Эпитаксиальный рост и свойства пленок Mg[x]Zn[1-x]O, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения [Текст] / А. А. Лотин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 260-264 : ил. - Библиогр.: с. 264 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- Mg[x]Zn[1-x]O -- эпитаксиальные пленки -- лазерно-плазменное осаждение -- метод лазерно-плазменного осаждения -- распыления -- керамические мишени -- подложки -- монокристаллические подложки -- оксид цинка -- кристаллические решетки -- магний -- Mg -- запрещенные зоны -- шероховатые поверхности
Аннотация: Методом лазерно-плазменного осаждения при распылении керамических мишеней были выращены тонкие пленки Mg[x]Zn[1-x]O, содержащие Mg в концентрациях x=0-0. 45. Определены условия их эпитаксиального роста на монокристаллических подложках Al[2]O[3] (00. 1). Достигнут рекордный предел растворимости Mg в гексагональном оксиде цинка, соответствующий x=0. 35. Рассогласование постоянных кристаллической решетки a пленок ZnO и Mg[0. 35]Zn[0. 65]O при этом не превышало 1%, а значения ширин запрещенных зон различались на 0. 78 эВ. Шероховатость поверхности пленок составила 0. 8-1. 5 нм в диапазоне x=0-0. 27.


Доп.точки доступа:
Лотин, А. А.; Новодворский, О. А.; Хайдуков, Е. В.; Рочева, В. В.; Храмова, О. Д.; Панченко, В. Я.; Венцель, К.; Трумпайска, Н.; Щербачев, К. Д.