Долгушева, Е. Б.
    Молекулярно-динамическое исследование структурной стабильности нанопленок ОЦК-циркония [Текст] / Е. Б. Долгушева, В. Ю. Трубицын // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 8. - С. 1549-1558. - Библиогр.: с. 1558 (27) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-динамические исследования -- структурная стабильность -- нанопленки ОЦК-циркония -- нанопленки -- толщина пленки -- кристаллографическая ориентация
Аннотация: Методом молекулярной динамики с многочастичным потенциалом межатомного взаимодействия, полученным в рамках модели погруженного атома, проведено исследование влияния толщины пленки и температуры на фазовую стабильность ОЦК-циркония в бесконечных пленках с различной кристаллографической ориентацией. Расчеты выполнены для пленок ОЦК-циркония с низкими индексами Миллера: (001), (110), (111). Толщина пленок изменялась от 2 до 13 nm. Показано, что нанопленки (001) ОЦК-циркония толщиной до 6. 1 nm, сформированные в интервале температур от 500 до 1300 K, испытывают переориентационный переход через промежуточную метастабильную ГЦК-фазу с последующим превращением в ГПУ-структуру (ОЦК (001) -ГЦК-ОЦК' (110) -ГПУ). При температурах инициализации пленок 500 K и ниже наблюдается ОЦК-ГЦК-превращение и ГЦК-фаза остается стабильной. Для пленок (110) наблюдается существенная зависимость температуры ОЦК-ГПУ-перехода от толщины пленки до значений 5. 8 nm. В пленках (111) наблюдается аморфизация исходной ОЦК-фазы с последующим формированием ОЦК-фазы с двойниковой структурой.


Доп.точки доступа:
Трубицын, В. Ю.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Шаныгин, Виталий Яковлевич (аспирант).
    Модификация наноморфологии монокристаллов кремния (100) при СВЧ плазменной обработке различной селективностью [Текст] / В. Я. Шаныгин, Р. К. Яфаров // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2012. - № 66. - С. 184-191 : ил. - Библиогр.: с. 191 (7 назв.) . - ISSN 1999-8341
УДК
ББК 31.23
Рубрики: Энергетика
   Электротехнические материалы и изделия в целом

Кл.слова (ненормированные):
модификация -- наноморфология -- монокристаллы -- кремний -- СВЧ обработка -- плазменная обработка -- селективность -- высокоионизованная плазма -- циклотронный резонанс -- электронный резонанс -- СВЧ газовые разряды -- кристаллографическая ориентация
Аннотация: Исследованы закономерности влияния режимов высокоионизованной плазмы электронного циклотронного резонанса СВЧ газового разряда низкого давления на наноморфологию поверхности монокристаллов кремния кристаллографической ориентации.Regularities of influence of modes of high ionized plasma of an electronic cyclotron resonance of the microwave of the gas discharge of low pressure upon nanomorphology of a surface of single crystals of silicon of crystallographic orientation are investigated.


Доп.точки доступа:
Яфаров, Равиль Кяшшафович (доктор технических наук; профессор)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




   
    Анализ условий конкурентного роста в геликоиде при направленной кристаллизации никелевого жаропрочного сплава [Текст] / А. Н. Поздняков [и др.] // Материаловедение. - 2015. - № 7. - С. 13-21 . - ISSN 1684-579Х
УДК
ББК 34.23/25
Рубрики: Технология металлов
   Металловедение цветных металлов и сплавов

Кл.слова (ненормированные):
ProCAST -- геликоиды -- жаропрочные сплавы -- конкурентный рост -- кристаллографическая ориентация -- монокристаллы -- направленная кристаллизация -- никелевые жаропрочные сплавы -- никелевые сплавы -- численное моделирование
Аннотация: С помощью численного моделирования в системе ProCAST исследованы условия кристаллизации никелевого жаропрочного сплава в виде спирали в керамической форме. Показано, что в геликоиде происходит циклическая смена преимущественного направления роста, нивелирующая преимущество одного зерна перед другим, полученное вследствие начальной кристаллографической ориентации. В конкурентном росте побеждает зерно, расположенное у внутренней поверхности геликоида, поскольку оно растет по кратчайшему пути.


Доп.точки доступа:
Поздняков, А. Н.; Монастырский, В. П.; Ершов, М. Ю.; Монастырский, А. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)