Бородовский, П. А. Аномальная релаксация фотопроводимости в кремнии при высоких уровнях инжекции [Текст] / П. А. Бородовский, А. Ф. Булдыгин, С. В. Голод // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 329-311
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): неравновесные носители -- кремний -- лазерные диоды -- импульсный свет -- инжекция -- релаксация фотопроводимости -- экситоны Аннотация: Исследуется аномальный эффект релаксации неравновесных носителей заряда в образцах кремния при их возбуждении импульсным светом лазерного диода (1060 нм / 500 мВт). Эксперименты проводились при высоких уровнях инжекции как с использованием СВЧ-измерений проводимости, так и обычной методики измерения релаксации фотопроводимости. Необычное явление наблюдалось в начальной области релаксации фотопроводимости после окончания импульса света. Предлагается упрощенная модель для объяснения аномального эффекта, включающая экситоны при высоких уровнях возбуждения. Доп.точки доступа: Булдыгин, А. Ф.; Голод, С. В. |
Тер-Мартиросян, А. Л. (генеральный директор ЗАО "Полупроводниковые приборы"; кандидат технических наук). Полупроводниковые приборы [Текст] / А. Л. Тер-Мартиросян // Инновации. - 2008. - N 6. - С. 101-104 : фот.
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Экономика Экономика промышленности в целом--Россия--Санкт-Петербург Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- полупроводниковые приборы -- полупроводниковые лазеры -- лазеры -- лазерные диоды -- диоды -- лазерные излучатели -- излучатели -- медицинские изделия -- ЗАО -- закрытые акционерные общества Аннотация: О продукции ЗАО "Полупроводниковые приборы". Доп.точки доступа: ЗАО "Полупроводниковые приборы"; Полупроводниковые приборы, ЗАО; "Полупроводниковые приборы", ЗАО |
Гуреев, Д. М. К вопросу о безызлучательной рекомбинации в лазерных диодах Pb[1-х] Sn[х]Se [Текст] / Д. М. Гуреев // Вестник Самарского государственного технического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2008. - N 1. - С. 178-179 . - ISSN 1991-8615
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- безызлучательная рекомбинация -- инжекционные лазеры -- оптическая связь -- контроль загрязнения атмосферы -- загрязнение атмосферы Аннотация: На основе анализа экспериментальных температурных зависимостей "сопротивления в нуле" для лазерных диодов выявлены каналы безызлучательной рекомбинации в интервале температур 77-250К. |
Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием [Текст] / О. А. Новодворский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 439-444
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерное осаждение -- монокристаллические подложки -- примеси галлия -- рентгеноструктурные исследования -- широкозонные полупроводники -- лазерные диоды Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках сапфира (0001) получены пленки ZnO n-типа проводимости, легированные галлием до 2. 5 ат%. Определены зависимости пропускания пленок ZnO в спектральном диапазоне от 200 до 3200 нм от концентрации примеси галлия. Установлено, что увеличение концентрации примеси галлия смещает границу фундаментальной полосы поглощения в синюю область, но снижает прозрачность пленок ZnO в инфракрасной области спектра. Определена зависимость ширины запрещенной зоны ZnO от уровня легирования галлием. Получены спектры фотолюминесценции пленок ZnO с различным уровнем легирования. Установлена немонотонная зависимость интенсивности и положения максимума фотолюминесценции от уровня легирования. Проведены рентгеноструктурные исследования пленок. Установлена зависимость кристаллографических параметров (постоянной решетки c) пленки ZnO от концентрации примеси галлия и условий процесса напыления. Доп.точки доступа: Новодворский, О. А.; Горбатенко, Л. С.; Панченко, В. Я.; Храмова, О. Д.; Черебыло, Е. А.; Венцель, К.; Барта, Й. В.; Бублик, В. Т.; Щербачев, К. Д. |
Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP [Текст] / В. В. Кабанов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 522-526
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- фононы -- дисковые гетеролазеры -- жидкофазная эпитаксия -- шаровые резонаторы Аннотация: Для дисковых лазеров на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP (длина волны генерации 3. 03-3. 06 мкм) определены значения внутреннего квантового выхода люминесценции, а также скоростей излучательной и безызлучательной рекомбинации в интервале температур 85-120 K. Установлено, что с ростом температуры относительный вклад скорости безызлучательной рекомбинации в величину плотности порогового тока возрастает с 89. 9 до 92. 8%. Показано, что наиболее вероятными механизмами безызлучательных переходов в дисковых гетеролазерах InAs/InAsSbP могут выступать оже-процессы CHCC и CHSH с участием фононов. Определены коэффициенты полных потерь для двух наблюдаемых на опыте полос генерации, и оценен максимальный уровень внутренних оптических потерь. Добротность резонатора дискового гетеролазера InAs/InAsSbP составляет величину ~10\{4\}. Доп.точки доступа: Кабанов, В. В.; Лебедок, Е. В.; Рябцев, А. Г.; Рябцев, Г. И.; Щемелев, М. А.; Шерстнев, В. В.; Астахова, А. П.; Яковлев, Ю. П. |
Мощные лазеры (lambda=808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs [Текст] / А. Ю. Андреев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 543-547
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- волноводы -- волоконные усилители -- твердотельные лазеры -- твердые растворы Аннотация: Исследованы лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов AlGaAs. Проведено сравнение параметров лазерных диодов с симметричным узким и асимметричным широким волноводами. Показано, что максимальная оптическая мощность в данных лазерных диодах ограничена катастрофической оптической деградацией зеркал SiO[2]/Si. В лазерных диодах с симметричным узким волноводом максимальная мощность составила 3 Вт, а c асимметричным широким волноводом - 6 Вт. Показано, что повысить максимальную оптическую мощность можно за счет использования барьерного слоя Si[3]N[4], который вводится между сколами лазерного диода и диэлектрическими покрытиями SiO[2]/Si. Мощность при использовании барьерного слоя Si[3]N[4] в лазерном диоде с асимметричным широким волноводом составила 8. 5 Вт. Доп.точки доступа: Андреев, А. Ю.; Зорина, С. А.; Лешко, А. Ю.; Лютецкий, А. В.; Мармалюк, А. А.; Мурашова, А. В.; Налет, Т. А.; Падалица, А. А.; Пихтин, Н. А.; Сабитов, Д. Р.; Симаков, В. А.; Слипченко, С. О.; Телегин, К. Ю.; Шамахов, В. В.; Тарасов, И. С. |
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / А. В. Алуев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 556-560
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные гетероструктуры -- диэлектрические зеркала -- резонатор Фабри-Перо -- Фабри-Перо резонатор -- лазерные диоды -- ассиметричные волноводы Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены лазерные гетероструктуры GaInAsP/GaInP/AlGaInP с узким симметричным волноводом и широким асимметричным волноводом. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 808 нм. Показано, что нанесение диэлектрических зеркал (SiO[2]/Si) на грани резонатора Фабри-Перо полупроводниковых лазеров, не содержащих алюминий, не приводит к оптической катастрофической деградации зеркал. Установлено, что максимально достижимая мощность излучения в лазерах, не содержащих алюминий, ограничена катастрофической оптической деградацией лазерной структуры. В лазерных диодах с узким симметричным волноводом достигнута максимальная оптическая мощность 5. 1 Вт, а для широких с асимметричным волноводом - 9. 9 Вт. Доп.точки доступа: Алуев, А. В.; Лешко, А. Ю.; Лютецкий, А. В.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Фетисова, Н. В.; Чельный, А. А.; Шамахов, В. В.; Симаков, В. А.; Тарасов, И. С. |
Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора [Текст] / А. Н. Петрунов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 817-821. : ил. - Библиогр.: с. 820-821 (17 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- гетероструктуры -- асимметричные гетероструктуры -- волноводы -- сверхтолстые волноводы -- твердые растворы -- AlGaAs/GaAs -- лазерные диоды -- полупроводниковые лазеры -- импульсные лазеры -- лазеры -- резонатор Фабри - Перо -- Фабри - Перо резонатор Аннотация: Разработаны и созданы методом МОС-гидридной эпитаксии асимметричные гетероструктуры со сверхтолстым волноводом на основе системы твердых растворов AlGaAs/GaAs, позволяющие получать излучение на длине волны 905 нм. Внутренние оптические потери и внутренний квантовый выход полупроводниковых лазеров, изготовленных на основе таких структур, составили 0. 7 см{-1} и 97% соответственно. Показано, что в импульсном режиме для лазерных диодов с просветляющими, SiO[2], и отражающими, Si/SiO[2], покрытиями, нанесенными на необработанные грани резонатора Фабри-Перо, полученные сколом в атмосфере кислорода, максимальная выходная оптическая мощность достигала 67 Вт и ограничивалась разрушением зеркал. Обработка граней резонатора Фабри-Перо путем травления в плазме аргона и формирование покрытий с пассивирующими и блокирующими кислород слоями GaN, Si[3]N[4] позволили увеличить максимальную выходную оптическую мощность до 120 Вт. При достигнутом уровне выходной оптической мощности разрушение зеркал отсутствовало. Доп.точки доступа: Петрунов, А. Н.; Подоскин, А. А.; Шашкин, И. С.; Слипченко, С. О.; Пихтин, Н. А.; Налет, Т. А.; Фетисова, Н. В.; Вавилова, Л. С.; Лютецкий, А. В.; Алексеев, П. А.; Титков, А. Н.; Тарасов, И. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs [Текст] / Д. А. Винокуров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1640-1644. : ил. - Библиогр.: с. 1643 (14 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры -- МОС-гидридная эпитаксия -- подложки GaAs -- GaAs -- лазерные гетероструктуры -- мезаполосковые диоды -- лазерные диоды -- длины волн -- лазеры -- гетероструктуры -- мощность излучения -- непрерывные режимы -- режимы генерации -- AlGaAs -- гидридная эпитаксия Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs выращены лазерные гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 1190 нм. Показано, что в данных лазерах активная область является релаксированной, что проявляется в разбросе достигаемой максимальной мощности для различных лазеров, полученных из одной гетероструктуры. Максимальная мощность излучения в непрерывном режиме генерации для таких лазеров составила 5. 5 Вт на зеркало. Доп.точки доступа: Винокуров, Д. А.; Николаев, Д. Н.; Пихтин, Н. А.; Станкевич, А. Л.; Шамахов, В. В.; Растегаева, М. Г.; Рожков, А. В.; Тарасов, И. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электрооптическое управление немонохроматическим светом в системе из двух анизотропных кристаллов [Текст] / П. С. Гончарова [и др.] // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 1 (141). - С. 82-85 : ил. - Библиогр.: с. 85 (7 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): модуляция -- электрооптические модуляторы -- электрооптическое управление -- немонохроматический свет -- анизотропные кристаллы -- лазеры -- лазерные диоды Аннотация: Приведены спектральные характеристики излучения, проходящего через оптическую систему, состоящую из двух анизотропных кристаллов и трех поляризаторов. Показано, что излучение в такой системе промодулировано по спектру (имеет чередующиеся по длине волны максимумы и минимумы). Доп.точки доступа: Гончарова, Полина Сергеевна; Криштоп, Виктор Владимирович; Сюй, Александр Вячеславович; Толстов, Евгений Викторович; Пикуль, Ольга Юрьевна Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Акасаки, И. (Исаму). Увлекательные приключения в поисках синего цвета [Текст] / И. Акасаки ; пер. с англ. А. Л. Чехова // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 5. - С. 504-517 : 20 рис. - Библиогр.: с. 516-517 (67 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лауреаты Нобелевской премии -- нобелевские лекции -- изобретения -- исследования -- белый свет -- источники света -- светодиоды -- синие светодиоды -- ультрафиолетовые светодиоды -- лазерные диоды -- монокристаллы -- полупроводниковые монокристаллы -- нитриды -- нитрид галлия -- GaN Аннотация: Создание высококачественных полупроводниковых монокристаллов нитрида галлия (GaN) и соответствующих соединений. История синих светодиодов и разработка лазерных диодов на основе нитридов, которые позволили создать яркие и энергоэффективные белые источники света. Доп.точки доступа: Чехов, А. Л. \.\ Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Метод анализа диаграммы направленности излучения лазерного диода, работающего на фундаментальной моде [Текст] / В. В. Близнюк [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 1. - С. 6-9. - Библиогр.: c. 9 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- метрология лазерного излучения -- фундаментальные моды Аннотация: Рассмотрен метод и приведен алгоритм определения режима генерации лазерного диода на фундаментальной моде, основанные на натурных измерениях угла расходимости излучения в дальней зоне поля и представлении функции, описывающей диаграмму направленности такого излучения в явной форме без измерений распределения его интенсивности в ближней зоне поля. Доп.точки доступа: Близнюк, В. В.; Березовская, Н. В.; Брит, М. А.; Коваль, О. И.; Паршин, В. А.; Ржанов, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Определение показателя преломления волновода лазерного диода с использованием диаграммы направленности его излучения [Текст] / В. В. Близнюк [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 1. - С. 12-14. - Библиогр.: c. 14 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Радиоэлектроника Импульсные устройства Кл.слова (ненормированные): волноводы -- Гюйгенса угловой фактор -- лазерные диоды -- полупроводниковые лазеры -- угловой фактор Гюйгенса Аннотация: Показано, что для нахождения трансверсального профиля показателя преломления волновода полупроводникового лазера достаточно знать угол расходимости излучения прибора и два значения функции, описывающей диаграмму направленности. Представлена методика расчетов и обсуждение ее применения для диагностики деградации лазерных диодов. Доп.точки доступа: Близнюк, В. В.; Коваль, О. И.; Паршин, В. А.; Ржанов, А. Г.; Тарасов, А. Е. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Оценка времени наработки поперечно-одномодовых лазерных диодов по их спектральным характеристикам [Текст] / В. В. Близнюк [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 11. - С. 1504-1507. - Библиогр.: c. 1507 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- методика прогнозирования срока службы диодов -- поперечно-одномодовые торцевые диоды -- спектры излучения Аннотация: В настоящей работе предлагается методика прогнозирования срока службы поперечно-одномодовых торцевых лазерных диодов, основанная на анализе формфактора огибающей его спектра излучения в начальной стадии работы. Доп.точки доступа: Близнюк, В. В.; Паршин, В. А.; Коваль, О. И.; Ржанов, А. Г.; Семенова, О. И.; Тарасов, А. Е. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ржанов, А. Г. Когерентность излучения в моделях мощных лазерных диодов [Текст] / А. Г. Ржанов // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 11. - С. 1508-1511. - Библиогр.: c. 1511 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): когерентность излучения -- лазерные диоды -- моделирование -- модель пространственно-временного распределения оптического поля Аннотация: Обсуждается возможность моделирования процессов в мощных полупроводниковых лазерах с широким контактом с учетом ограничений, накладываемых малой (около 5 см) длиной когерентности излучения этих приборов. Рассматривается вопрос определения числа каналов генерации для создания адекватной модели пространственно-временного распределения оптического поля. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |