Малышев, Владимир Александрович. Учет влияния шума спонтанного излучения в модели устойчивости стационарной генерации полупроводниковых инжекционных лазеров [Текст] / В. А. Малышев, Н. А. Михайлов> // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 5. - С. 18-22 : ил. - Библиогр.: с. 22 (8 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые лазеры -- спонтанные излучения -- инжекционные лазеры -- валентные зоны -- зоны проводимости -- уровни Аннотация: Найдены и проанализированы условия реализации устойчивых и неустойчивых режимов стационарной генерации инжекционных полупроводниковых лазеров с учетом влияния спонтанного излучения. Доп.точки доступа: Михайлов, Николай Александрович |
Ражев, А. М. Индукционный ультрафиолетовый азотный лазер [Текст] / А. М. Ражев, Д. С. Чуркин> // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 6. - С. 479-483
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): индукционный импульсный азотный лазер -- лазеры -- импульсный индукционный разряд Аннотация: Создан индукционный импульсный азотный лазер с длиной волны излучения 337. 1 нм и импульсной мощностью 200 кВт. Описана система возбуждения импульсного индукционного разряда цилиндрической формы в азоте. Исследованы спектральные, энергетические и временные параметры лазерного излучения. Получена энергия генерации 2. 4 мДж с длительностью импульсов 12 плюс минус 1 нс. Лазерное излучение имело форму кольца с внешним диаметром 33 мм и толщиной 1-1. 5 мм. Расходимость излучения имела величину 0. 3 мрад. Доп.точки доступа: Чуркин, Д. С. |
Алферов, Жорес Иванович (ученый-физик, лауреат Нобелевской премии). К солнечному веку [Текст] / Ж. И. Алферов ; Н. Метельская> // Экология - XXI век: наука и политика. - 2007. - Т. 7, N 6 (45). - С. 75-79
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): интервью -- ученые -- нобелевские лауреаты -- научные исследования -- физические науки -- полупроводниковые гетероструктуры -- полупроводниковые лазеры -- наукоемкие отрасли промышленности -- человеческий потенциал Аннотация: Ответы Ж. И. Алферова на вопросы корреспондента газеты "Завтра" Н. Метельской. Доп.точки доступа: Метельская, Н. \.\ |
Морозов, М. Ю. Влияние отражений волны оптической накачки на возбуждение активной области двухчастотного лазера с вертикальным внешним резонатором [Текст] / М. Ю. Морозов, Ю. А. Морозов, В. В. Попов> // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 399-404
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазеры -- вертикальный внешний резонатор -- ЛВВР -- нелинейные кристаллы -- квантовые ямы -- когерентное излучение Аннотация: Выполнен численный анализ влияния отражений волны оптической накачки на скорость генерации носителей и равномерность заселенности носителями квантовых ям двухчастотного лазера с вертикальным внешним резонатором. Для анализа была применена математическая модель активной области лазера, допускающая наличие любого количества квантовых ям и справедливая при произвольном профиле скорости оптической генерации носителей. Показано, что при оптимальном расположении блокинг-слоев в активной области двухчастотного лазера с вертикальным внешним резонатором может быть достигнута высокая однородность заселенности квантовых ям. Установлено, что отражения волны накачки существенно влияют на локальное значение скорости генерации носителей и, следовательно, на распределение возбужденных носителей в структуре лазера. Доп.точки доступа: Морозов, Ю. А.; Попов, В. В. |
Корюкин, И. В. Динамика многомодового полупроводникового лазера с оптической обратной связью [Текст] / И. В. Корюкин> // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 405-411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые лазеры -- хаотическая несущая -- низкочастотные флуктации интенсивности -- пространственные решетки инверсии -- уравнения Танга-Статца-ДеМарса -- Танга-Статца-ДеМарса уравнения Аннотация: Предложена новая модель многомодового по продольному индексу полупроводникового лазера со слабой внешней оптической обратной связью. Модель основана на обобщении известных уравнений Танга-Статца-ДеМарса, полученных из первых принципов и хорошо описывающих твердотельные лазеры, на случай полупроводникового рабочего вещества. Найдены стационарные состояния полученной модели и спектр релаксационных колебаний, исследована динамика рассматриваемого лазера в хаотическом режиме низкочастотных флуктуаций интенсивности. Установлено, что динамические свойства предлагаемой модели в значительной степени определяются диффузией носителей, управляющей взаимодействием мод в активной среде через размытие пространственных решеток инверсии. Проведено сравнение полученных результатов с предсказаниями ранее использовавшихся полуфеноменологических моделей, и найдены области применимости этих моделей. |
Aleshkin, V. Ya. Terahertz laser based on optically pumped graphene: model and feasibility of realization [Text] / V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. Ryzhii> // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89: 0370-274Х, вып. 2. - 011 . 70-74 . - ISSN 0370-274Х
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): терагерцовые лазеры -- лазеры -- графены -- оптически накачанные графены Доп.точки доступа: Dubinov, A. A.; Ryzhii, V. |
Тер-Мартиросян, А. Л. (генеральный директор ЗАО "Полупроводниковые приборы"; кандидат технических наук). Полупроводниковые приборы [Текст] / А. Л. Тер-Мартиросян> // Инновации. - 2008. - N 6. - С. 101-104 : фот.
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Экономика Экономика промышленности в целом--Россия--Санкт-Петербург Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- полупроводниковые приборы -- полупроводниковые лазеры -- лазеры -- лазерные диоды -- диоды -- лазерные излучатели -- излучатели -- медицинские изделия -- ЗАО -- закрытые акционерные общества Аннотация: О продукции ЗАО "Полупроводниковые приборы". Доп.точки доступа: ЗАО "Полупроводниковые приборы"; Полупроводниковые приборы, ЗАО; "Полупроводниковые приборы", ЗАО |
Гуреев, Д. М. К вопросу о безызлучательной рекомбинации в лазерных диодах Pb[1-х] Sn[х]Se [Текст] / Д. М. Гуреев> // Вестник Самарского государственного технического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2008. - N 1. - С. 178-179 . - ISSN 1991-8615
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- безызлучательная рекомбинация -- инжекционные лазеры -- оптическая связь -- контроль загрязнения атмосферы -- загрязнение атмосферы Аннотация: На основе анализа экспериментальных температурных зависимостей "сопротивления в нуле" для лазерных диодов выявлены каналы безызлучательной рекомбинации в интервале температур 77-250К. |
Полупроводниковые лазеры спектрального диапазона 1. 3 мкм на квантовых точках с высокой температурной стабильностью длины волны лазерной генерации (0. 2 нм/К) [Текст] / Л. Я. Карачинский [и др. ]> // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 708-713
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазеры -- полупроводниковые лазеры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- активная область -- многослойный интерференционный отражатель -- волноводы Аннотация: Созданы и исследованы лазеры спектрального диапазона 1. 3 мкм на структурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs, с активной областью на основе квантовых точек InAs. В схеме резонатора использован многослойный интерференционный отражатель, приводящий к тому, что высокий фактор оптического ограничения и низкие потери на утекание реализуются только для света, распространяющегося под определенным углом и, следовательно, имеющего строго определенную длину волны. Показано, что за счет использования такой конструкции волновода температурный сдвиг длины волны лазерной генерации составляет 0. 2 нм/K, что в 2. 5 раза меньше, чем в лазерах на квантовых точках со стандартной конструкцией волновода. Лазеры с шириной полоскового контакта W=10 мкм показали пространственно-одномодовое излучение, что подтверждает преимущества предложенной оригинальной конструкции оптического волновода. Доп.точки доступа: Карачинский, Л. Я.; Новиков, И. И.; Шерняков, Ю. М.; Гордеев, Н. Ю.; Паюсов, А. С.; Максимов, М. В.; Михрин, С. С.; Лифшиц, М. Б.; Щукин, В. А.; Копьев, П. С.; Леденцов, Н. Н.; Бимберг, Д. |
Светоизлучающая диодная линейка (ламбда=3. 7 мкм) на основе InGaAsSb [Текст] / А. Л. Закгейм [и др. ]> // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 531-536
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диодные структуры -- флип-чип линейки -- излучатели -- высокое сопротивление -- диодные лазеры Аннотация: Приведены спектральные, вольт-амперные и ватт-амперные характеристики узкозонных диодных структур p-InAsSbP/n-InGaAsSb/n\{+\}-InAs с размерами активных элементов 130x130 мкм. Проведен анализ двумерного распределения излучения образцов, выполненных в виде излучающих флип-чип линеек 1x4, включая анализ однородности излучения, и определена предельная эффективная температура, создаваемая излучателем данного типа. Доп.точки доступа: Закгейм, А. Л.; Зотова, Н. В.; Ильинская, Н. Д.; Карандашев, С. А.; Матвеев, Б. А.; Ременный, М. А.; Стусь, Н. М.; Усикова, А. А.; Черняков, А. Е. |
Мощные лазеры (lambda=808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs [Текст] / А. Ю. Андреев [и др. ]> // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 543-547
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- волноводы -- волоконные усилители -- твердотельные лазеры -- твердые растворы Аннотация: Исследованы лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов AlGaAs. Проведено сравнение параметров лазерных диодов с симметричным узким и асимметричным широким волноводами. Показано, что максимальная оптическая мощность в данных лазерных диодах ограничена катастрофической оптической деградацией зеркал SiO[2]/Si. В лазерных диодах с симметричным узким волноводом максимальная мощность составила 3 Вт, а c асимметричным широким волноводом - 6 Вт. Показано, что повысить максимальную оптическую мощность можно за счет использования барьерного слоя Si[3]N[4], который вводится между сколами лазерного диода и диэлектрическими покрытиями SiO[2]/Si. Мощность при использовании барьерного слоя Si[3]N[4] в лазерном диоде с асимметричным широким волноводом составила 8. 5 Вт. Доп.точки доступа: Андреев, А. Ю.; Зорина, С. А.; Лешко, А. Ю.; Лютецкий, А. В.; Мармалюк, А. А.; Мурашова, А. В.; Налет, Т. А.; Падалица, А. А.; Пихтин, Н. А.; Сабитов, Д. Р.; Симаков, В. А.; Слипченко, С. О.; Телегин, К. Ю.; Шамахов, В. В.; Тарасов, И. С. |
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / А. В. Алуев [и др. ]> // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 556-560
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные гетероструктуры -- диэлектрические зеркала -- резонатор Фабри-Перо -- Фабри-Перо резонатор -- лазерные диоды -- ассиметричные волноводы Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены лазерные гетероструктуры GaInAsP/GaInP/AlGaInP с узким симметричным волноводом и широким асимметричным волноводом. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 808 нм. Показано, что нанесение диэлектрических зеркал (SiO[2]/Si) на грани резонатора Фабри-Перо полупроводниковых лазеров, не содержащих алюминий, не приводит к оптической катастрофической деградации зеркал. Установлено, что максимально достижимая мощность излучения в лазерах, не содержащих алюминий, ограничена катастрофической оптической деградацией лазерной структуры. В лазерных диодах с узким симметричным волноводом достигнута максимальная оптическая мощность 5. 1 Вт, а для широких с асимметричным волноводом - 9. 9 Вт. Доп.точки доступа: Алуев, А. В.; Лешко, А. Ю.; Лютецкий, А. В.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Фетисова, Н. В.; Чельный, А. А.; Шамахов, В. В.; Симаков, В. А.; Тарасов, И. С. |
Кукушкин, В. А. Перестраиваемый безинверсный лазер дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на квантовых точках [Текст] / В. А. Кукушкин> // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 9. - С. 524-527
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): лазеры -- квантовые точки -- частота излучения лазера -- интенсивность оптической накачки -- безинверсный механизм усиления -- модифицированная трехуровневая лестничная схема -- дипольно запрещенный переход Аннотация: Предложен лазер на квантовых точках, частота генерации которого может плавно перестраиваться в пределах дальнего инфракрасного и терагерцового диапазонов в результате изменения интенсивности оптической накачки. Его работа возможна при комнатной температуре и основана на безинверсном механизме усиления в предложенной модифицированной трехуровневой "лестничной" схеме, где частота накачки равна частоте дипольно запрещенного перехода с основного на второй возбужденный уровень. |
Blinov, L. M. Lasers on cholesteric liquid crystals: mode density and lasing threshold [Text] / L. M. Blinov> // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 3. - С. 184-189
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): холестериновые жидкие кристаллы -- лазеры -- лазерный порог |
Кривохижа, С. В. (ведущий научный сотрудник). Из истории оптических исследований в физическом институте имени П. Н. Лебедева [Текст] / С. В. Кривохижа, А. В. Масалов, З. А. Чижикова> // История науки и техники. - 2009. - N 4. - С. 17-29 : фот. . - ISSN 1813-100X
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): оптические исследования -- ученые-физики -- биографии -- институты -- научные исследования -- молекулярное рассеяние света -- лазеры -- лазерная физика -- лазерные исследования -- спектроскопия -- радиоизлучения -- радиоастрономия Аннотация: История развития оптических исследований в ФИАНе. Кратко изложены научные заслуги и биографические данные ученых, работавших в ФИАНе и принимавших участие в организации лаборатории люминесценции. Доп.точки доступа: Масалов, А. В. (руководитель отделения оптики доктор физико-математических наук); Чижикова, З. А. (старший научный сотрудник); Вавилов, С. А. (ученый); Ландсберг, Г. С. (физик ; 1890-1957); Фабелинский, И. Л. (ученый ; 1911-2004); Мандельштам, С. Л. (член-корреспондент АН СССР ; 1910-1990); Собельман, И. И. (член-корреспондент РАН); Галанин, М. Д. (физик-оптик ; 1915-2008); ФИАН \оптическое отделение\; Лаборатория люминесценции |
Зуев, В. С. (доктор физико-математических наук). Из истории лазерной физики 60-х годов в КРФ ФИАН. Фотодиссоционный лазер [Текст] / В. С. Зуев> // История науки и техники. - 2009. - N 4. - С. 69-73 : рис. - Библиогр.: с. 73 (4 назв. ) . - ISSN 1813-100X
Рубрики: Физика Физическая оптика, 20 в. Кл.слова (ненормированные): квантовая радиофизика -- фотодиссоционные лазеры -- лазеры -- йодные фотодиссоционные лазеры -- лаборатории -- лазерные излучения Аннотация: Представлена история исследований 1963-1969 гг. Лаборатории квантовой радиофизики ФИАН в части, касающейся очень больших лазеров. Доп.точки доступа: ФИАН \лаборатория квантовой радиофизики\; Физический институт академии наук \лаборатория квантовой радиофизики\ |
Петров, А. Л. (руководитель). Самарский филиал ФИАН: становление, развитие и достижения [Текст] / А. Л. Петров> // История науки и техники. - 2009. - N 4. - С. 74-80 : рис. . - ISSN 1813-100X
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): институты -- лазерная физика -- спиральные пучки -- оптика спиральных пучков -- институты -- филиалы институтов -- лазерные технологии -- кислородно-йодные лазеры -- научные исследования Аннотация: Представлены сведения об этапах становления и формирования Самарского филиала ФИАН, динамично развивающегося подразделения Физического института им. П. Н. Лебедева РАН. Дан обзор основных результатов научных исследований филиала в области создания новых лазерных систем и технологий. Доп.точки доступа: Самарский филиал Физического института им. П. Н. Лебедева РАН; СФ ФИАН |
Кукушкин, В. А. Генерация терагерцевого излучения в высококачественных алмазных образцах [Текст] / В. А. Кукушкин> // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 9. - С. 1716-1721. - Библиогр.: с. 1721 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): терагерцевое излучение -- пороги генерации -- лазеры -- THz-излучения -- излучения THz -- излучения СВЧ -- СВЧ излучения Аннотация: Рассмотрен метод генерации терагерцевого излучения, основанный на создании спектрально ограниченной инверсии населенностей между подзонами легких и тяжелых дырок в валентной зоне полупроводников. Указанная инверсия достигается помещением образца в статическое магнитное поле и накачкой его переменным электрическим полем, резонансным с циклотронной частотой тяжелых дырок. В результате при достаточно малой концентрации дырок, когда обмен энергии между ними менее эффективен, чем обмен с решеткой, происходит существенный нагрев тяжелых дырок при практически неизменной функции распределения легких дырок. Низкая концентрация дырок, однако, приводит к достаточно малому коэффициенту усиления терагерцевого поля, который может превысить его потери лишь в высококачественных алмазных образцах, практически прозрачных в терагерцевом диапазоне. Важным преимуществом рассматриваемого метода генерации терагерцевого излучения по сравнению с предложенными ранее является возможность его реализации при комнатной температуре, что значительно повышает его привлекательность для практического применения, особенно в биологии и медицине. |
Манако, В. В. Аналитическое решение задачи нагрева образца движущимся лучом лазера [Текст] / В. В. Манако, В. А. Путилин> // Вестник Самарского государственного технического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2009. - N 1. - С. 206-213 . - ISSN 1991-8615
Рубрики: Физика Физическая оптика Техника Обработка материалов Кл.слова (ненормированные): лазеры -- лазерный нагрев -- интегралы -- движущиеся лучи лазеров -- обработка поверхностей -- термическая обработка -- специальные функции -- упрочнение деталей машин -- термообработка неподвижным лучом лазера -- легирование деталей машин -- лазерная обработка материалов Аннотация: Рассмотрено известное решение задачи нагрева полубесконечного образца движущимся лучом лазера в виде интеграла. Приведено его вычисление в аналитическом виде в терминах некоторых специальных функций. Доп.точки доступа: Путилин, В. А. |
Шилов, И. В. (кандидат технических наук). Математическое моделирование процесса возникновения эффекта самоконцентрации лазерного излучения в парогазовом канале [Текст] / Шилов И. В., Чащин Е. А.> // Вестник Ивановского государственного энергетического университета. - 2009. - Вып. 4. - С. 41-44 : ил. - Библиогр.: с. 44 (9 назв. ). - Примеч.: с. 44 . - ISSN 2072-2672
Рубрики: Техника Обработка материалов Кл.слова (ненормированные): сварка -- импульсное лазерное излучение -- парогазовые каналы -- алюминиевые сплавы -- парциальные лазеры -- математическое моделирование формирования каналов Аннотация: Предлагается математическая модель формирования канала проплавления при воздействии комбинированного лазерного излучения. Получены распределения поглощенной мощности лазерного излучения в канале, коррелирующие с известными результатами, а также распределение поглощенной интенсивности, не вызывающее возникновения дефектов роста канала. Доп.точки доступа: Чащин, Е. А. (кандидат технических наук) |