Структурно-фазовое состояние системы Ti-Si, обработанной компрессионными плазменными потоками [Текст] / В. В. Углов [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 6. - С. 32-36 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): плазменные потоки -- компрессионные плазменные потоки -- приповерхностные слои -- фазовые превращения -- легированные слои -- дендриты -- титановые покрытия -- кремниевые подложки -- силициды титана Аннотация: Исследованы особенности структурных изменений и закономерности фазовых превращений в приповерхностных слоях системы "титановое покрытие-кремниевая подложка" после обработки компрессионными плазменными потоками. Доп.точки доступа: Углов, В. В.; Квасов, Н. Т.; Петухов, Ю. А.; Асташинский, В. М.; Кузьмицкий, А. М. |
Углеродные нанотрубные автоэмиттеры с большой плотностью эмиссионного тока: синтез и эмиссионные характеристики [Текст] / Е. Ф. Куковицкий[и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 10. - С. 5-9. - Библиогр.: с. 9 (13 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): углеродные нанотрубки -- кремниевые подложки -- силицид кремния -- автоэмиссия Аннотация: Методом химического осаждения из пара (CVD) получены углеродные нанотрубные слои на кремниевых подложках с интерфейсным слоем из силицида никеля NiSi2. По данным рентген-дифракционного анализа, силицид образует эпитаксиальную пленку на поверхности кремния. Доп.точки доступа: Куковицкий, Е. Ф.; Шустов, В. А.; Львов, С. Г.; Осин, Ю. Н.; Мусатов, А. Л.; Израэльянц, К. Р.; Ормонт, А. Б. |
Спектры люминесценции гегсагональных форм карбида кремния в мозаичных пленках, полученных методом твердотельной эпитаксии [Текст] / М. Е. Компан [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 12. - С. 2326-2330. - Библиогр.: с. 2330 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектры люминесценции -- люминесценция -- карбид кремния -- мозаичные пленки -- метод твердотельной эпитаксии -- пленки карбида кремния -- кремниевые подложки Аннотация: Исследованы спектры люминесценции пленок карбида кремния, выращенных на кремнии методом твердотельной эпитаксии. Показано, что в зависимости от условий роста могут быть получены пленки различных политипов SiC, в том числе кубический и гексагональные политипы. Во многих случаях выращиваемые пленки являются смесью политипов, однако возможно и получение таких пленок, в которых преобладающим является материал гексагональной симметрии (в том числе возможно сосуществование двух близких по свойствам гексагональных фаз 4H и 2H). Тем самым показано, что пленки карбида кремния, выращиваемые на кремнии методом твердотельной эпитаксии, перспективны для применения в качестве демпфирующих слоев при синтезе широкозонных гексагональных полупроводников на кремниевых подложках. Доп.точки доступа: Компан, М. Е.; Аксянов, И. Г.; Кулькова, И. В.; Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Феоктистов, Н. А. |
Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев, полученных совместным распылением разнесенных в пространстве источников SiO[2] и Si [Текст] / С. Н. Шамин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 550-555 : ил. - Библиогр.: с. 555 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): рентгеновская спектроскопия -- инфракрасная спектроскопия -- ИК-спектроскопия -- композитные структуры -- Si/SiO[2] -- напыление -- подложки -- кремниевые подложки -- рентгеновские эмиссионные спектры -- инфракрасные спектры -- оксид кремния -- SiO[2] -- нанокристаллы -- кремний Аннотация: Методами ультрамягкой рентгеновской эмиссионной и инфракрасной спектроскопии исследована композитная структура Si/SiO[2], полученная напылением из источников Si и SiO[2] на кремниевую подложку. Разнесение источников на значительное расстояние (96 мм) позволило варьировать состав слоя вдоль образца в широких пределах, от почти чистого SiO[2] до Si. Рентгеновские эмиссионные L[2, 3]-спектры диагностировали в полученных слоях аморфный кремний a-Si и оксид кремния SiO[2]. Инфракрасные спектры показали в полученных слоях наличие нанокристаллов кремния. Определено изменение содержания Si/SiO[2] вдоль пластины и проведено сравнение данных, полученных упомянутыми выше методами, с результатами расчета состава слоя и измерения толщин слоев профилометром. Доп.точки доступа: Шамин, С. Н.; Галахов, В. Р.; Аксенова, В. И.; Карпов, А. Н.; Шварц, Н. Л.; Яновицкая, З. Ш.; Володин, В. А.; Антонова, И. В.; Ежевская, Т. Б.; Jedrzejewski, J.; Savir, E.; Balberg, I. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Формирование металлических пленочных электродов на нанографитной пленке для изготовления быстродействующего высокотемпературного фотоприемника [Текст] / Г. М. Михеев [и др. ] // Нанотехника. - 2010. - N 3 (23). - С. 70-73. : 5 рис. - Библиогр.: c. 73 (11 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): металлические пленочные электроды -- нанографитная пленка -- фотоприемники -- кремниевые подложки Аннотация: Показано, что изготовленный фотоприемник из нанографитной пленки может работать на воздухе. Доп.точки доступа: Михеев, Г. М.; Когай, В. Я.; Зонов, Р. Г.; Образцов, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние состава слоев SiO[x] на формирование в них светоизлучающих наноструктур Si под действием быстрых тяжелых ионов [Текст] / Г. А. Качурин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 419-424. : ил. - Библиогр.: с. 424 (25 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): слои -- облучение ионами -- светоизлучающие наноструктуры -- наноструктуры -- быстрые ионы -- кремниевые наноструктуры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- люминесценция -- кремний -- Si -- длина волны -- источники излучения -- кремниевые подложки -- ксенон -- Xe -- экспериментальные исследования Аннотация: Слои SiO[x] переменного состава с 0 < X < 2 облучали ионами Xe с энергией 167 МэВ, дозой 10{14} см{-2} для стимулирования формирования светоизлучающих кремниевых наноструктур. Облучение вызвало появление полосы фотолюминесценции, зависящей от x. С увеличением содержания Si фотолюминесценция вначале росла с максимумом вблизи длины волны lambda~600 нм, а затем максимум смещался к lambda~800 нм. Сделан вывод, что источниками излучения являются квантово-размерные нановыделения, образующиеся в результате диспропорционирования SiO[x] в треках ионов благодаря высоким ионизационным потерям. Изменения фотолюминесценции с ростом x объясняются увеличением вначале вероятности формирования нановыделений, а затем и их размеров, что приводит к длинноволновому сдвигу. Последующее гашение люминесценции обусловлено снятием квантово-размерных ограничений и коагуляцией. Доп.точки доступа: Качурин, Г. А.; Черкова, С. Г.; Марин, Д. В.; Кеслер, В. Г.; Скуратов, В. А.; Челков, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Тарнавский, Г. А. Влияние параметров имплантации на формирование доменов легирующих примесей в нанорельефе кремниевой подложки [Текст] / Г. А. Тарнавский, С. С. Чесноков // Инженерная физика. - 2011. - N 9. - С. 19-25.
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): компьютерное моделирование -- нанотехнологические процессы -- легирующие примеси -- ионная имплантация -- кремниевые подложки Аннотация: Проводится компьютерное моделирование нанотехнологического процесса легирования (методом ионной имплантации) нановыступа рельефа поверхности кремниевой подложки. Изучается влияние основных параметров процесса (типа имплантанта, энергии и угла имплантации) на положение и конфигурацию допинг-доменов фосфора, бора и мышьяка. Доп.точки доступа: Чесноков, С. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Формирование фрактальных структур микрометрового размера из наночастиц диоксида кремния [Текст] / М. В. Мишин [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Наука и образование. - 2012. - № 4 (159). - С. 105-110 : ил., схемы, граф. - Библиогр.: с. 110 (8 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фрактальные структуры -- наночастицы -- диоксид кремния -- низкотемпературная плазма -- ВЧ-разряды -- высокочастотные разряды -- атмосферное давление -- плазмохимическое осаждение -- нанопорошки -- кремниевые подложки -- фракталы -- проводимость пленок Аннотация: Представлены результаты исследования морфологии поверхности фрактальных структур, состоящих из наночастиц диоксида кремния размером 8-16 нм, синтезируемых в низкотемпературной плазме ВЧ-разряда при атмосферном давлении.Experimental investigation results of morphology of fractal structures were reported for silicon dioxide nanoparticles processed from tetraethoxysilane by atmospheric pressure PECVD. Fractal dimension parameter of bidimensionals agglomerates formed on the substrate surface from nanoparticles were varied in the range 1, 45-2. Доп.точки доступа: Мишин, Максим Валерьевич; Александров, Сергей Евгеньевич (1955-); Кретушева, Ирина Васильевна; Боричева, Ирина Константиновна Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние подслоя платины на микроструктуру и спонтанную поляризацию тонких пленок ниобата лития, нанесенных на подложку кремния [Текст] / Р. Н. Жуков [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 9. - С. 1355-1358. - Библиогр.: c. 1358 (16 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): кремниевые подложки -- платина -- пьезоэлектрический коэффициент -- сканирующая зондовая микроскопия -- тонкие пленки Аннотация: Методами сканирующей зондовой микроскопии проведено сравнение микроструктуры, величины самополяризации и локальных петель пьезоэлектрического гистерезиса тонких пленок LiNbO[3], синтезированных на кремниевых подложках с естественным слоем SiO[x] и платины. Установлено, что меньшей шероховатостью поверхности, размером зерен и в то же время большей величиной самополяризации и эффективным пьезоэлектрическим коэффициентом обладают пленки LiNbO[3], нанесенные на кремниевую подложку с подслоем платины. Доп.точки доступа: Жуков, Р. Н.; Киселев, Д. А.; Ильина, Т. С.; Темиров, А. А.; Кубасов, И. В.; Быков, А. С.; Малинкович, М. Д.; Пархоменко, Ю. Н.; Савченко, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |