Орлов, А. М. О перераспределении дислокаций в монокристаллах кремни вблизи концентраторов напряжений [Текст] / А. М. Орлов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1039-1043. - Библиогр.: с. 1043 (8 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дислокации -- концентраторы напряжений -- кремний -- монокристаллы кремния -- скрайба -- скрайбирование Аннотация: Исследован механизм релаксации напряжений вблизи концентратора напряжений - скрайба - в монокристаллах кремния за счет размножения и перемещения дислокаций. Определены энергетические и динамические характеристики наблюдаемых процессов при различных углах ориентации концентраторов напряжений относительно направления [110]. Доп.точки доступа: Соловьев, А. А.; Явтушенко, И. О.; Скворцов, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Овидько, И. А. Зарождение нанотрещин в поликристаллическом кремнии под действием зернограничного скольжения [Текст] / И. А. Овидько, А. Г. Шейнерман // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1056-1060. - Библиогр.: с. 1060 (21 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): зернограничное проскальзывание -- зернограничное скольжение -- механизм зарождения трещин -- нанотрещины -- поликристаллический кремний -- стыки границ зерен Аннотация: Предложена теоретическая модель для описания зарождения наноскопических трещин (нанотрещин) в полукриталлическом кремнии. В рамках модели зарождение нанотрещин стимулируется зернограничным проскальзыванием, которое создает источники локальных напряжений в тройных стыках границ зерен. Релаксация таких локальных напряжений является основной движущей силой для зарождения нанотрещин вблизи тройных стыков границ зерен в поликристаллическом кремнии, в котором зернограничное проскальзывание вносит существенный вклад в пластическую деформацию в условиях циклического нагружения при комнатной температуре. В рамках модели проведен расчет критического внешнего напряжения для зарождения нанотрещин в поликристаллическом кремнии. Доп.точки доступа: Шейнерман, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Волков, Ю. В. О магнитной активации диоксида кремния [Текст] / Волков Ю. В. // Актуальные проблемы современной науки. - 2007. - N 5. - С. . 97
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): диоксид кремния -- кремний -- магнитные активации -- избыточный вес воды -- воды избыточный вес -- эксперименты -- опыты Аннотация: Эксперимент с магнитной активацией SiO2. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Варнаков, С. Н. Размерные эффекты и намагниченность многослойных пленочных наноструктур (Fe/Si) [n] [Текст] / С. Н. Варнаков [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1401-1405. - Библиогр.: с. 1405 (26 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): метод термического испарения -- многослойные пленочные наноструктуры -- монокристаллический кремний -- намагниченность -- наноструктуры -- подложки монокристаллического кремния -- слоистые наноструктуры Аннотация: Приводятся результаты исследований температурной зависимости намагниченности многослойных пленок (Fe/Si) [n] со слоями нанометровых толщин. Пленки получены методом термического испарения в сверхвысоком вакууме на подложках монокристаллического кремния Si (100) и Si (111). Обнаружена зависимость величины намагниченности и ее температурного хода в пленках (Fe/Si) [n] от толщины индивидуального слоя Fe. Показано, что эта зависимость является следствием образования химического интерфейса на границах раздела Fe-Si. Оценены характеристики интерфейса в пленках (Fe/Si) [n]. Доп.точки доступа: Bartolome, J.; Sese, J.; Овчинников, С. Г.; Комогорцев, С. В.; Паршин, А. С.; Бондаренко, Г. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние режима синтеза в неравновесной плазме СВЧ газового разряда на фундаментальные свойства наноразмерного пленочного кремния и его соединений [Текст] / Д. М. Кульбацкий [и др. ] // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2007. - N 29. - С. 121-128. - Библиогр.: с. 128 (6 назв. )
Рубрики: Химия Физическая химия. Химическая физика Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): пленочные структуры (химия) -- кремний -- пленочный кремний -- наноразмерный кремний -- гидрогенезированный кремний -- СВЧ газовые разряды -- СВЧ-плазма -- СВЧ плазмохимические осаждения Аннотация: Исследованы фундаментальные и оптоэлектронные свойства наноразмерных пленочных структур аморфного гидрогенезированного кремния и его твердых растворов различного стехиометрического состава с углеродом и азотом, полученных в неравновесной плазме СВЧ газового разряда. Доп.точки доступа: Кульбацкий, Дмитрий Михайлович (аспирант); Нефедов, Денис Владимирович (аспирант); Семенов, Сергей Иванович (студент); Яфаров, Равиль Кяшшафович (д-р техн. наук) |
Шаныгин, Виталий Яковлевич (магистрант). Механизм и качество травления кремния различных кристаллографических ориентаций в плазме СВЧ газового разряда низкого давления [Текст] / В. Я. Шаныгин, Р. К. Яфаров // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2007. - N 29. - С. 129-136. - Библиогр.: с. 136 (4 назв. )
Рубрики: Химия Аналитическая химия Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): кремний -- травление кремния -- кристаллографические ориентации (химия) -- СВЧ газовые разряды -- СВЧ-плазма -- СВЧ-установки -- установки вакуумно-плазменного травления Аннотация: Установлено различие в скорости и микроморфологии поверхности плазмохимического травления кремния различных кристаллографических ориентаций в условиях низкого рабочего давления и интенсивной низкоэнергетичной электронно-ионной бомбардировки. Рассмотрен механизм травления кремния во фторсодержащей плазме. Доп.точки доступа: Яфаров, Равиль Кяшшафович (д-р техн. наук) |
Фазовые переходы в пленках a-Si: H на стекле при воздействии мощных фемтосекундных импульсов: проявление нелинейных и нетермических эффектов [Текст] / В. А. Володин [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 2. - С. 128-131
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): пленки аморфного кремния на стекле -- кремний -- фазовые переходы -- фемтосекундные импульсы -- лазерные импульсы -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- электронная микроскопия Аннотация: Кристаллизация пленок аморфного кремния толщиной 90 нм на стекле при воздействии лазерных импульсов (длина волны 800 нм, длительность импульса 120 фс) исследовалась с применением методик спектроскопии комбинационного рассеяния света и электронной микроскопии. Коэффициент поглощения света с длиной волны 800 нм пленкой a-Si: H пробного маломощного излучения мал, но может вырасти вследствие нелинейных эффектов при мощном импульсе. Согласно оценкам, поглощенной в пленке энергии недостаточно для ее нагрева и полного расплава, но достаточно для генерации свободных носителей заряда с концентрацией порядка 10\{22\} см\{-3\}. Электронная и фононная температуры в этом случае сильно различаются, а кремний становится нестабильным. Доп.точки доступа: Володин, В. А.; Ефремов, М. Д.; Качурин, Г. А.; Черков, А. Г.; Deutschmann, M.; Baersch, N. |
Феноменологическое описание процесса диспергирования на капли тонких пленок кремния толщиной 8-60 нм на инертной поверхности Al{2}O{3} [Текст] / А. А. Буздуган [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 2. - С. 21-28. - Библиогр.: с. 27-28 (19 назв. )
Рубрики: Механика Гидромеханика Кл.слова (ненормированные): диспергирование -- тонкие пленки -- плавление -- кремний -- электронная микроскопия -- инертные поверхности -- оксиды аллюминия -- растровая микроскопия -- феноменологическое описание -- процессы -- оксиды -- алюминий -- нагревы -- вакуумы Аннотация: Исследован процесс диспергирования аморфных тонких пленок кремния толщиной 8-60нм на поверхности оксида алюминия с использованием методов растровой электронной микроскопии и измерения тока через тонкую пленку непосредственно в процессе нагрева в вакууме. Доп.точки доступа: Буздуган, Алексей Анатольевич; Гаврилов, Сергей Александрович; Громов, Дмитрий Геннадьевич; Редичев, Евгений Николаевич; Чулков, Игорь Сергеевич |
Электродинамические свойства нанопористого кремния в диапазоне от терагерцового до инфракрасного [Текст] / Е. С. Жукова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2137-2145. - Библиогр.: с. 2144-2145 (43 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость -- диэлектрический отклик -- кремниевые наноразмерные включения -- метод инфракрасной спектроскопии -- метод терагерцовой спектроскопии -- нанопористый кремний -- пористый кремний -- проводимость Аннотация: Методами терагерцовой и инфракрасной спектроскопии в диапазоне частот 7-4000 cm{-1} при комнатной температуре выполнены первые измерения спектров диэлектрического отклика (проводимости и диэлектрической проницаемости) серии образцов нанопористого кремния, приготовленных анодированием низкоомного монокристаллического кремния. Полученные спектры проанализированы в рамках теории эффективной среды с размерно-зависимой функцией диэлектрического отклика нановключений и усредненными диэлектрическими характеристиками окружающей среды. Определены геометрические и диэлектрические характеристики кремниевых наноразмерных включений. Обнаружено влияние на диэлектрические свойства включений наноразмерных эффектов - рассеяние носителей на границах кристаллитов и увеличения запрещенной зоны вследствие квантового размерного эффекта. В спектрах образцов, приготовленных с добавлением в электролит иода, на частотах 150-300 cm{-1} обнаружен резонанс, природа которого связана с наличием хемосорбированного иода на поверхности пористого кремния. Рассматриваются механизмы изменения широкодиапазонных спектров проводимости и диэлектрической проницаемости монокристаллического кремния при трансформации его структуры в нанопористую. Доп.точки доступа: Жукова, Е. С.; Прохоров, А. С.; Спектор, И. Е.; Караванский, В. А.; Мельник, Н. Н.; Горшунов, Б. П. |
Барабан, Александр Петрович. Зарядовое состояние центров люминесценции в структурах Si-SiO[2], подвергнутых последовательной имплантации ионами кремния и углерода [Текст] / А. П. Барабан, Ю. В. Петров // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 3. - С. 18-22. - Библиогр.: с. 22 (9 назв. )
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- имплантация -- ионная имплантация -- кремний -- углерод -- отжиг -- заряды -- карбид кремния Аннотация: Исследована электролюминесценция структур, подвергнутых последовательной ионной имплантации кремния и углерода, а также постимплантационному отжигу. Доп.точки доступа: Петров, Юрий Владимирович |
Рентгеновская рефлектометрия кремния, имплантированного фтором [Текст] / Н. Н. Герасименко [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 3. - С. 70-72. - Библиогр.: с. 72 (5 назв. )
Рубрики: Техника Материаловедение Химия Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): рефлектометрия -- ионная имплантация -- рентгеновская рефлектометрия -- кремний -- имплантированные слои -- фтор -- нарушенные слои -- соударения -- упругие соударения Аннотация: Рассмотрены возможности новой модификации рентгеновского рефлектометра, основанного на использовании двухволновой измерительной схемы. Доп.точки доступа: Герасименко, Николай Николаевич; Апрелов, Сергей Аркадьевич; Турьянский, Александр Георгиевич; Тарасенков, Алексей Николаевич; Калинин, Сергей Викторович; Пиршин, Игорь Владимирович |
Белов, Алексей Николаевич. Локальное травление кремния с использованием твердой маски на основе пористого оксида алюминия [Текст] / А. Н. Белов // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 1. - С. 11-14 : фото. - Библиогр.: с. 14 (4 назв. )
Рубрики: Машиностроение Станки и инструменты Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- оксиды -- алюминий -- кремний -- твердые маски -- травление Аннотация: Рассмотрены технологические особенности нанопрофилирования кремния, защищенного твердой маской на основе пористого оксида алюминия. |
Зайнабидинов, Сиражиддин. Исследование диффузии лантана в кремнии [Текст] / С. Зайнабидинов, Д. Э. Назыров // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 1. - С. 87-89 : граф. - Библиогр.: с. 89 (10 назв. )
Рубрики: Энергетика Использование электрической энергии Химия Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): кремний -- редкоземельные элементы -- диффузии -- лантан -- исследования Аннотация: Исследование диффузии редкоземельного элемента лантана в кремнии. Доп.точки доступа: Назыров, Дилшад Эргашевич |
Смирнов, Ю. М. Нанотехнология кристаллических поверхностей [Текст] / Ю. М. Смирнов, Ю. В. Кузнецова // Вестник Тверского государственного университета. - 2007. - N 6 (Физика). - С. 76-79. - Библиогр.: с. 79 (3 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): физика наноструктур -- нанотехнологии -- германий -- кремний -- кристаллизация Аннотация: Синтезированы и методами атомно-силовой микроскопии изучены некоторые наноструктуры на основе германия и кремния. Доп.точки доступа: Кузнецова, Ю. В. |
Влияние изменения концентрации доменов на магнитные свойства ферромагнетиков [Текст] / Е. Ф. Кустов [и др. ] // Инженерная физика. - 2007. - N 6. - С. 34-35
Рубрики: Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): ферромагнитные материалы -- кремний -- магнитные свойства ферромагнетиков -- концентрация доменов -- магнитная проницаемость -- коэрцитивная сила -- сплавы Аннотация: Исследованы процессы намагничивания ферромагнитных материалов с различным содержанием кремния. Установлено, что чем выше концентрация доменов и содержание кремния в сплаве, тем меньше коэрцитивная сила и выше максимальная магнитная проницаемость. Получено, что экспериментальные зависимости коэрцитивной силы и максимальной магнитной проницаемости от изменения концентрации доменов для различных сплавов, достаточно точно аппроксимируются логарифмической функцией. Доп.точки доступа: Кустов, Е. Ф.; Тимофеев, И. А.; Антонов, В. А.; Мирошниченко, А. Ю. |
Рентгеновские исследования термической и лазерной диффузии бора в кремнии [Текст] / С. В. Шилов [и др. ] // Вестник Челябинского государственного университета. - 2008. - N 25. - С. 78-81. - Библиогр. с. 81 (4 назв. ) . - ISSN 1994-2796
Рубрики: Физика--Россия, 21 в. нач. Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремний -- легирование -- деформация -- дефекты -- статфактор Аннотация: Методами дифракционного отражения и трехкристальной рентгеновской дифрактометрии исследовано изменение структуры монокристалов кремния при термической и лазерной диффузии бора. Установлены толщины легированных слоев, средние деформации, факторы аморфизации, типы дефектов, а также их плотности и размеры. Доп.точки доступа: Котов, Леонид Нафанаилович (д-р физико-математ. наук, проф., зав. каф. радиофизики и электроники Сыктывкар. гос. ун-та); Петраков, Анатолий Павлович (д-р физико-математ. наук, зав. каф. физики твердого тела Сыктывкар. гос. ун-та); Асадуллин, Фанур Фаритович (канд. физико-математ. наук, доц., зав. каф. физики Сыктывкар. лесного ин-та); Шилов, Сергей Владимирович (зав. лаб. каф. физики твердого тела Сыктывкар. гос. ун-та) |
Алехин, Анатолий Павлович. Исследование границы раздела кремний - сульфид цинка, формируемой методом атомно-слоевого осаждения [Текст] / А. П. Алехин, А. М. Маркеев // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 1 (75). - С. 87-89 . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Механика Гидромеханика и аэромеханика Кл.слова (ненормированные): кремний -- осаждения -- атомно-слоевые осаждения -- сульфид цинка -- исследования Аннотация: Экспериментально показано, что плотность быстрых поверхностных состояний, зависящая от количества некомпенсированных химических связей на поверхности полупроводника, коррелирует с размерами молекул адсорбируемого вещества, а именно растет пропорционально увеличению размеру молекул, участвующих в первых стадиях АСО. Доп.точки доступа: Маркеев, Андрей Михайлович |
Банишев, А. Ф. Формирование структур дислокаций в приповерхностном слое кремния под воздействием лазерного излучения с микроструктурированным распределением интенсивности [Текст] / А. Ф. Банишев, А. М. Павлов // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 6. - С. 11-17 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): приповерхностные слои -- кремний -- алюминий -- приповерхностные слои кремния -- лазерные излучения -- полупроводники -- дислокации -- лазерно-стимулированные диффузии -- лазерно-стимулированные диффузии алюминия -- монокристаллический кремний Аннотация: Исследованы процессы генерации и накопления дефектов в приповерхностном слое монокристаллического кремния при различных условиях и режимах лазерного воздействия. Доп.точки доступа: Павлов, А. М. |
Бородовский, П. А. Аномальная релаксация фотопроводимости в кремнии при высоких уровнях инжекции [Текст] / П. А. Бородовский, А. Ф. Булдыгин, С. В. Голод // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 329-311
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): неравновесные носители -- кремний -- лазерные диоды -- импульсный свет -- инжекция -- релаксация фотопроводимости -- экситоны Аннотация: Исследуется аномальный эффект релаксации неравновесных носителей заряда в образцах кремния при их возбуждении импульсным светом лазерного диода (1060 нм / 500 мВт). Эксперименты проводились при высоких уровнях инжекции как с использованием СВЧ-измерений проводимости, так и обычной методики измерения релаксации фотопроводимости. Необычное явление наблюдалось в начальной области релаксации фотопроводимости после окончания импульса света. Предлагается упрощенная модель для объяснения аномального эффекта, включающая экситоны при высоких уровнях возбуждения. Доп.точки доступа: Булдыгин, А. Ф.; Голод, С. В. |
Влияние параметров Ge (Si) /Si (001) самоформирующихся островков на их электролюминесценцию при комнатной температуре [Текст] / Д. Н. Лобанов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 332-336
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция многослойных структур -- отжиг структур -- излучательная рекомбинация -- кремний Аннотация: Выполнены исследования электролюминесценции многослойных p-i-n-структур с самоформирующимися Ge (Si) /Si (001) -островками. Обнаружено, что структуры с островками, выращенными при 600\{o\}C, обладают наибольшей интенсивностью сигнала электролюминесценции при комнатной температуре в области длин волн 1. 3-1. 55 мкм. Отжиг структур с Ge (Si) -островками приводит к увеличению интенсивности сигнала ЭЛ при низких температурах, но ухудшает температурную стабильность этого сигнала, что связывается с дополнительной диффузией Si в островки во время отжига. Обнаруженный существенный рост интенсивности сигнала электролюминесценции с увеличением толщины разделительного Si-слоя связывается с уменьшением упругих напряжений в структуре с увеличением толщины этого слоя. Наибольшее значение внешней квантовой эффективности ЭЛ в области длин волн 1. 3-1. 55 мкм, полученное в исследованных структурах, при комнатной температуре составило 0. 01%. Доп.точки доступа: Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Кудрявцев, К. Е.; Шенгуров, Д. В.; Дроздов, Ю. Н.; Яблонский, А. Н.; Шмагин, В. Б.; Красильник, З. Ф.; Захаров, Н. Д.; Werner, Р. |