Кульчин, Ю. Н. Спектр пропускания света диэлектрическими наночастицами в объемных гетерокомпозитах [Текст] / Ю. Н. Кульчин, В. П. Дзюба, А. В. Щербаков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 349-356
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): инфракрасный диапазон -- ультрафиолетовый диапазон -- электронно-дырочные пары -- полупроводниковые наночастицы -- электромагнитное поле -- дефекты кристаллической структуры Аннотация: Представлена теоретическая модель спектра пропускания света, как видимого, так и ближних инфракрасного и ультрафиолетового диапазонов, массивом диэлектрических наночастиц произвольной формы и малых размеров, находящихся в диэлектрике, в зависимости от их размеров и частоты излучения. Модель исходит из следующих предположений: внутри запрещенной зоны наночастиц присутствуют области разрешенных значений энергии, обусловленные поверхностными дефектами. Двухчастичные состояния (эдектронно-дырочные пары) находятся в режиме слабого конфайнмента и образования в зоне проводимости квантово-размерных состояний носителей заряда, зависящих от формы и размеров наночастицы. На примере наночастиц Al[2]O[3], помещенных в прозрачную диэлектрическую жидкую матрицу, результаты экспериментального исследования сравниваются с теоретической моделью. Доп.точки доступа: Дзюба, В. П.; Щербаков, А. В. |
Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 699-705 : ил. - Библиогр.: с. 704 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- твердые растворы -- GaInAsSb -- кристаллические решетки -- фотодетекторы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- инфракрасный диапазон -- ИК-диапазон -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- метод рентгеновской дифрактометрии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кривая дифракционного отражения -- КДО -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- оптические свойства -- спинодальный распад -- термодинамические расчеты Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] с x<0. 8, выращенные при температуре 500{o}C, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] (x<0. 75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb. Доп.точки доступа: Семенов, А. Н.; Терентьев, Я. В.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Попова, Т. В.; Нащекин, А. В.; Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Усикова, А. А.; Яковлев, Ю. П.; Иванов, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне [Текст] / А. В. Антонов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1511-1513. : ил. - Библиогр.: с. 1513 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- квантовые точки -- КТ -- нанокластеры -- гетероструктуры -- InAs/GaAs -- металл-органическая газофазная эпитаксия -- МОГФЭ -- метод металл-органической газофазной эпитаксии -- длина волны -- комнатная температура -- инфракрасный диапазон -- релаксация (физика) -- атмосферное давление -- реакторы Аннотация: Методом металл-органической газофазной эпитаксии в реакторе атмосферного давления изготовлены многослойные гетероструктуры InAs/GaAs, содержащие плотные массивы слабодефектных, частично релаксированных нанокластеров InAs, более крупных, чем бездефектные квантовые точки. Структуры имеют интенсивную фотопроводимость в диапазоне длин волн 1-2 мкм при комнатной температуре. Обнаружительная способность изготовленных макетов фотоприемников составляет D*=10{9} см x Гц{1/2} x Вт{-1}. Время релаксации фотопроводимости на длине волны 1. 5 мкм составляет менее 10 нс. Доп.точки доступа: Антонов, А. В.; Востоков, Н. В.; Дроздов, М. Н.; Молдавская, Л. Д.; Шашкин, В. И.; Хрыкин, О. И.; Яблонский, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Керков, В. Г. Особенности моделирования тепловизионных изображений исследуемых объектов при их пересчете на другие условия наблюдения [Текст] / В. Г. Керков, В. Д. Мочалин, Г. Л. Тюрин // Вестник Брянского государственного технического университета. - 2011. - N 2. - С. 76-80. . - Библиогр.: с. 80 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Теплоэнергетика. Теплотехника в целом Кл.слова (ненормированные): радиационная температура -- тепловизионные изображения -- методический аппарат -- инфракрасный диапазон Аннотация: Рассмотрен методический аппарат для пересчета тепловых изображений объектов на других условия наблюдения. Оценены возникающие погрешности пересчета радиационной температуры. Доп.точки доступа: Мочалин, В. Д.; Тюрин, Г. Л. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ковтонюк, Н. Ф. Световая характеристика датчика ядерных взрывов на основе видикона инфракрасного диапазона [Текст] / Н. Ф. Ковтонюк, В. П. Мисник // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. - 2012. - № 4. - С. 36-40. - Библиогр.: с. 40 (3 назв.) . - ISSN 2073-0004
Рубрики: Радиоэлектроника Автоматика и телемеханика Кл.слова (ненормированные): датчики -- датчики ядерных взрывов -- инфракрасный диапазон -- видиконы -- структуры полупроводник-диэлектрик -- световые потоки -- фотомишени -- электронные процессы Аннотация: Анализируется зависимость сигнала видиконов с фотомишенью на структурах полупроводник-диэлектрик при повышенных мощностях входной освещенности. Доп.точки доступа: Мисник, В. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Неизвестный, И. Г. Матричные фотонные приемники для дальней инфракрасной и субмиллиметровой области спектра [Текст] / И. Г. Неизвестный, А. Э. Климов, В. Н. Шумский // Успехи физических наук. - 2015. - Т. 185, № 10. - С. 1031-1042 : 16 рис. - Библиогр.: с. 1041-1042 (50 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): фотонные приемники -- фотоприемники -- фотоприемные устройства -- матричные фотоприемники -- инфракрасное излучение -- субмиллиметровое излучение -- изображения -- формирование изображений -- инфракрасный диапазон -- субмиллиметровый диапазон Аннотация: Представлен анализ существующего положения в области создания матричных тепловых и фотонных приемников для дальней инфракрасной и субмиллиметровой области. Дано сравнение их пороговых характеристик, проведена оценка перспективности применения фотоприемников. Доп.точки доступа: Климов, А. Е.; Шумский, В. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |