Оптические свойства пленок GaN/Al[2]O[3], легированных кремнием [Текст] / Н. С. Заяц [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 617-620
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллические пленки -- широкозонные полупроводники -- газофазная эпитаксия -- запрещенная зона -- легирование пленок Аннотация: Проведены морфологические и оптические исследования пленок GaN, легированных кремнием (уровень легирования N[Si]=1. 5 х 10\{19\} см\{-3\}), выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках из сапфира, ориентированных по кристаллографической оси c. Для выращенных пленок GaN получены следующие физические параметры: энергия электронного перехода E[0], коэффициент поглощения альфа, показатель преломления n, частоты поперечных и продольных оптических колебаний решетки, характерные для кристаллических пленок GaN. Доп.точки доступа: Заяц, Н. С.; Генцарь, П. А.; Бойко, В. Г.; Литвин, О. С.; Вуйчик, Н. В.; Стронский, А. В.; Янчук, И. Б. |
Спектры фотолюминесценции внутрицентровых 4f-переходов легирующих примесей редкоземельных металлов в кристаллических пленках ZnO [Текст] / М. М. Мездрогина [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 6. - С. 1155-1163. - Библиогр.: с. 1163 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектры -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- легирующие примеси -- редкоземельные металлы -- кристаллические пленки Аннотация: Исследовано влияние отжига в среде ионизированного азота, дополнительно введенных примесей, режимов постростового отжига на спектры фотолюминесценции внутрицентровых 4f-переходов легирующих примесей редкоземельных металлов (Ce, Eu, Sm, Er, Tm, Yb) в кристаллических пленках ZnO. Пленки получены методами молекулярно-лучевого эпитаксиального роста и магнетронного распыления. По данным рентгеноструктурного анализа пленки были монокристаллическими. Показано, что отжиг в среде ионизированного азота вне зависимости от метода получения пленок ZnO приводит к существенным изменениям спектра фотолюминесценции: уменьшению интенсивности излучения, сдвигу максимума излучения в длинноволновую область спектра. Концентрация азота определялась методом ядерных реакций. Доп.точки доступа: Мездрогина, М. М.; Еременко, М. В.; Голубенко, С. М.; Разумов, С. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |