Ермолаева, Алевтина Ивановна. Исследование кинетики процесса испарения водных растворов, используемых в технологиях КНИ и микросистемотехники [Текст] / А. И. Ермолаева, С. Н. Новиков // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 3 (77). - С. 12-17 : рис. - Библиогр.: с. 17 (4 назв. ) . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Химия Физическая химия поверхностных явлений Кл.слова (ненормированные): водные растворы -- чистая вода -- испарение -- температуры -- скорости испарения -- гравиметрический метод -- кремний на изоляторе -- кремниевые пластины -- химические технологии Аннотация: Цель настоящей работы - исследование процесса испарения воды и водных растворов хлоридов K, Na, Ba и Zn различной консистенции, а также попытка выяснения структуры частиц испаряемой воды. Доп.точки доступа: Новиков, Сергей Николаевич |
Овчинников, Вячеслав Алексеевич. Разработка технологии ретуширования прозрачных дефектов фотошаблонов на лазерной установке ЭМ-5001Б [Текст] / В. А. Овчинников // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 4. - С. 25-28 : рис. - Библиогр.: с. 28 (4 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): режим осаждения -- фотолитография -- литографические процессы -- интегральные микросхемы -- кремниевые пластины Аннотация: Установлена зависимость высоты осажденного материала от режимов осаждения, кратности проходов и длины осажденной линии. Определены технологические режимы процесса устранения прозрачных дефектов на фотошаблоне. |
Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания [Текст] / И. В. Грехов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1135-1139. : ил. - Библиогр.: с. 1139 (23 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные свойства -- электрические свойства -- прямое сращивание -- метод прямого сращивания -- подложки SiGe-на-изоляторе -- термически окисленные пластины -- кристаллы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- химико-техническая полировка -- термическое окисление -- кремниевые пластины Аннотация: Предложен новый способ изготовления подложек SiGe-на-изоляторе- прямое сращивание термически окисленных пластин Si с пластинами Si[1-x]Ge[x] из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Формирование слоев Si[1-x]Ge[x] толщиной не более 10 мкм в композициях SiGe/SiO[2]/Si осуществлялось химико-механической полировкой. Для увеличения содержания Ge в слое Si[1-x]Ge[x] использовалось термическое окисление. Показано, что увеличение концентрации Ge и процедура термообработок при 1250{o}C не сопровождаются ухудшением структурных и электрических характеристик слоев Si[1-x]Ge[x]. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Костина, Л. С.; Аргунова, Т. С.; Белякова, Е. И.; Рожков, А. В.; Шмидт, Н. М.; Юсупова, Ш. А.; Je, J. H. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Коробко, Евгения (доктор технических наук). Финишная обработка высокоточных изделий [Текст] / Е. Коробко, Г. Городкин // Наука и инновации. - 2011. - N 1. - С. 11-12. : 2 фот.
Рубрики: Физика Геометрическая оптика. Оптические приборы Кл.слова (ненормированные): оптоэлектронные приборы -- нанорельеф поверхности оптоприборов -- оптоэлектронные системы -- лазерные гороскопы -- магнитореологическое полирование -- кремниевые пластины -- поверхности -- полировальные жидкости -- полирование Аннотация: Развитие современных оптических и оптоэлектронных приборов. Доп.точки доступа: Городкин, Геннадий Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Антонова, И. В. Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках [Текст] / И. В. Антонова // Успехи физических наук. - 2013. - Т. 183, № 10. - С. 1115-1122 : 6 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 1122 (44 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): выращивание графена -- графен -- кремниевые пластины -- медные подложки -- монокристаллические домены -- осаждение паров Аннотация: Обсуждаются способы получения крупных монокристаллических доменов графена и их свойства, а также технологии, не требующие переноса пленки графена на диэлектрическую подложку. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
"Искусственный лист" выделяет водород [Текст] // Электроэнергетика: сегодня и завтра. - 2016. - № 3. - С. 61-62
Рубрики: Энергетика Гелиоэнергетика Кл.слова (ненормированные): солнечная энергия -- преобразование энергии -- кремниевые пластины -- сверхпроводники -- графен -- наноматериалы -- солнечный свет -- электроэнергия -- водород Аннотация: Разработка нового устройства, способного преобразовывать энергию солнечного света в электрическую энергию, выделяя водород. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Пилипенко, В. А. Влияние быстрой термической обработки на электрофизические свойства двуокиси кремния [Текст] / В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, В. А. Горушко // Инженерно-физический журнал. - 2018. - Т. 91, № 5. - С. 1408-1412 : 2 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 1412 (9 назв. ) . - ISSN 0021-0285
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Импульсные устройства Кл.слова (ненормированные): быстрая термическая обработка -- электрофизические свойства -- двуокись кремния -- нарушенный слой -- кремниевые пластины -- твердофазная рекристаллизация -- коэффициент преломления -- коэффициент поглощения Аннотация: Исследована возможность улучшения электрофизических параметров подзатворного диэлектрика, полученного в результате пирогенного окисления кремния, путем его быстрой термической обработки. Показано, что такая обработка подзатворного диэлектрика позволяет уменьшить напряжение плоских зон, заряд на границе раздела кремний-двуокись кремния и поверхностный потенциал, увеличить пробивное напряжение диэлектрика и уменьшить ток утечки в нем. Доп.точки доступа: Солодуха, В. А.; Горушко, В. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |