Дьяков, С. А. Особенности фотолюминесценции ионов эрбия в структурах с аморфными и кристаллическими нанокластерами кремния в матрице диоксида кремния [Текст] / С. А. Дьяков, Д. М. Жигунов, В. Ю. Тимошенко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 486-490 : ил. - Библиогр.: с. 490 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- ионы эрбия -- эрбий -- Er -- фотолюминесцентные свойства -- кремниевые нанокластеры -- аморфные нанокластеры -- нанокластеры -- нанокристаллы -- кремний -- диоксид кремния -- длина волны -- легирование -- время жизни ионов эрбия -- спектры фотолюминесценции -- кинетика фотолюминесценции -- сравнительный анализ -- кристаллические нанокластеры Аннотация: Исследованы фотолюминесцентные свойства структур аморфных и кристаллических кремниевых нанокластеров со средними размерами не более 4 нм в легированной эрбием матрице диоксида кремния. Установлено, что при увеличении концентрации ионов Er{3+} от 10{19} до 10{21} см{-3} времена жизни их фотолюминесценции на длине волны 1. 5 мкм уменьшаются от 5. 7 до 2. 0 мс в образцах с аморфными нанокластерами, в то время как для структур с нанокристаллами указанные времена лежат в диапазоне от 3. 5 до 1. 5 мс. Укорочение времен жизни эрбиевой фотолюминесценции с ростом концентрации ионов объясняется эффектами концентрационного тушения и влиянием остаточных постимплантационных дефектов, в то время как различие времен для образцов с аморфными и кристаллическими нанокластерами интерпретируется как проявление разных вероятностей обратной передачи энергии от ионов Er{3+} к твердотельной матрице в обсуждаемых типах структур. Доп.точки доступа: Жигунов, Д. М.; Тимошенко, В. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние низкотемпературных отжигов на фотолюминесценцию кремниевых нанокластерных структур [Текст] / Б. Н. Романюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 533-537 : ил. - Библиогр.: с. 536-537 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- нанокластеры -- НК -- кремниевые нанокластеры -- спектры фотолюминесценции -- отжиг -- высокотемпературный отжиг -- ВТ отжиг -- низкотемпературный отжиг -- НТ отжиг -- структуры -- температура отжига Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований спектров фотолюминесценции кремниевых нанокластерных структур, полученных после высокотемпературного отжига (1150гр. C) осажденных на Si пленок SiO[x] и последующих низкотемпературных отжигов при температуре 450гр. C в разных средах. Показано, что интенсивность фотолюминесценции существенно возрастает после низкотемпературного отжига, причем максимальный эффект наблюдается после отжига в смеси кислорода и азота. При этом спектр фотолюминесценции сдвигается в длинноволновую область и имеет форму широкой полосы с максимумом в области 880 нм. Механизмы, ответственные за увеличение интенсивности фотолюминесценции при низкотемпературном отжиге в смеси кислорода и азота, связаны с реконструкцией границ раздела Si/SiO[2] и формированием на этих границах энергетических уровней, которые участвуют в рекомбинации неравновесных носителей заряда. В квазихимических реакциях создания таких уровней принимают участие атомы кислорода и азота, а начальными центрами реакций являются ненасыщенные валентные связи на границах раздела нанокластеров Si и матрицы SiO[2]. Доп.точки доступа: Романюк, Б. Н.; Мельник, В. П.; Попов, В. Г.; Хацевич, И. М.; Оберемок, А. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |