Влияние легирования Eu на сенсибилизацию излучения в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs и InGaN/GaN [Текст] / В. В. Криволапчук [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 365-371. - Библиогр.: с. 371 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сенсибилизация излучения -- квантовые ямы -- спектры люминесценции -- люминесценция -- редкоземельные ионы -- деформационная решетка -- квантово-размерные структуры Аннотация: Определена корреляция между спектрами фотолюминесценции и структурными параметрами наноструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN и GaAs/AlGaAs, легированных Eu. Показано, что внедрение редкоземельных ионов приводит к появлению деформаций решетки (как правило сжатия). В достаточно совершенных структурах в процессе миграции возбуждения происходит перенос неравновесных носителей на атомные уровни {5}D[2] - {5}D[0] иона Eu. В менее совершенных структурах внедрение редкоземельных ионов приводит к образованию изовалентных ловушек в слоях GaN, которые эффективно захватывают неравновесные носители, в результате чего интенсивность фотолюминесценции структуры возрастает на порядок. Доп.точки доступа: Криволапчук, В. В.; Мездрогина, М. М.; Кузьмин, Р. В.; Даниловский, Э. Ю. |
Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов [Текст] / Б. Я. Бер [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 425-431. : ил. - Библиогр.: с. 430-431 (22 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): легирование кремнием -- светодиоды -- квантово-размерные структуры -- InGaN/GaN -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- рекомбинация -- наноматериалы -- активная область -- ток -- температура Аннотация: Проведены комплексные исследования синих светодиодов на основе квантово-размерных InGaN/GaN-структур с внешней квантовой эффективностью eta до 40%. Показано, что в общем случае характер зависимости эффективности от плотности тока j определяется конкуренцией вкладов в излучательную рекомбинацию локализованных и делокализованных носителей. Причем вклад последних возрастает по мере ухудшения характера организации наноматериала, повышения температуры и тока накачки, а также с уменьшением ширины обедненного слоя активной области (при нулевом смещении). Наиболее резкое падение эффективности относительно максимума (до 2 раз при j ~50 А/см{2}) наблюдалось при сильном легировании n{+}-области (до 10{19} см{-3}) и при возникновении компенсированных слоев в активной или p{+}-области. При j > 50 А/см{2} доминирует вклад делокализованных носителей и наблюдается единообразный характер зависимостей эффективности от тока, аппроксимируемый eta (j) пропорционально j{-b}, где 0. 2 Доп.точки доступа: Бер, Б. Я.; Богданова, Е. В.; Грешнов, А. А.; Закгейм, А. Л.; Казанцев, Д. Ю.; Карташова, А. П.; Павлюченко, А. С.; Чернякова, А. Е.; Шабунина, Е. И.; Шмидт, Н. М.; Якимов, Е. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |