Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1481-1495 : ил. - Библиогр.: с. 1494 (53 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- бор -- сопротивления -- удельные сопротивления -- термоэдс -- теплоемкость -- статическая магнитная восприимчивость -- циклотронный резонанс -- ЦР -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- корреляционная энергия -- отрицательная корреляционная энергия -- акцепторы бора -- дырочные биполяроны -- высокотемпературная сверхпроводимость -- наноструктурированные delta-барьеры -- локальная туннельная спектроскопия -- ЛТС -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- оптические свойства -- электрические свойства -- сверхпроводящие свойства -- температурная зависимость -- полевая зависимость -- осцилляция -- квантование -- критическая температура -- вторичная ионная масс-спектроскопия -- ВИМС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- сверхтоки Аннотация: Сверхпроводящие свойства кремниевых сандвич-наноструктур на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором, проявляются в измерениях температурных и полевых зависимостей удельного сопротивления, термоэдс, теплоемкости и статической магнитной восприимчивости. Данные исследований циклотронного резонанса, сканирующей туннельной микроскопии и ЭПР идентифицируют наличие в наноструктурированных delta-барьерах одиночных тригональных дипольных центров бора, B{+}-B{-}, с отрицательной корреляционной энергией, которые сформированы вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, 2B{0}- B{+}+B{-}. Полученные результаты свидетельствуют о том, что эти центры с отрицательной корреляционной энергией ответственны за перенос дырочных биполяронов малого радиуса, который, по-видимому, лежит в основе механизма высокотемпературной сверхпроводимости TC=145 K. Причем значение величины сверхпроводящей щели, 0. 044 эВ, определенное с помощью измерений критической температуры при использовании вышеуказанных методик, практически идентично данным локальной туннельной спектроскопии и прямой регистрации туннельных ВАХ. Квантование характеристик сверхпроводимости кремниевых сандвич-наноструктур проявляется в температурных и полевых зависимостях теплоемкости и статической магнитной восприимчивости, которые демонстрируют осцилляции второго критического поля и критической температуры, возникающие вследствие квантования сверхтока. Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Романов, В. В. |
Квантование сверхтока и андреевское отражение в кремниевых наноструктурах [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1496-1506 : ил. - Библиогр.: с. 1505-1506 (38 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- туннельная спектроскопия -- корреляция -- туннелирование -- эффект Джозефсона -- Джозефсона эффект -- андреевское отражение -- сверхпроводящие delta-барьеры -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- когерентное туннелирование -- осцилляция -- квантование -- сверхтоки -- сверхпроводящий эффект близости -- сверхпроводник-СККЯ-сверхпроводник Аннотация: Туннельная спектроскопия используется для изучения транспорта дырок в сандвич-наноструктуре типа сверхпроводник-сверхузкая самоупорядоченная кремниевая квантовая яма (СККЯ) p-типа - сверхпроводник на поверхности Si (100) n-типа, в которой ширина квантовой ямы меньше длины когерентности и фермиевской длины волны. Туннельные ВАХ высокого разрешения демонстрируют квантование сверхтока, характеристики которого определяются позициями уровней размерного квантования дырок в СККЯ. Причем корреляция в туннелировании одиночных дырок и куперовских пар проявляется в идентичности осцилляций ВАХ сверхтока при T Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Оганесян, Г. А.; Полоскин, Д. С. |
Влияние состава слоев SiO[x] на формирование в них светоизлучающих наноструктур Si под действием быстрых тяжелых ионов [Текст] / Г. А. Качурин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 419-424. : ил. - Библиогр.: с. 424 (25 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): слои -- облучение ионами -- светоизлучающие наноструктуры -- наноструктуры -- быстрые ионы -- кремниевые наноструктуры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- люминесценция -- кремний -- Si -- длина волны -- источники излучения -- кремниевые подложки -- ксенон -- Xe -- экспериментальные исследования Аннотация: Слои SiO[x] переменного состава с 0 < X < 2 облучали ионами Xe с энергией 167 МэВ, дозой 10{14} см{-2} для стимулирования формирования светоизлучающих кремниевых наноструктур. Облучение вызвало появление полосы фотолюминесценции, зависящей от x. С увеличением содержания Si фотолюминесценция вначале росла с максимумом вблизи длины волны lambda~600 нм, а затем максимум смещался к lambda~800 нм. Сделан вывод, что источниками излучения являются квантово-размерные нановыделения, образующиеся в результате диспропорционирования SiO[x] в треках ионов благодаря высоким ионизационным потерям. Изменения фотолюминесценции с ростом x объясняются увеличением вначале вероятности формирования нановыделений, а затем и их размеров, что приводит к длинноволновому сдвигу. Последующее гашение люминесценции обусловлено снятием квантово-размерных ограничений и коагуляцией. Доп.точки доступа: Качурин, Г. А.; Черкова, С. Г.; Марин, Д. В.; Кеслер, В. Г.; Скуратов, В. А.; Челков, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |