Стабильность квазидвумерной электронно-дырочной жидкости в полупроводниковых структурах II рода [Текст] / А. А. Васильченко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 10. - С. 151-155 : рис. - Библиогр.: c. 155 (20 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): квазидвумерная ЭДЖ -- кулоновское взаимодействие -- экситон -- электронно-дырочная жидкость -- электронно-дырочные системы -- энергия связи Аннотация: Получены аналитические выражения для энергии квазидвумерной электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) и пороговой величины высоты барьера для электронов, выше которой образование прямой ЭДЖ невозможно. Показано, что состояние с квазидвумерной ЭДЖ может быть энергетически выгодным в полупроводниках с анизотропией масс и (или) большим числом эквивалентных долин. Проведено сравнение результатов вычислений с экспериментальными результатами для структуры Si/SiGe/Si. Доп.точки доступа: Васильченко, А. А.; Копытов, Г. Ф.; Кривобок, В. С.; Ермохин, Д. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |