Гайдуков, Геннадий Николаевич. Влияние упругих напряжений на внедрение одиночных атомов в системе квантовых точек [Текст] / Г. Н. Гайдуков, Н. Н. Жаринова // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 3 (77). - С. 81-83 : граф. - Библиогр.: с. 82-83 (6 назв. ) . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- кремниевые структуры -- квантовые точки -- квантовые компьютеры -- упругие напряжения -- атомная диффузия -- примесные атомы -- кулоновская блокада Аннотация: Работы по реализации твердотельных квантовых компьютеров ведутся по разным направлениям. Один из практически реализованных подходов основан на использовании в качестве кубитов состояния ядерных спинов донорных атомов фосфора, которые внедряются в приповерхностный слой кремниевой структуры. Доп.точки доступа: Жаринова, Наталья Николаевна |
Олих, О. Я. Изменение активности рекомбинационных центров в кремниевых p-n-структурах в условиях акустического нагружения [Текст] / О. Я. Олих // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 774-779 : ил. - Библиогр.: с. 779 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): p-n структуры -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- кремниевые структуры -- ультразвук -- УЗ -- акустические нагружения -- ультразвуковые нагружения Аннотация: Используя метод дифференциальных коэффициентов вольт-амперных характеристик, исследованы глубокие уровни в Cz-Si p-n-структурах в условиях ультразвукового нагружения (продольные волны частотой 4-26 МГц и интенсивностью до 0. 6 Вт/см{2}). Выявлены уровни с термической энергией активации 0. 44, 0. 40, 0. 37, 0. 48 и 0. 46 эВ. Предполагается, что эти уровни связаны с E-центром, бистабильным комплексом B[s]O[2i], а также межузельными атомами, захваченными дислокационными петлями, соответственно. Установлено, что ультразвук индуцирует увеличение вклада в рекомбинационные процессы более мелких уровней и уменьшение энергии активации дефектов. Проанализирована возможность акустоиндуцированной обратимой перестройки конфигурации комплекса B[s]O[2i]. |
Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа [Текст] / В. Б. Шмагин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1533-1538. : ил. - Библиогр.: с. 1538 (17 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- электролюминесценция -- ЭЛ -- редкоземельные ионы -- РЗ ионы -- электрические свойства -- люминесцентные свойства -- светоизлучающие структуры -- диодные структуры -- кремниевые структуры -- возбуждение ионов эрбия -- ионы эрбия -- туннельно-пролетные светодиоды -- светодиоды -- квантовая эффективность -- мощность излучения -- p-n переходы -- экспериментальные исследования Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических и люминесцентных свойств кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа, излучающих при обратном смещении в режиме пробоя p{+}/n{+}-перехода. Определены мощность, излучаемая в диапазоне lambda~1. 5 мкм (~5 мкВт), внешняя квантовая эффективность (~10{-5}) и эффективность возбуждения ионов эрбия (~2 x 10{-20} см{2}с) при комнатной температуре. Показано, что при одной и той же эффективности возбуждения туннельно-пролетные светодиоды превосходят диодные структуры типа p{+}/n-Si: Er по мощности излучения. Проведено сопоставление экспериментальных результатов с модельными представлениями о работе туннельно-пролетного светодиода. Обсуждаются факторы, ограничивающие интенсивность электролюминесценции и эффективность ударного возбуждения ионов эрбия в структурах данного типа. Доп.точки доступа: Шмагин, В. Б.; Кузнецов, В. П.; Кудрявцев, К. Е.; Оболенский, С. В.; Козлов, В. А.; Красильник, З. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Люминесцентные свойства полупроводниковых композитных систем, состоящих из молекул трифталоцианина эрбия и щелевой кремниевой структуры, в ближней ИК-области [Текст] / И. А. Белогорохов [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып. 10. - С. 746-750
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- органические полупроводники -- композитные системы -- трифталоцианин эрбия -- щелевые кремниевые структуры -- кремниевые структуры -- фотолюминесценция Аннотация: Получены спектры фотолюминесценции органических полупроводников на основе моно-, бис- и трифталоцианина, содержащих эрбий в качестве комплексообразователя, в диапазоне мкм. Сравнение спектральных характеристик показало, что трифталоцианин эрбия имеет самый высокий квантовый выход фотолюминесценции на длине волны 1. 5 мкм. Для усиления эффекта были синтезированы композитные материалы на основе трифталоцианина эрбия и щелевой кремниевой структуры, в которых наблюдался дополнительный рост сигнала фотолюминесценции в области 1, 14 мкм. В то же время, в области длин волн вблизи 1. 5 мкм сигнал фотолюминесценции отсутствовал, что можно объяснить, принимая во внимание взаимодействие молекул трифталоцианина эрбия с центрами адсорбции кремниевой матрицы. Доп.точки доступа: Белогорохов, И. А.; Мамичев, Д. А.; Пушкарев, В. Е.; Томилова, Л. Г.; Хохлов, Д. Р. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Лозовский, В. Н. (доктор физико-математических наук; профессор). Влияние профиля анодного перехода структур силовых приборов на прямое падение напряжения [Текст] = The influence of anodic transition structures of power devices for forward voltage drop / В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Б. М. Середин // Известия вузов. Электромеханика. - 2015. - № 5 (541). - С. 54-58 : 4 рис. - Библиогр.: с. 57 (10 назв. ) . - ISSN 0136-3360
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): p-n-переходы -- анодные переходы -- диффузия -- кремниевые структуры -- падение напряжения -- профили -- силовые полупроводниковые приборы -- термомиграция Аннотация: Увеличение диаметра используемых кремниевых пластин усиливает недостатки диффузионного метода получения силовых приборов. Высокая температура и большая длительность диффузионного процесса; геометрическая и концентрационная неоднородность распределения примеси; дефектность легированных слоев приводят к завышенным значениям падения напряжения при прямом токе. Показано, что кремниевые приборы, имеющие анодный переход, полученный с применением метода термомиграции, обладают меньшими значениями прямых падений напряжения по сравнению с диффузионными аналогами. Выяснено, что этот результат связан с двумя факторами. Во-первых, метод термомиграции позволяет оптимизировать толщину базового слоя прибора, во-вторых, - получать более резкое распределение легирующей примеси в области эмиттера. Доп.точки доступа: Лунин, Л. С. (доктор физико-математических наук; профессор; заведующий кафедрой); Середин, Б. М. (кандидат технических наук; доцент) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кошелев, О. Г. Бесконтактное определение скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда на p-p{+}(n-n{+})-границе кремниевых n{+}-p(n)-p{+}-структур компенсационным методом [Текст] / О. Г. Кошелев, Н. Г. Васильев // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 1. - С. 109-113. - Библиогр.: c. 112-113 (15 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): компенсационный метод -- кремниевые структуры -- поверхностная рекомбинация -- солнечные элементы -- фоточувствительность Аннотация: Для кремниевых структур n{+}-p (n) -p{+}-типа путем расчетов показана возможность определения бесконтактным методом скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда на тыльной стороне p (n) -области c известным значением их времени жизни. Метод позволяет определять контраст фоточувствительности по площади структуры при локальном ее освещении. Доп.точки доступа: Васильев, Н. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |