Роль границ раздела в многослойном TiN/SiN[x]-нанокомпозите при облучении [Текст] / В. В. Углов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 9. - С. 127-137 : рис. - Библиогр.: c. 137 (29 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Математическая физика Ядерная физика в целом Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): аморфно-кристаллические композиты -- границы раздела -- дисклинации -- кинетика радиационных дефектов -- межфазные границы -- многослойные нанокомпозиты -- поля напряжений -- радиационная стойкость Аннотация: Исследуется кинетика радиационных точечных дефектов с учетом процессов их генерации, диффузионной рекомбинации и действия стоков, которыми являются межфазные границы, в многослойном TiN/SiN[x]-нанокомпозите. Для описания кинетики в нанокристаллической TiN- и аморфной SiN[x]-фазах численно решались системы балансных кинетических уравнений для абсолютных концентраций дефектов, зависящих от пространственных координат и времени, методом конечных разностей. С использованием дисклинационно-дислокационной модели структуры межфазной границы рассмотрен процесс осаждения радиационных дефектов на границы в создаваемых ими полях напряжений. Показано, что межфазные границы эффективно поглощают радиационные дефекты в составляющих фазах TiN/SiN[x]-нанокомпозита, уменьшая их количество в пространстве между ними. Подобное поведение радиационных дефектов частично раскрывает механизм радиационной стойкости в рассматриваемом классе нанокомпозитов. Доп.точки доступа: Углов, В. В.; Сафронов, И. В.; Квасов, Н. Т.; Ремнев, Г. Е.; Шиманский, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |