Шкляев, А. А. Фотолюминесценция в области длин волн 1. 5-1. 6 мкм слоев кремния с высокой концентрацией кристаллических дефектов [Текст] / А. А. Шкляев, А. В. Латышев, М. Ичикава // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 452-457 : ил. - Библиогр.: с. 457 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- длина волны -- кремний -- наноструктурированный кремний -- кристаллические дефекты -- дефекты -- концентрация дефектов -- рекомбинация -- центры рекомбинации -- мощность накачки -- оптические переходы Аннотация: Исследована фотолюминесценция слоев наноструктурированного кремния, который излучает в диапазоне длин волн 1. 5-1. 6 мкм в результате оптических переходов на глубокие уровни центров рекомбинации, созданные кристаллическими дефектами. Показано, что зависимость интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности накачки хорошо описывается моделью с глубокими уровнями одного типа. Обнаружен сдвиг пика фотолюминесценции в область коротких волн при увеличении плотности мощности накачки. Сдвиг свидетельствует об изменениях степени заполнения глубоких уровней, которые происходят в условиях переноса носителей между центрами рекомбинации. Доп.точки доступа: Латышев, А. В.; Ичикава, М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Алиев, Ф. Ф. Влияние дефектов на электрические свойства Ag[2]S при фазовом переходе [Текст] / Ф. Ф. Алиев, М. Б. Джафаров, В. И. Эминова // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 749-752. : ил. - Библиогр.: с. 751-752 (18 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фазовый переход -- ФП -- температурные зависимости -- дефекты -- концентрация дефектов -- электропроводность -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- электрические свойства -- Ag[2]S Аннотация: Исследованы температурные зависимости электропроводности sigma (T) и коэффициента Холла R (T) в Ag[2]S при фазовом переходе. Обнаружены количественные несогласия в изменениях sigma (T) и R (T) при фазовом переходе, когда sigma увеличивается на несколько порядков, а R уменьшается в ~3-4 раза. Данный факт интерпретирован в рамках модели с двумя типами носителей заряда с учетом изменения зонных параметров и концентрации дефектов, образующихся при фазовом переходе. Доп.точки доступа: Джафаров, М. Б.; Эминова, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние метода синтеза на свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях [Текст] / А. П. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 978-980. : ил. - Библиогр.: с. 980 (6 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки теллурида кадмия -- теллурид кадмия -- сравнительные исследования -- электрические свойства -- гальваномагнитные свойства -- температурные зависимости проводимости -- метод теплового экрана -- метод квазизамкнутого объема -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- холловская подвижность -- стехиометрия -- концентрация дефектов -- неравновесные условия Аннотация: Сообщается о результатах сравнительных исследований электрических и гальваномагнитных свойств пленок теллурида кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях методом теплового экрана и методом квазизамкнутого объема. Приводятся температурные зависимости проводимости, коэффициента Холла и эффективной холловской подвижности. В результате анализа экспериментальных результатов делается вывод, что метод теплового экрана положительно влияет на стехиометрию состава и тем способствует получению пленок с меньшей концентрацией дефектов. Доп.точки доступа: Беляев, А. П.; Рубец, В. П.; Антипов, В. В.; Еремина, Е. О. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Суриков, В. И. Влияние легирования железом на свойства диоксида ванадия [Текст] / В. И. Суриков [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 10. - С. 153-156 : табл. - Библиогр.: c. 156 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Физика твердого тела. Кристаллография в целом Техника Сопротивление материалов Кл.слова (ненормированные): диоксид ванадия -- концентрация дефектов -- кристаллическая решетка -- легирование железом -- пикнометрическая плотность -- рентгеновская плотность -- рентгеноструктурные параметры кристаллической решетки Аннотация: Сообщаются результаты исследований рентгеноструктурных параметров кристаллической решетки и их температурных зависимостей в окрестностях фазового перехода металл - диэлектрик твердых растворов V[1-x]F[x]O[2], а также сравнений рентгеновской и пикнометрической плотности этих материалов. Проводится оценка концентрации дефектов в изученных материалах при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Семенюк, Н. А.; Прокудина, Н. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |