Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si[1-x]Ge[x] : Er, связанные с ионами Er{3+} [Текст] / Л. В. Красильникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 909-916 : ил. - Библиогр.: с. 915-916 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эрбий -- оптически активные центры -- гетероструктуры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- Er-центры -- ионы эрбия -- германий -- примеси кислорода Аннотация: Проведен детальный анализ основных типов оптически активных эрбиевых центров, вносящих преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия от 10 до 30%. Показана взаимосвязь природы формирующихся оптически активных центров, содержащих ионы Er{3+}, с молярным составом и концентрацией примеси кислорода в слое Si[1-x]Ge[x] : Er. Преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия менее 25% вносят известные кислородсодержащие оптически активные Er-центры. Увеличение содержания германия в слое Si/Si[1-x]Ge[x] : Er (x>=q25%) приводит к формированию нового типа центров - германийсодержащих оптически активных эрбиевых центров, не наблюдавшихся ранее в структурах на основе кремния. Доп.точки доступа: Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Байдакова, Н. А.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г. |
Дьяков, С. А. Особенности фотолюминесценции ионов эрбия в структурах с аморфными и кристаллическими нанокластерами кремния в матрице диоксида кремния [Текст] / С. А. Дьяков, Д. М. Жигунов, В. Ю. Тимошенко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 486-490 : ил. - Библиогр.: с. 490 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- ионы эрбия -- эрбий -- Er -- фотолюминесцентные свойства -- кремниевые нанокластеры -- аморфные нанокластеры -- нанокластеры -- нанокристаллы -- кремний -- диоксид кремния -- длина волны -- легирование -- время жизни ионов эрбия -- спектры фотолюминесценции -- кинетика фотолюминесценции -- сравнительный анализ -- кристаллические нанокластеры Аннотация: Исследованы фотолюминесцентные свойства структур аморфных и кристаллических кремниевых нанокластеров со средними размерами не более 4 нм в легированной эрбием матрице диоксида кремния. Установлено, что при увеличении концентрации ионов Er{3+} от 10{19} до 10{21} см{-3} времена жизни их фотолюминесценции на длине волны 1. 5 мкм уменьшаются от 5. 7 до 2. 0 мс в образцах с аморфными нанокластерами, в то время как для структур с нанокристаллами указанные времена лежат в диапазоне от 3. 5 до 1. 5 мс. Укорочение времен жизни эрбиевой фотолюминесценции с ростом концентрации ионов объясняется эффектами концентрационного тушения и влиянием остаточных постимплантационных дефектов, в то время как различие времен для образцов с аморфными и кристаллическими нанокластерами интерпретируется как проявление разных вероятностей обратной передачи энергии от ионов Er{3+} к твердотельной матрице в обсуждаемых типах структур. Доп.точки доступа: Жигунов, Д. М.; Тимошенко, В. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа [Текст] / В. Б. Шмагин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1533-1538. : ил. - Библиогр.: с. 1538 (17 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- электролюминесценция -- ЭЛ -- редкоземельные ионы -- РЗ ионы -- электрические свойства -- люминесцентные свойства -- светоизлучающие структуры -- диодные структуры -- кремниевые структуры -- возбуждение ионов эрбия -- ионы эрбия -- туннельно-пролетные светодиоды -- светодиоды -- квантовая эффективность -- мощность излучения -- p-n переходы -- экспериментальные исследования Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических и люминесцентных свойств кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа, излучающих при обратном смещении в режиме пробоя p{+}/n{+}-перехода. Определены мощность, излучаемая в диапазоне lambda~1. 5 мкм (~5 мкВт), внешняя квантовая эффективность (~10{-5}) и эффективность возбуждения ионов эрбия (~2 x 10{-20} см{2}с) при комнатной температуре. Показано, что при одной и той же эффективности возбуждения туннельно-пролетные светодиоды превосходят диодные структуры типа p{+}/n-Si: Er по мощности излучения. Проведено сопоставление экспериментальных результатов с модельными представлениями о работе туннельно-пролетного светодиода. Обсуждаются факторы, ограничивающие интенсивность электролюминесценции и эффективность ударного возбуждения ионов эрбия в структурах данного типа. Доп.точки доступа: Шмагин, В. Б.; Кузнецов, В. П.; Кудрявцев, К. Е.; Оболенский, С. В.; Козлов, В. А.; Красильник, З. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Применение регрессии на латентные структуры для определения температуры активированной ионами эрбия свинцово-фторидной наностеклокерамики по спектрам апконверсионной флуоресценции [Текст] / В. А. Асеев [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2015. - Т. 118, № 5. - С. 760-762 : табл., граф. - Библиогр.: с. 762 (9 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): апконверсионная флуоресценция -- ионы эрбия -- латентные структуры -- наностеклокерамика -- эрбий Аннотация: На примере свинцово-фторидной наностеклокерамики, активированной ионами эрбия, в диапазоне от 44 до 150 градусов по Цельсию проведено определение температуры путем построения регрессии на латентные структуры спектров апконверсионной флуоресценции в фиолетовой, зеленой и красной полосах. Показано, что оптимальным с точки зрения точности измерения температуры является четырехмерное пространство латентных структур, позволяющее с помощью обучающего набора спектров флуоресценции с шагом 10 градусов Цельсия определять температуру выше 70 градусов Цельсия с относительной погрешностью не более 0, 5 процентов. Доп.точки доступа: Асеев, В. А.; Варакса, Ю. А.; Колобкова, Е. В.; Синицын, Г. В.; Ходасевич, М. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |