Милешко, Леонид Петрович. Механизмы формирования легированного фосфором или бором анодного SiO{2} на карбиде кремния [Текст] / Л. П. Милешко // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 2. - С. 10-15. - Библиогр.: с. 15 (10 назв. )
Рубрики: Химия Физическая химия. Химическая физика Энергетика Электрические и магнитные измерения Кл.слова (ненормированные): полупроводниковая электроника -- полупроводниковые материалы -- термодинамический анализ -- анодные реакции -- ЛАОП -- легированные анодные оксидные пленки -- карбид кремния -- анионы -- анодирование -- легирующие компоненты -- формирование -- механизмы Аннотация: Подробно рассмотрены гепотетические механизмы взаимодейтсивя анионов с карбидом кремния в процессе его анодирования в электролитах с легирующими компонентами. |
Исследование возможности использования вторичного сырья в составе строительных композитов [Текст] / В. М. Шумячер [и др. ] // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2007. - N 26. - С. 116-120. - Библиогр.: с. 120 (1 назв. )
Рубрики: Строительство Строительные материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): строительные композиты -- бетоны -- карбид кремния -- металлическая дробь (строительные материалы) -- тугоплавкие материалы -- металлические материалы -- термическая стойкость Аннотация: Разработаны новые составы строительного композита путем модифицирования тугоплавкими и металлическими материалами, являющимися отходами производства. Установлено, что введение в состав композитов (бетонов) карбида кремния и металлической дроби обеспечивает увеличение термической стойкости в 6-7 раз, снижение показателя водопоглощения в 1-2 раза. Доп.точки доступа: Шумячер, Вячеслав Михайлович (д-р техн. наук, проф.); Барабанщикова, Татьяна Константиновна; Кулявцев, Иван Юрьевич; Пушкарская, Ольга Юрьевна; Денисова, Светлана Петровна |
Теплоемкость биоморфного карбида кремния при низких температурах [Текст] / И. А. Смирнов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1750-1753. - Библиогр.: с. 1753 (21 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): биоморфный карбид кремния -- карбид кремния -- импульсный квазидиабатический метод -- поверхностные колебания -- теплоемкость -- широкозонные полупроводники Аннотация: В интервале температур 3. 5-60 K измерена теплоемкость биоморфного карбида кремния - высокопористого материала с особым видом канальных пор, полученного из биоморфного композита SiC/Si, приготовленного на основе дерева эвкалипта, путем удаления из него химическим способом избыточного кремния. Показано, что основной вклад в теплоемкость биоморфного SiC вносят поверхностные колебания. Доп.точки доступа: Смирнов, И. А.; Смирнов, Б. И.; Krivchikov, A. I.; Misiorek, H.; Jezowski, A.; Arellano-Lopez, A. R.; Martinez-Fernandez, J.; Sepulveda, R. |
Барабан, Александр Петрович. Зарядовое состояние центров люминесценции в структурах Si-SiO[2], подвергнутых последовательной имплантации ионами кремния и углерода [Текст] / А. П. Барабан, Ю. В. Петров // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 3. - С. 18-22. - Библиогр.: с. 22 (9 назв. )
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- имплантация -- ионная имплантация -- кремний -- углерод -- отжиг -- заряды -- карбид кремния Аннотация: Исследована электролюминесценция структур, подвергнутых последовательной ионной имплантации кремния и углерода, а также постимплантационному отжигу. Доп.точки доступа: Петров, Юрий Владимирович |
Давыдов, С. Ю. К построению модели термодеструкции карбида кремния с целью получения графитовых слоев [Текст] / С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, Н. Ю. Смирнова // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 452-454. - Библиогр.: с. 454 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): модель термодеструкции карбида кремния -- термодеструкция карбида кремния -- карбид кремния -- графены -- графитовые слои -- термодеструкция Аннотация: Обсуждается предложенная ранее (на основании структурных исследований) трехстадийная схема процесса термодиструкции карбида кремния, приводящего к графитизации поверхности. Теоретический анализ, однако, показывает, что этот процесс является двухстадийным: термодесорбция атомов кремния из двух внешних бислоев Si-C с последующей конденсацией атомов углерода на Si-грани (0001) карбида кремния, приводящей к образованию двумерной структуры графита (графена). Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Смирнова, Н. Ю. |
Александров, О. В. Перераспределение Al в имплантированных слоях SiC в процессе термического отжига [Текст] / О. В. Александров, Е. В. Калинина // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 584-589
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): высокотемпературный отжиг -- примеси AL -- карбид кремния -- полупроводники -- ионы -- кристаллические решетки Аннотация: Проведен анализ экспериментальных профилей концентрации Al при его имплантации в SiC при комнатной температуре и последующем высокотемпературном отжиге. Показано, что при дозах, превышающих порог аморфизации, на профилях наблюдается ряд особенностей: смещение максимума распределения, накопление примеси на поверхности, образование прямоугольных ("box-shaped") профилей. Для количественного описания перераспределения примеси Al в слоях SiC, имплантированных с высокими дозами, впервые предложена сегрегационно-диффузионная модель, учитывающая сегрегацию примеси между альфa- и c-фазами в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации и последующую диффузию примеси с ее испарением с поверхности. Формирование прямоугольных профилей Al при быстром термическом отжиге объясняется образованием в рекристаллизованной области монокристаллического высокодефектного и поликристаллического слоев SiC с высоким коэффициентом диффузии примеси, а также подавлением переходной ускоренной диффузии в оставшейся монокристаллической части имплантированного слоя. Доп.точки доступа: Калинина, Е. В. |
Кинетика поведения фоточувствительных примесей и дефектов в особо чистом полуизолирующем карбиде кремния [Текст] / Д. В. Савченко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 692-699. - Библиогр.: с. 699 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фоточувствительные примеси -- карбид кремния -- полуизолирующий карбид кремния -- метод электронного парамагнитного резонанса -- долговременная релаксация -- долгоживущая фотопроводимость -- фотоотклики -- фотоотклик спектра ЭПР Аннотация: Выполнено экспериментальное и теоретическое исследования кинетики поведения фоточувствительных примесей и дефектов в особо чистом полуизолирующем материале 4H-SiC методом электронного парамагнитного резонанса в присутствии фотовозбуждения и оптической спектроскопии полной проводимости. Решены кинетические уравнения, описывающие процессы рекомбинации, захвата и ионизации неравновесных носителей, динамически связанных с мелкими донорами и акцепторами (азота и бора), а также процессы передачи носителей зарядов с мелкого донора азота на глубокие уровни собственных дефектов. Сопоставление результатов расчета с экспериментальными кривыми временных спадов полной проводимости и интенсивностей сигналов электронного парамагнитного резонанса от азота и бора после прекращения фотовозбуждения показало, что вероятности захвата дырок на ионизированный акцептор и скорость ионизации нейтрального акцептора бора на два порядка больше, чем аналогичные процессы в системе донорных уровней. Для последней решающую роль играют каскадные переходы электронов с уровня на уровень в запрещенной зоне, а также электронно-дырочная рекомбинация. Доп.точки доступа: Савченко, Д. В.; Шанина, Б. Д.; Лукин, С. Н.; Калабухова, Е. Н. |
Формирование наноуглеродных пленок на поверхности SiC методом сублимации в вакууме [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 783-786. - Библиогр.: с. 786 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наноуглеродные пленки -- метод сублимации в вакууме -- сублимационная эпитаксия -- двумерные кристаллы графита -- карбид кремния Аннотация: Показано возможность формирования наноуглеродных пленок на поверхности SiC с использованием технологии и оборудования для сублимационной эпитаксии карбида кремния. Определен температурный диапазон, в котором формируются наноуглеродные пленки толщиной 4-5 постоянных решетки. Обнаружено наличие в пленках двумерных кристаллов графита. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Котоусова, И. С.; Лаврентьев, А. А.; Лебедев, С. П.; Макаренко, И. В.; Петров, В. Н.; Титков, А. Н. |
Беленков, Евгений Анатольевич (д-р физ. -мат. наук, проф. каф. физики конденсир. состояния). Исследование формирования политипов алмаза и карбида кремния [Текст] / Е. А. Беленков, Э. Н. Агалямова // Вестник Челябинского государственного университета. - 2009. - N 24. - С. 13-21 : рис. - Библиогр.: с. 21 (12 назв. ) . - ISSN 1994-2796
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): молекулярная механика -- фазообразование -- карбид кремния -- политипы алмаза Аннотация: Представлен обзор результатов модельных расчетов структур кластеров различных политипных модификаций кристаллов карбида кремния и алмаза. Доп.точки доступа: Агалямова, Эльвира Наилевна (аспирант каф. физики конденсир. состояния) |
Особенности морфологии и структура нанокристаллических пленок кубического карбида кремния, выращиваемых на поверхности Si [Текст] / Л. К. Орлов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 5. - С. 1018-1023. - Библиогр.: с. 1023 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллические пленки -- пленки кубического карбида кремния -- карбид кремния -- рекристаллизация пленки -- метод химической конверсии Аннотация: С помощью разнообразных методов анализа (электронная, зондовая и интерференционная оптическая микроскопия, электронография, рентгеновская дифракция) исследуются состав, морфология поверхности и кристаллическая структура нанокристаллических пленок кубического нидрида кремния, выращиваемых на кремнии методом химической конверсии из паров гексана. Проведено сопоставление характеристик пленок 3C-SiC, получаемых на подложках Si (100) и Si (111). Для гетероструктур 3C-SiC/Si (111) различными методами проанализированы особенности формы, размеров и кристаллической структуры островков, формируемых на поверхности роста. Показано, что формируемые на поверхности фигуры роста образуют нанокристаллическую плотноупакованную текстуру с размерами зерен менее 50 nm. Электроннограммы фигур роста на поверхности пленок демонстрируют наличие дополнительного сверхпериода, связанного с винтовыми осями в пространственной группе элементов симметрии кристалла. Доп.точки доступа: Орлов, Л. К.; Дроздов, Ю. Н.; Вдовин, В. И.; Тарасова, Ю. И.; Смыслова, Т. Н. |
Диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-6H-SiC: особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах [Текст] / О. А. Агеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 897-903 : ил. - Библиогр.: с. 902 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): токоперенос -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- диоды Шоттки -- Шоткки диоды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- выпрямляющие контакты -- омические контакты -- монокристаллы -- карбид кремния -- туннельные токи -- концентрация -- дислокации -- пространственный заряд Аннотация: Исследован механизм токопереноса в диоде на основе карбида кремния с барьером Шоттки, сформированным квазиаморфной фазой внедрения TiB[х] на поверхности монокристаллов n-6H-SiC (0001), с концентрацией нескомпенсированных доноров (азот) ~10{18}см{-3}и концентрацией дислокаций ~ (10{6}-10{8}) см{-2}. Показано, что при температурах T= Доп.точки доступа: Агеев, О. А.; Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, П. М.; Миленин, В. В.; Савченко, А. В. |
Синтез нанокристаллов alpha-SiC при карботермическом восстановлении сферических наночастиц аморфного диоксида кремния [Текст] / А. А. Жохов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 8. - С. 1626-1631. - Библиогр.: с. 1631 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): синтез нанокристаллов -- карботермические восстановления -- диоксиды кремния -- аморфные диоксиды -- аморфные диоксиды кремния -- сферические наночастицы -- карбид кремния -- комбинационное рассеяние света -- новые материалы -- методы рентгенофазового анализа -- радиационно стойкие материалы Аннотация: Развит способ карботермического восстановления сферических частиц аморфного диоксида кремния и получены нанокристаллы гексагональных политипов alpha-SiC. Проведена характеризация полученных образцов методами рентгенофазового анализа, комбинационного рассеяния (КР) света, фотолюминесценции и электронной микроскопии. В зависимости от диаметра исходных частиц диоксида кремния получены нанокристаллы карбида кремния размером в интервале 5-50 nm. Детальный анализ спектров КР по положению линий, их уширению и сдвигу позволяет определенно установить наличие в исследуемых образцах в основном политипов карбида кремния 6H и 4H и в незначительных долях фазы 2H и 3C. Политипы 15R и 21R в исследуемых образцах отсутствуют. Отмечен заметный размерный эффект: интенсивность свечения нанокристаллов карбида кремния меньших размеров более чем в 3 раза выше, чем у SiC с большим размером нанокристаллов. Доп.точки доступа: Жохов, А. А.; Шмурак, С. З.; Хасанов, С. С.; Зверькова, И. И.; Максимук, М. Ю.; Матвеев, Д. В.; Масалов, В. М.; Киселев, А. П.; Баженов, А. В.; Емельченко, Г. А. |
Влияние режимов формирования на свойства ионно-легированных карбид-кремниевых диодных структур [Текст] / Р. В. Рыжук [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 79. - С. 7-14. - Библиогр.: с. 14 (10 назв. ) . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- имплантация -- ионная имплантация -- токопереносы -- вольт-амперные характеристики Аннотация: Показано, что свойства ионно-легированных карбид-кремниевых структур практически не зависят от дозы имплантации в диапазоне от 1000 до 3000 мкКл/см2. Для анализа ВАХ экспериментальных образцов построены зонные энергетические диаграммы. Установлено, что перенос носителей заряда в образцах описывается генерационно-рекомбинационными механизмами. Доп.точки доступа: Рыжук, Роман Валериевич; Каргин, Николай Иванович; Билалов, Билал Аругович; Гудков, Владимир Алексеевич |
Исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 785-788 : ил. - Библиогр.: с. 787-788 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- кубический карбид кремния -- слои -- эпитаксиальные слои -- кубические эпитаксиальные слои -- сублимационная эпитаксия -- рентгеновская топография -- рамановская спектроскопия -- вольт-фарадные измерения -- спектроскопия -- 3C-SiC -- подложки -- 15R-SiC Аннотация: Проведено исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методами рентгеновской топографии и рамановской спектроскопии показано достаточно высокое структурное качество полученных эпитаксиальных слоев. По данным рамановской спектроскопии и вольт-фарадным измерениям установлено, что концентрация электронов в слое 3C-SiC составляет (4-6) х10{18} см{-3}. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Богданова, Е. В.; Зубрилов, А. С.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Середова, Н. В.; Смирнов, А. Н.; Трегубова, А. С. |
Об оптимизации структурного совершенства слитков карбида кремния политипа 4H [Текст] / Д. Д. Авров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1288-1294 : ил. - Библиогр.: с. 1294 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- карбид кремния политипа 4H -- метод Лели -- Лели метод -- слитки -- микропоры -- затравки -- разращивание затравок -- многостадийный процесс выращивания -- RAF-процесс -- дислокации -- базисные дислокации Аннотация: Улучшение структурного совершенства слитков карбида кремния политипа 4H, выращенных модифицированным методом Лели, достигнуто в многостадийном процессе при последовательной смене ориентации затравок (аналогично представленному ранее в литературе RAF-процессу). Выращенные слитки диаметром 20-40 мм характеризуются практически полным отсутствием периферических малоугловых границ, а также значительным снижением плотности микропор (2-3 порядка величины по сравнению с исходным материалом). Повторное разращивание полученных затравок с ориентацией (0001) С до 50-55 мм в диаметре приводит к незначительному ухудшению структурного совершенства во вновь генерируемых периферических областях слитка. Получены качественные образцы пластин карбида кремния, характеризующихся плотностью микропор 5-40 см{-2} и базисных дислокаций 10{3} - 10{4}см{-2}. Доп.точки доступа: Авров, Д. Д.; Дорожкин, С. И.; Лебедев, А. О.; Таиров, Ю. М.; Трегубова, А. С.; Фадеев, А. Ю. |
Влияние режимов формирования на свойства ионно-легированных карбид-кремниевых диодных структур [Текст] / Р. В. Рыжук [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 5. - С. 7-14 : рис. - Библиогр.: с. 14 (12 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- ионная имплантация -- токоперенос -- вольт-амперная характеристика -- энергетические диаграммы Аннотация: Показано, что свойства ионно-легированных карбид-кремниевых структур практически не зависят от дозы имплантации в диапазоне от 1000 до 3000 мкКл/см2. Для анализа ВАХ экспериментальных образцов построены зонные энергетические диаграммы. Установлено, что перенос носителей заряда в образцах описывается генерационно-рекомбинационными механизмами. Доп.точки доступа: Рыжук, Роман Валериевич; Каргин, Николай Иванович; Билалов, Билал Аругович; Гудков, Владимир Алексеевич |
Спектры люминесценции гегсагональных форм карбида кремния в мозаичных пленках, полученных методом твердотельной эпитаксии [Текст] / М. Е. Компан [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 12. - С. 2326-2330. - Библиогр.: с. 2330 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектры люминесценции -- люминесценция -- карбид кремния -- мозаичные пленки -- метод твердотельной эпитаксии -- пленки карбида кремния -- кремниевые подложки Аннотация: Исследованы спектры люминесценции пленок карбида кремния, выращенных на кремнии методом твердотельной эпитаксии. Показано, что в зависимости от условий роста могут быть получены пленки различных политипов SiC, в том числе кубический и гексагональные политипы. Во многих случаях выращиваемые пленки являются смесью политипов, однако возможно и получение таких пленок, в которых преобладающим является материал гексагональной симметрии (в том числе возможно сосуществование двух близких по свойствам гексагональных фаз 4H и 2H). Тем самым показано, что пленки карбида кремния, выращиваемые на кремнии методом твердотельной эпитаксии, перспективны для применения в качестве демпфирующих слоев при синтезе широкозонных гексагональных полупроводников на кремниевых подложках. Доп.точки доступа: Компан, М. Е.; Аксянов, И. Г.; Кулькова, И. В.; Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Феоктистов, Н. А. |
Микропластичность биоморфного композита SiC/Al при одноосном сжатии [Текст] / В. В. Шпейзман [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 12. - С. 2315-2319. - Библиогр.: с. 2319 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): одноосное сжатие -- микропластичность -- биоморфные композиты -- метод лазерной интерферометрии -- карбид кремния Аннотация: Методом лазерной интерферометрии исследовалась неоднородность скорости микропластической деформации (скачки деформации) биоморфного композита SiC/Al при одноосном сжатии на нанометровом уровне. Величина скачков скорости деформации рассчитывалась по отклонению формы отдельных биений на интерферометрической записи деформации от стандартной, соответствующей постоянной скорости деформации в пределах одного биения. Показано, что наряду с растянутыми по перемещению (изменению длины образца) на 100-180 nm колебаниями скорости наблюдаются небольшие по ширине и амплитуде пики с расстоянием между ними 10-20 nm, а также пики шириной ~50 nm. Предполагается, что указанные величины могут быть связаны с размерами структурных образований алюминиевого сплава (зерен, субзерен, преципитатов и др. ) либо с размерами нано- и микрокристаллов SiC, расположенных отдельно от крупнозернистых кристаллов и окруженных остаточным углеродом. Результаты позволяют надеяться на возможность повышения пластичности и прочности биоморфных композитов путем увеличения доли мелкозернистых элементов (<1. 5 мюm) в их структуре. Доп.точки доступа: Шпейзман, В. В.; Песчанская, Н. Н.; Орлова, Т. С.; Смирнов, Б. И. |
Термофотоэлектрические генераторы на основе антимонида галлия [Текст] / В. П. Хвостиков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 270-277 : ил. - Библиогр.: с. 277 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термофотоэлектрические генераторы -- ТФЭ генераторы -- эмиттеры -- инфракрасные эмиттеры -- солнечное излучение -- карбид кремния -- вольфрам -- тантал -- термофотоэлектрические элементы -- ТФЭ элементы -- элементы ТФЭ -- антимонид галлия -- тепловые излучения -- вольфрамовые эмиттеры -- ТФЭ генераторы цилиндрического типа -- ТФЭ генераторы конического типа -- фотоэлементы -- электрическая мощность Аннотация: Разработаны, созданы и протестированы конструкции термофотоэлектрических (ТФЭ) генераторов с инфракрасными эмиттерами, разогреваемыми концентрированным солнечным излучением. Исследованы излучатели из карбида кремния, вольфрама или тантала различной формы и геометрических размеров. Для термофотоэлектрических элементов на основе антимонида галлия эффективность преобразования теплового излучения вольфрамовых эмиттеров составила 19%. Рассмотрены особенности работы двух вариантов ТФЭ генераторов-цилиндричесого и конического типов. В демонстрационной модели ТФЭ генератора из 12 фотоэлементов при преобразовании концентрированного солнечного излучения значение выходной электрической мощности составило P=3. 8 Вт. Доп.точки доступа: Хвостиков, В. П.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. С.; Хвостикова, О. А.; Малевская, А. В.; Власов, А. С.; Шварц, М. З.; Тимошина, Н. Х.; Андреев, В. М. |
Увеличение квантовой эффективности флип-чип AlGaInN-светодиодов путем реактивного ионного травления внешней стороны подложек SiC [Текст] / И. П. Смирнова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 684-687 : ил. - Библиогр.: с. 687 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): травление -- ионное травление -- гетероструктуры -- AlGaIn/GaN -- подложки -- квантовая эффективность -- фоторезисты -- тонкие фоторезисты -- полное внутреннее отражение -- ПВО -- кристаллы -- светоизлучающие кристаллы -- карбид кремния -- светодиоды -- флип-чип конструкции -- микрорельефы Аннотация: Работа посвящена развитию метода создания рассеивающего свет микрорельефа на внешней стороне подложек SiC для уменьшения потерь при выводе света из светодиодного кристалла, связанных с эффектом полного внутреннего отражения в структурах AlGaIn/GaN. Предложено использовать тонкие слои фоторезиста в качестве случайных масок для процесса реактивного ионного травления подложки из карбида кремния. Оптимизацией режимов травления на поверхности подложки SiC получен микрорельеф с требуемыми параметрами, что привело к увеличению внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов более чем на 25%. Доп.точки доступа: Смирнова, И. П.; Марков, Л. К.; Аракчеева, Е. М.; Павлюченко, А. С.; Закгейм, Д. А.; Кулагина, М. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |