Гайдуков, Геннадий Николаевич. Влияние упругих напряжений на внедрение одиночных атомов в системе квантовых точек [Текст] / Г. Н. Гайдуков, Н. Н. Жаринова // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 3 (77). - С. 81-83 : граф. - Библиогр.: с. 82-83 (6 назв. ) . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- кремниевые структуры -- квантовые точки -- квантовые компьютеры -- упругие напряжения -- атомная диффузия -- примесные атомы -- кулоновская блокада Аннотация: Работы по реализации твердотельных квантовых компьютеров ведутся по разным направлениям. Один из практически реализованных подходов основан на использовании в качестве кубитов состояния ядерных спинов донорных атомов фосфора, которые внедряются в приповерхностный слой кремниевой структуры. Доп.точки доступа: Жаринова, Наталья Николаевна |
Ioselevich, A. S. Percolation with excluded small clusters and Coulomb blockade in a granular system [Text] / A. S. Ioselevich, D. S. Lyubshin // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 10. - С. 746-752
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): кулоновская блокада -- кластеры -- конечные кластеры -- порог просачивания -- проводящие зерна Доп.точки доступа: Lyubshin, D. S. |
Резонансный пробой кулоновской блокады механическими колебаниями квантовой точки [Текст] / А. Г. Погосов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 8. - С. 626-629
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): кулоновская блокада -- колебания квантовой точки -- резонансный пробой -- одноэлектронные транзисторы -- электронное туннелирование -- кондактанс транзистора Аннотация: Исследовано влияние вынужденных механических колебаний подвешенного одноэлектронного транзистора на электронное туннелирование через квантовую точку, ограниченное кулоновской блокадой. Показано, что механические колебания квантовой точки приводят к пробою кулоновской блокады, что проявляется в виде узких резонансных пиков на зависимости кондактанса транзистора от частоты возбуждения при частотах, соответствующих собственным модам механических колебаний. Обсуждается механизм наблюдаемого эффекта, предположительно связанный с колебаниями взаимных электрических емкостей между квантовой точкой и окружающими электродами. Доп.точки доступа: Погосов, А. Г.; Буданцев, М. В.; Шевырин, А. А.; Плотников, А. Е.; Бакаров, А. К.; Торопов, А. И. |
Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл) - (слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 180-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (59 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гибридные структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- ферромагнитный металл-слоистый полупроводник -- ФМ-ПП -- Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- импедансные спектры -- спиновая инжекция -- экстракция -- спиновая диффузия -- релаксация (физика) -- полупроводниковые подложки -- спин-селективные барьеры -- кулоновская блокада -- отрицательные дифференциальные емкости -- наноразмерные включения Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл-слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220-350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>10{6} Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga[2]Se[3] и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл-полупроводник", где расположены наноразмерные включения. Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Литвин, О. С. |
Гайдуков, Геннадий Николаевич. Влияние упругого взаимодействия примесных атомов на их распределение в системе двумерных квантовых точек [Текст] / Г. Н. Гайдуков, Н. Н. Жаринова // Известия вузов. Электроника. - 2010. - N 2. - С. 76-78 : рис. - Библиогр.: с. 78 (7 назв. )
Рубрики: Химия Ядерная химия Радиоэлектроника Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): упругие напряжения -- термодинамический анализ -- квантовые точки -- кулоновская блокада -- одиночный атом примеси Аннотация: Проведен термодинамический анализ эффективного введения одиночных примесных атомов в систему поверхностных (двумерных) квантовых точек с учетом кулоновской блокады и упругих напряжений. Показано существование технологически достижимой области концентраций и температур, в которой возможно контролируемое внедрение одиночных атомов фосфора в двумерные квантовые точки германия на поверхности кремния. Доп.точки доступа: Жаринова, Наталья Николаевна Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кашин, С. М. Динамическое туннелирование электронов через квантовую точку в условиях кулоновской блокады [Текст] / С. М. Кашин, А. М. Сатанин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1563-1567. : ил. - Библиогр.: с. 1567 (9 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): туннелирование электронов -- электроны -- квантовые точки -- КТ -- кулоновская блокада -- уравнение Шредингера -- Шредингера уравнение -- омические контакты -- сравнительный анализ Аннотация: Исследована динамика туннелирования электронов через квантовую точку в условиях кулоновской блокады. Численно решено нестационарное уравнение Шредингера, исследована динамика многоэлектронного волнового пакета в системе, состоящей из квантовой точки, соединенной с двумя омическими контактами. Построены зависимости прозрачности от средней энергии волнового пакета. Произведено сравнение полученных зависимостей с решениями соответствующей стационарной задачи. Доп.точки доступа: Сатанин, А. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Cotunneling effects in GaAs vertical double quantum dots [Text] / A. O. Badrutdinov [et al. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 93, вып. 4. - С. 217-220.
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- GaAs -- кулоновская блокада -- полупроводники Доп.точки доступа: Badrutdinov, A. O.; Huang, S. M.; Kono, K.; Ono, K.; Tayurskii, D. A. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Rodionov, Ya. I. Out-of-Equilibrium Admittance of Single Electron Box Under Strong Coulomb Blockade [Text] / Ya. I. Rodionov, I. S. Burmistrov // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып. 10. - С. 766-771
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): кулоновская блокада -- кулоновское взаимодействие -- адмиттанс -- проводимость -- электроны Доп.точки доступа: Burmistrov, I. S. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |