Агекян, Санкт-Петербургский гос. ун-т, г. Санкт-Петербург. Экситонная и внутрицентровая излучательная рекомбинация в квантовых ямах ZnMnTe и CdMnTe с оптически активными ионами марганца [Текст] / В. Ф. Агекян [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1117-1125. - Библиогр.: с. 1124-1125 (22 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): внутрицентровая излучательная рекомбинация -- внутрицентровое излучение -- квантовые ямы -- оптическое возбуждение -- спектры излучения -- экситонная люминесценция -- экситонная рекомбинация -- экситонное излучение Аннотация: Исследованы спектры излучения структур с квантовыми ямами Zn[1-x]Mn[x]Te/Zn[0. 6]Mg[0. 4]Te и Cd[1-x]Mn[x]Te/Cd[0. 5]Mg[0. 5]Te с различной концентрацией марганца и шириной квантовых ям при плотностях мощности возбуждения 10{5} - 10{7} W*cm{-2}. В условиях сильной оптической накачки внутрицентровая люминесценция ионов Mn{2+} деградирует вследствие взаимодействия возбужденных ионов марганца с экситонами высокой плотности. Одновременно происходит сильное уширение полосы излучения экситонов КЯ вследствие экситон-экситонного взаимодействия и насыщения основного состояния экситонов. В CdTe/Cd[0. 5]Mg[0. 5]Te при уровне возбуждения 10{5} W*cm{-2} возникает стимулированное излучение экситонов КЯ. Исследована кинетика люминесценции экситонов КЯ и барьеров с высоким временным разрешением. Определено влияние ширины КЯ и концентрации марганца на кинетику и форму полосы внутрицентровой люминесценции Mn{2+}, в которой проявляется вклад интефейсных ионов марганца. Доп.точки доступа: Akai, I.; Васильев, Н. Н.; Karasawa, T.; Karczewski, G.; Серов, А. Ю.; Философов, Н. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Агекян, Санкт-Петербургский гос. ун-т, г. Санкт-Петербург. Экситонная и внутрицентровая излучательная рекомбинация в квантовых ямах ZnMnTe и CdMnTe с оптически активными ионами марганца [Текст] / В. Ф. Агекян [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1117-1125. - Библиогр.: с. 1124-1125 (22 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): внутрицентровая излучательная рекомбинация -- внутрицентровое излучение -- квантовые ямы -- оптическое возбуждение -- спектры излучения -- экситонная люминесценция -- экситонная рекомбинация -- экситонное излучение Аннотация: Исследованы спектры излучения структур с квантовыми ямами Zn[1-x]Mn[x]Te/Zn[0. 6]Mg[0. 4]Te и Cd[1-x]Mn[x]Te/Cd[0. 5]Mg[0. 5]Te с различной концентрацией марганца и шириной квантовых ям при плотностях мощности возбуждения 10{5} - 10{7} W*cm{-2}. В условиях сильной оптической накачки внутрицентровая люминесценция ионов Mn{2+} деградирует вследствие взаимодействия возбужденных ионов марганца с экситонами высокой плотности. Одновременно происходит сильное уширение полосы излучения экситонов КЯ вследствие экситон-экситонного взаимодействия и насыщения основного состояния экситонов. В CdTe/Cd[0. 5]Mg[0. 5]Te при уровне возбуждения 10{5} W*cm{-2} возникает стимулированное излучение экситонов КЯ. Исследована кинетика люминесценции экситонов КЯ и барьеров с высоким временным разрешением. Определено влияние ширины КЯ и концентрации марганца на кинетику и форму полосы внутрицентровой люминесценции Mn{2+}, в которой проявляется вклад интефейсных ионов марганца. Доп.точки доступа: Akai, I.; Васильев, Н. Н.; Karasawa, T.; Karczewski, G.; Серов, А. Ю.; Философов, Н. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Гагис, И. С. Динамика спиновой поляризации и эффект Ханле при сильном обменном взаимодействии в экситоне [Текст] / И. С. Гагис, К. В. Кавокин, А. В. Кудинов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1298-1303. - Библиогр.: с. 1303 (17 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- спиновая динамика экситона -- спиновая поляризация -- Ханле эффект -- экситоны -- эффект Ханле Аннотация: Теоретически проанализирована спиновая динамика экситона в квантовой яме, в плоскости которой приложено магнитное поле. Обменное взаимодействие между электроном и дыркой предполагается сильным. Показано, что ширина контура эффекта Ханле зависит от времени спиновой релаксации дырок. При импульсной генерации экситонов сигнал интенсивности как функция времени характеризуется двумя временами затухания, а сигнал поляризации - третьим временем, сильно зависящим от величины приложенного поля. Доп.точки доступа: Кавокин, К. В.; Кудинов, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Андронников, Д. А. Температурное поведение экситонов и трионов в структурах с квантовыми ямами CdTe/CdMgTe [Текст] / Д. А. Андроников [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1492-1496. - Библиогр.: с. 1496 (8 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): Больцмана распределение -- квантовые ямы -- модулированное легирование -- распределение Больцмана -- спектры фотолюминесценции -- трионы -- экситон-трионная система -- экситоны Аннотация: Изучены температурные изменения спектров фотолюминесценции в магнитном поле трионов и экситонов в квантовых ямах на основе CdTe/CdMgTe с модулированным легированием. Обнаружено, что в магнитном поле температурное перераспределение интенсивности между экситонной и трионной линиями излучения является обратным к ожидаемому в модели простого распределения Больцмана. Путем решения системы кинетических уравнений для экситон-трионной системы построены температурные зависимости интенсивности экситонных и трионных линий излучения. Обнаружено хорошее согласие расчетных зависимостей с экспериментальными. Доп.точки доступа: Fehr, M.; Кочерешко, В. П.; Crooker, S. A.; Karczewski, G. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Воронов, М. М. Особенности спекторов отражения и поглощения одномерных резонансных фотонных кристаллов [Текст] / М. М. Воронов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1709-1718. - Библиогр.: с. 1718 (19 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): боровский радиус экситона -- брэгговские структуры -- квантовые ямы -- одномерные резонансные фотонные кристаллы -- спектры отражения -- спектры поглощения -- фотонные кристаллы Аннотация: Теоретически исследованы оптические спектры резонансных брэгговских и квази-брэгговских структур с квантовыми ямами. В аналитической форме дано объяснение присутствию в спектрах отражения и поглощения особых частот, на которых коэффициенты отражения или поглощения не зависят от числа ям в структуре. Для структур, в которых ширина квантовых ям существенно превосходит боровский радиус экситона, показзано, что в спектрах отражения и поглощения также прсутствуют особые частоты, а плавная спектральная составляющая определяется в основном взаимодействием световой волны с экситоном основного уровня размерного квантования. Доп.точки доступа: Ивченко, Е. Л.; Кособукин, В. А.; Поддубный, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кособукин, В. А. Экситон-поляритонное поглощение в периодических и разупорядоченных цепочках квантовых ям [Текст] / В. А. Кособукин, А. Н. Поддубный // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1883-1892. - Библиогр.: с. 1892 (28 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): брэгговские структуры -- интегральное поглощение света -- квантовые ямы -- метод матриц переноса -- междуямный бепорядок -- разупорядоченные цепочки квантовых ям -- экситон-поляритонное поглощение Аннотация: Теоретически исследовались экситон-поляритонный перенос и поглощение в регулярных и неупорядоченных структурах с конечным числом квантовых ям. Методом матриц переноса в области экситонных резонансов вычислялись спектры отражения, пропускания и поглощения, а также интегральное поглощение в зависимости от отношения гамма/Г[0] параметров нерадиационного и радиационного затухания квазидвумерных экситонов. Показано, что интегральное поглощение как функция гамма (температуры) имеет универсальный вид: монотонно растет от нуля при гамма=0 и насыщается при гамма/Г[0]>>1. Из-за модового характера экситон-поляритонного поглощения в брэгговских структурах с квантовыми ямами величина интегрального поглощения существенно меньше, чем в короткопериодных структурах, где поглощение связано со всей структурной совокупностью мод. При наличии внутриямного беспорядка, связанного с флуктуациями частот возбуждения экситонов в ямах, интегральное поглощение существенно увеличивается до величины, характерной для поглощения света в отсутствие резонанса между экситонами разных квантовых ям. Междуямный беспорядок, который обусловлен флуктуациями расстояний между ямами, также приводит к увеличению интегрального поглощения. Доп.точки доступа: Поддубный, А. Н. |
Коровин, Л. И. Влияние пространственной дисперсии на форму светового импульса при его прохождении сквозь квантовую яму [Текст] / Л. И. Коровин, И. Г. Ланг, С. Т. Павлов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1893-1899. - Библиогр.: с. 1899 (21 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- межзонные переходы -- отражение возбуждающего импульса -- поглощение возбуждающего импульса -- пропускание возбуждающего импульса -- пространственная дисперсия -- световые импульсы -- электромагнитные импульсы Аннотация: Вычислены отражение, прохождение и поглощение симметричного электомагнитного импульса, несущая частота которого близка к частоте прямых межзонных переходов в квантовой яме. Уровни энергии в квантовой яме предполагаются дискретными, учитываются два близко расположенных возбужденных уровня. Рассматривается случай достаточно широкой ямы, когда длина волны, соответствующая несущей частоте импульса, сравнима с шириной ямы и следует учитывать зависимость матричного элемента импульса межзонного перехода от волнового вектора света. Показатели преломления квантовой ямы и барьеров считаются равными друг другу. Задача решена для произвольного соотношения между радиационным и нерадиационным временами жизни возбужденных электронных состояний. Показано, учет пространственной дисперсии существенно влияет на форму отраженного и прошедшего импульсов. Наибольшие изменения имеют место в случае, когда обратное радиационное время жизни мало отличается от разности частот учитываемых межзонных переходов. Доп.точки доступа: Ланг, И. Г.; Павлов, С. Т. |
Ганцевич, С. В. Дипольное рассеяние электронов в компенсированных полупроводниковых квантовых ямах [Текст] / С. В. Ганцевич, В. Л. Гуревич, Е. М. Собко // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2125-2132. - Библиогр.: с. 2132 (10 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диполи -- дипольное рассеяние -- дипольное рассеяние электронов -- квантовые ямы -- полупроводниковые квантовые ямы -- рассеяние -- рассеяние носителей тока Аннотация: Теоретически рассматривается рассеяние электронов проводимости системой диполей, образованных близкорасположенными положительно и отрицательно заряженными центрами в квантовой яме. Доп.точки доступа: Гуревич, В. Л.; Собко, Е. М. |
Микроволновое фотосопротивление в двумерной электронной системе с анизотропной подвижностью [Текст] / А. А. Быков [и др. ] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 12. - С. 891-895
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): микроволновое фотосопротивление -- двумерная электронная система -- квантовые ямы -- анизотропная электронная подвижность -- метод ван дер Пау -- ван дер Пау метод Аннотация: Методом ван дер Пау исследовано влияние микроволнового излучения миллиметрового диапазона на магнетотранспорт в одиночных GaAs квантовых ямах с анизотропной электронной подвижностью. Доп.точки доступа: Быков, А. А.; Исламов, Д. Р.; Горан, А. В.; Бакаров, А. К. |
Сугаков, В. И. Образование островков конденсированных фаз экситонов в полупроводниковых квантовых ямах в неоднородных полях [Текст] / В. И. Сугаков, А. А. Чернюк // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, вып: вып. 11. - С. 699-704
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): экситоны -- конденсированные фазы -- квантовые ямы -- полупроводники Аннотация: Изучено появление и свойства структур в распределении плотности непрямых экситонов в плоскости квантовой ямы в полупроводниках, находящихся в электрическом поле, в случае, когда металлический электрод содержит круглое отверстие. Доп.точки доступа: Чернюк, А. А. |
Саченко, А. В. Моделирование солнечных элементов с квантовыми ямами и сравнение с обычными солнечными элементами [Текст] / А. В. Саченко, И. О. Соколовский // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 2. - С. 274-277
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- квантовые ямы -- эффективность фотопреобразования Аннотация: С помощью программы SimWindows выполнено моделирование эффективности фотопреобразования солнечных элементов на основе GaAs с квантовыми ямами из InGaAs в условиях АМ 1. 5 при различных уровнях легирования базы. Проведено сравнение полученных результатов с эффективностью фотопреобразования обычных солнечных элементов. Показано, что солнечные элементы с квантовыми ямами могут иметь достаточно большую эффективность фотопреобразования по сравнению с эффективностью фотопреобразования обычных солнечных элементов при указанных в статье условиях. Доп.точки доступа: Соколовский, И. О. |
Морозов, М. Ю. Влияние отражений волны оптической накачки на возбуждение активной области двухчастотного лазера с вертикальным внешним резонатором [Текст] / М. Ю. Морозов, Ю. А. Морозов, В. В. Попов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 399-404
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазеры -- вертикальный внешний резонатор -- ЛВВР -- нелинейные кристаллы -- квантовые ямы -- когерентное излучение Аннотация: Выполнен численный анализ влияния отражений волны оптической накачки на скорость генерации носителей и равномерность заселенности носителями квантовых ям двухчастотного лазера с вертикальным внешним резонатором. Для анализа была применена математическая модель активной области лазера, допускающая наличие любого количества квантовых ям и справедливая при произвольном профиле скорости оптической генерации носителей. Показано, что при оптимальном расположении блокинг-слоев в активной области двухчастотного лазера с вертикальным внешним резонатором может быть достигнута высокая однородность заселенности квантовых ям. Установлено, что отражения волны накачки существенно влияют на локальное значение скорости генерации носителей и, следовательно, на распределение возбужденных носителей в структуре лазера. Доп.точки доступа: Морозов, Ю. А.; Попов, В. В. |
Разжувалов, А. Н. "Конденсаторная"модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN (0001) [Текст] / А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 1. - С. 178-188. - Библиогр.: с. 188 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): конденсаторная модель гистерезиса -- петли гистерезиса -- туннельный ток -- электронная плотность -- квантовые ямы -- нитридные вюрцитные структуры -- однорезонансное приближение -- модель зарядового конденсатора Аннотация: На основе самосогласованного расчета туннельного тока двухбарьерной структуры w-GaN/AlGaN (0001) развита "конденсаторная" модель гистерезиса, в которой скачки тока, изменения потенциала и электрического поля в структуре при переходе с одной ветви петли тока на другую рассматриваются как результат перезарядки двух совмещенных конденсаторов, пластины которых расположены в положениях экстремумов вариации электронной плотности в области эмиттера, квантовой ямы и коллектора. Показано. что при компенсации внешнего и внутреннего полей в яме туннельный ток резко и необратимо переключается на характеристики другого резонанса, формируя широкую петлю гистерезиса, на ветвях которой происходит перераспределение заряда между квантовой ямой и коллектором. При совпадении полей образуется узкая "однорезонансная" петля гистерезиса, сопровождающаяся перетеканием электронного заряда из эмиттера в коллектор. Развитая модель приводит к согласованию с результатами самосогласованного расчета и дает наглядную интерпретацию сложных процессов электронного туннелирования. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н. |
Процессы рассеяния в двумерном полуметалле [Текст] / Е. Б. Ольшанецкий [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 6. - С. 338-342
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерные полуметаллы -- HgTe -- квантовые ямы -- механизмы рассеяния Аннотация: Исследованы механизмы рассеяния в двумерном полуметалле на основе HgTe квантовой ямы, в котором концентрация электронов и дырок управляется в широких пределах приложением затворного напряжения. Показано, что при низких температурах в указанной системе доминирует рассеяние на примесях. Наблюдалось прямое влияние взаимного межчастичного рассеяния (в данном случае электронов и дырок) на сопротивление металла. Доп.точки доступа: Ольшанецкий, Е. Б.; Квон, З. Д.; Энтин, М. В.; Магарилл, Л. И.; Михайлов, Н. Н.; Парм, И. О.; Дворецкий, С. А. |
Влияние легирования Eu на сенсибилизацию излучения в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs и InGaN/GaN [Текст] / В. В. Криволапчук [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 365-371. - Библиогр.: с. 371 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сенсибилизация излучения -- квантовые ямы -- спектры люминесценции -- люминесценция -- редкоземельные ионы -- деформационная решетка -- квантово-размерные структуры Аннотация: Определена корреляция между спектрами фотолюминесценции и структурными параметрами наноструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN и GaAs/AlGaAs, легированных Eu. Показано, что внедрение редкоземельных ионов приводит к появлению деформаций решетки (как правило сжатия). В достаточно совершенных структурах в процессе миграции возбуждения происходит перенос неравновесных носителей на атомные уровни {5}D[2] - {5}D[0] иона Eu. В менее совершенных структурах внедрение редкоземельных ионов приводит к образованию изовалентных ловушек в слоях GaN, которые эффективно захватывают неравновесные носители, в результате чего интенсивность фотолюминесценции структуры возрастает на порядок. Доп.точки доступа: Криволапчук, В. В.; Мездрогина, М. М.; Кузьмин, Р. В.; Даниловский, Э. Ю. |
Салихов, Р. Б. Наноструктурированные пленки полиариленфталидов и их прменение [Текст] / Р. Б. Салихов, А. Н. Лачинов // Нанотехника. - 2009. - N 1 (17). - С. 35-39 : 1 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 38-39 (34 назв. ) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наноструктурированные пленки -- полиариленфталиды -- полупроводниковые сверхрешетки -- квантовые ямы -- наноэлектронные устройства Аннотация: Рассмотрены явления и эффекты, наблюдающиеся в тонких пленках полиариленфталидов. Доп.точки доступа: Лачинов, А. Н. |
Гуревич, В. Л. Расщепление уровней в полумагнитных полупроводниках в условиях спин-магнетофононного резонанса [Текст] / В. Л. Гуревич, М. И. Мурадов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 455-460. - Библиогр.: с. 459-460 (26 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полумагнитные полупроводники -- спин-магнетофононный резонанс -- расщепление уровней энергии электрона -- квантовые ямы -- зеемановское расщепление спиновых уровней -- резонансное взаимодействие электронов проводимости Аннотация: Теоретически рассмотрено расщепление уровня энергии электрона в квантовых ямах на основе полумагнитных полупроводников, которые обычно характеризуются большими эффективными g-факторами. В них оказывается возможным резонанс при условии, что зеемановское расщепление спиновых уровней равно энергии продольного оптического фонона hw[||]. Условие резонанса имеет вид hw[||] = gмю[B]B. Этому условию можно удовлетворить, подбирая магнитное поле B так, чтобы энергия низшего спинового уровня плюс оптический фонон совпадала с энергией высшего уровня. Показано, что должно иметь место взаимное "отталкивание" этих двух вырожденных уровней энергии. Величина соответствующего расщепления зависит как от электрон-фононного, так и от спин-орбитального взаимодействия в полупроводниках: она оказывается гораздо меньше зеемановской энергии gмю[B]B. Доп.точки доступа: Мурадов, М. И. |
Сур, И. В. Термоэлектрические свойства симметричных и асимметричных структур с двойными квантовыми ямами [Текст] / И. В. Сур // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 651-655
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- двойные квантовые ямы -- подвижность -- коэффициент Зеебека -- Зеебека коэффициент Аннотация: Проведен анализ состояний и транспорта носителей заряда в ориентированных в плоскости (100) двойных квантовых ямах PbTe/Pb[1-x]Eu[x]Te. Исследованы зависимости подвижности и коэффициента Зеебека от толщины внутреннего барьера в симметричных и асимметричных структурах. Показано, что при больших расстояниях между ямами даже слабое нарушение симметрии структуры и, как следствие, существенная перестройка волновых функций подавляют межподзонное рассеяние с переходом носителей между ямами и обеспечивают в кинетических коэффициентах правильный предельный переход к изолированным ямам. Найдены некоторые возможности увеличения термоэлектрического фактора мощности и подходящий набор параметров структуры, рассчитанных на основе нашей модели. |
Курилюк, В. В. Влияние пьезоэлектрических полей ультразвуковых колебаний на комбинационное рассеяние света в гетероструктурах GaAs/AlGaAs [Текст] / В. В. Курилюк, О. А. Коротченков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 449-455
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые гетероструктуры -- квантовые ямы -- инфракрасное излучение -- солнечные элементы -- фотодетекторы -- электрические поля Аннотация: Представлен теоретический анализ резонансных электроупругих колебаний гибридной структуры GaAs/AlGaAs-LiNbO[3] с границей раздела скользящего типа, а также эффекта перераспределения концентрации двумерного электронного газа в гетероструктуре генерируемыми пьезоэлектрическими полями. Расчеты проведены методом конечных элементов. Экспериментально зарегистрированные спектры комбинационного рассеяния света с временным разрешением обнаруживают особенности поведения LO-фонон-плазмонной моды, соответствующие теоретически рассчитанному перераспределению концентрации. Доп.точки доступа: Коротченков, О. А. |
Механизмы легирования и интенсивность излучения внутрицентровых f - f-переходов легирующей примеси Eu в структурах с квантовыми ямами In[x]Ga[1-x]N/GaN [Текст] / М. М. Мездрогина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 467-477
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): легирование -- внутрицентровые переходы -- мессбауэровская спектроскопия -- квантовые ямы -- легирующие примеси -- редкоземельные элементы Аннотация: Исследовано влияние легирования европием на вид спектров излучения структур с квантовыми ямами на основе In[x]Ga[1-x]N/GaN, на механизм легирования и интенсивность излучения внутрицентровых f-f-переходов Eu. По данным мессбауэровской спектроскопии, в зависимости от концентрации дефектов в структурах с квантовыми ямами легирующая примесь Eu может иметь зарядовое состояние примесного иона Eu\{2+\} и Eu\{3+\} или только Eu\{3+\}. В том случае, когда зарядовое состояние примесного иона равно Eu\{3+\}, наблюдается излучение внутрицентровых переходов \{5\}D[0]-\{7\}F[2] (ламбда=6220 Angstrem). Если примесный ион может находиться в зарядовых состояниях Eu\{2+\} и Eu\{3+\}, то не наблюдается излучения внутрицентровых переходов, характерных как для Eu\{2+\}, так и Eu\{3+\}. Доп.точки доступа: Мездрогина, М. М.; Криволапчук, В. В.; Петров, В. Н.; Кожанова, Ю. В.; Даниловский, Э. Ю.; Кузьмин, Р. В. |