоров, Н. В.; Палатников, М. Н.; Яничев, А. А.; Титов, Р. А.; Теплякова, Н. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |