Грушко, Наталия Сергеевна. Определение механизма токопереноса в p-n-переходах по анализу температурной зависимости прямых вольт-амперных характеристик [Текст] / Н. С. Грушко, А. В. Лакалин, А. И. Сомов // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 2. - С. 35-40. - Библиогр.: с. 40 (10 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые приборы -- вольтамперные характеристики -- токопереносы -- температурная зависимость -- вольтамперные характеристики -- p-n-переходы -- инжекция -- анализ Аннотация: Предложен метод определения механизма токопереноса в p-n-переходах по анализу температурной зависимости прямых вольт-амперных характеристик при низком уровне инжекции. Доп.точки доступа: Лакалин, Александр Вячеславович; Сомов, Андрей Ильич |
Бородовский, П. А. Аномальная релаксация фотопроводимости в кремнии при высоких уровнях инжекции [Текст] / П. А. Бородовский, А. Ф. Булдыгин, С. В. Голод // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 329-311
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): неравновесные носители -- кремний -- лазерные диоды -- импульсный свет -- инжекция -- релаксация фотопроводимости -- экситоны Аннотация: Исследуется аномальный эффект релаксации неравновесных носителей заряда в образцах кремния при их возбуждении импульсным светом лазерного диода (1060 нм / 500 мВт). Эксперименты проводились при высоких уровнях инжекции как с использованием СВЧ-измерений проводимости, так и обычной методики измерения релаксации фотопроводимости. Необычное явление наблюдалось в начальной области релаксации фотопроводимости после окончания импульса света. Предлагается упрощенная модель для объяснения аномального эффекта, включающая экситоны при высоких уровнях возбуждения. Доп.точки доступа: Булдыгин, А. Ф.; Голод, С. В. |
Николаева, С. В. (канд. техн. наук; доц.). Получение эмульсии методом инжекции пара в дисперсионную жидкую среду [Текст] / Николаева С. В., Линник А. Ю. // Актуальные проблемы современной науки. - 2008. - N 3. - С. 299. - Библиогр.: с. 299 (1 назв. ) . - ISSN 1680-2721
Рубрики: Химия Грубодисперсные системы Кл.слова (ненормированные): эмульсии -- инжекция пара -- пар -- дисперсионная жидкая среда -- жидкая среда -- конденсация пузырей пара -- статическое давление Аннотация: Способ получения эмульсии методом конденсации пузырей пара дисперсной фазы в жидкости. Доп.точки доступа: Линник, А. Ю. |
Инжекция дырок в органические молекулярные твердые тела [Текст] / Н. С. Аверкиев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 5. - С. 862-868. - Библиогр.: с. 868 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): инжекция дырок -- органические молекулярные твердые тела -- инжекционный ток -- туннелированный переход -- инжекция носителей -- дырки Аннотация: Предложена модель для описания инжекции носителей (дырок) из металла в органические молекулярные твердые тела. Показано, что полный инжекционный ток ограничен процессом туннелирования между уровнями молекулы и состояниями в металле. Детально исследована роль фононов при туннельном переходе и оценен вклад от таких переходов в полный инжекционный ток в широком интервале температур. Доп.точки доступа: Аверкиев, Н. С.; Сударь, Н. Т.; Закревский, В. А.; Рожанский, И. В. |
Никитенко, В. Р. Метастабильные электронно-дырочные пары в органических наноструктурах [Текст] / В. Р. Никитенко, А. В. Тамеев, А. В. Ванников // Нанотехнологии. - 2009. - N 3. - С. 29-33
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): электронно-дырочные пары -- органические наноструктуры -- низкопроводящие полимеры -- биполярная инжекция -- электропроводность -- органические кристаллы Аннотация: Исследованы метастабильные электронно-дырочные пары в органических наноструктурах. Доп.точки доступа: Тамеев, А. В.; Ванников, А. В. |
Новиков, С. В. Транспорт и инжекция носителей заряда в органических стеклах [Текст] / С. В. Новиков // Нанотехнологии. - 2009. - N 3. - С. 76-81
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярные стекла -- стекла -- органические материалы -- транспорт -- инжекция -- заряд Аннотация: Использование молекулярного стекла в органической электронике. |
Перераспределение глубоких примесей селена и серы в кремнии при легировании поверхности фосфором [Текст] / Ю. А. Астров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 739-744 : ил. - Библиогр.: с. 744 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): селен -- сера -- кремний -- примеси -- глубокие примеси -- легирование -- фосфор -- диффузия -- инжекция Аннотация: Исследуется воздействие кратковременного высокотемпературного прогрева на образцы Si : Se и Si : S, поверхностные слои которых легированы фосфором с высокой концентрацией. Обнаружено существенное увеличение удельного сопротивления объема пластин вплоть до глубин ~10 мкм. Экспериментальные данные свидетельствуют, что эффект обусловлен ускоренной диффузией халькогена в присутствии легированной фосфором приповерхностной области. В основе явления лежит инжекция неравновесных межузельных атомов кремния из сильно легированного фосфором слоя в объем образца. Это ведет к смещению равновесия между концентрациями узельных и межузельных положений примеси (в сторону роста последней) и, как следствие, к увеличению доли быстродиффундирующей межузельной компоненты примеси. Доп.точки доступа: Астров, Ю. А.; Козлов, В. А.; Лодыгин, А. Н.; Порцель, Л. М.; Шуман, В. Б.; Gurevich, E. L.; Hergenroder, R. |
Горбатюк, А. В. Механизмы формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках p-i-n-диодах [Текст] / А. В. Горбатюк, Ф. Б. Серков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1237-1243 : ил. - Библиогр.: с. 1242-1243 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- неизотермические вольт-амперные характеристики -- N-S переходы -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- ОДС -- положительное дифференциальное сопротивление -- ПДС -- диоды -- p-i-n диоды -- полупроводниковые диоды -- рекомбинация -- оже-рекомбинация -- ОР -- инжекция -- численный анализ -- эмиттерные слои -- легированные слои -- эмиттеры -- анодные эмиттеры Аннотация: На основе самосогласованной модели транспортных процессов в полупроводниковом р-i-я-диоде при его саморазогреве в условиях ограниченного теплоотвода выполнен численный анализ механизмов необычного эффекта - формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках прибора. Установлено, что причиной такого эффекта является сильное температурное снижение подвижности носителей в высокоомной базе и насыщение уровня инжекции при плотностях тока J > 300-500 А/см{2}. Последнее достигается благодаря оже-рекомбинации или утечкам носителей из плазмы в сильно легированные эмиттерные слои, интегральный ток которых в этих условиях, как правило, превышает интегральный ток рекомбинации в базе. Оже-рекомбинация в анодном эмиттере тоже начинает играть заметную роль в ограничении уровня инжекции в базе, если концентрация примеси в нем становится выше 10{18}см{-3}. Доп.точки доступа: Серков, Ф. Б. |
Джалилов, Н. З. Инжекционные токи в аморфных твердых растворах системы Se-S [Текст] / Н. З. Джалилов, Г. М. Дамиров // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1521-1525 : ил. - Библиогр.: с. 1524-1525 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- аморфные твердые растворы -- Se[1-x]S[x] -- селен-сера -- инжекционные токи -- монополярная инжекция -- ток ограниченный пространственными зарядами -- ТОПЗ -- халькогенидные полупроводники -- ХСП -- ловушки -- ловушечный квадратичный закон -- ЛКЗ -- селен -- заряды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- дефекты -- сера Аннотация: В результате проведенных исследований вольт-амперных характеристик аморфных пленочных образцов системы Se[1-x]S[x] (x=0, 0. 05, 0. 1, 0. 2, 0. 3, 0. 4, 0. 5) установлено, что перенос носителей заряда в исследованных образцах осуществляется по механизму токов монополярной инжекции, ограниченных пространственными зарядами при участии двух групп ловушек захвата: мелких (E[t1]), соответствующих заряженным собственным дефектам C[1]{-}, обусловленных оборванными связями в селене; глубоких E[t2], соответствующих также заряженным собственным дефектам C[3]{+} в селене. Показано, что изменение состава системы Se-S сильно влияет как на механизм транспорта зарядов, так и на параметры ловушек - на их энергетические положения и концентрации. Доп.точки доступа: Дамиров, Г. М. |
Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1541-1548 : ил. - Библиогр.: с. 1547-1548 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- InGaN/GaN -- спектры излучений -- электрические поля -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция -- p-n переходы -- напряжение -- прямое напряжение -- туннелирование -- квантовый выход -- фототоки -- инжекция -- электрическая инжекция -- оптическая инжекция -- квантовая эффективность Аннотация: Проведены сравнительные исследования фотолюминесценции из квантовых ям при приложении прямого напряжения и электролюминесценции в структурах p-GaN/InGaN/n-GaN. Показано, что при приложении прямого напряжения наблюдается характерный красный сдвиг пика спектра, а также уширение линии фотолюминесценции и одновременное возгорание фотолюминесценции, связанные с уменьшением поля в области объемного заряда p-n-перехода и подавлением туннельной утечки носителей заряда из хвостов плотности состояний активного слоя InGaN. Анализ полученных результатов показал существенное влияние туннелирования на квантовый выход и позволил оценить внутреннюю квантовую эффективность структур. Показано, что неравновесное заполнение хвостов плотности состояний квантовых ям InGaN/GaN зависит от способа инжекции и контролируется захватом носителей, инжектированных в квантовую яму, при оптической инжекции и туннелированием носителей "под" квантовой ямой при электрической инжекции. Доп.точки доступа: Бочкарева, Н. И.; Богатов, А. Л.; Горбунов, Р. И.; Латышев, Ф. Е.; Зубрилов, А. С.; Цюк, А. И.; Клочков, А. В.; Леликов, Ю. С.; Ребане, Ю. Т.; Шретер, Ю. Г. |
Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл) - (слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 180-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (59 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гибридные структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- ферромагнитный металл-слоистый полупроводник -- ФМ-ПП -- Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- импедансные спектры -- спиновая инжекция -- экстракция -- спиновая диффузия -- релаксация (физика) -- полупроводниковые подложки -- спин-селективные барьеры -- кулоновская блокада -- отрицательные дифференциальные емкости -- наноразмерные включения Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл-слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220-350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>10{6} Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga[2]Se[3] и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл-полупроводник", где расположены наноразмерные включения. Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Литвин, О. С. |
Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 205-209 : ил. - Библиогр.: с. 208-209 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Люминесценция Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- GaAs/GaSb -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- квантовые точки -- КТ -- гетероструктуры -- дифракция быстрых отраженных электронов -- ДБОЭ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- магнитные поля -- векторы магнитных полей -- поляризация -- инжекция спина -- спиновая инжекция -- спиновая ориентация -- зеемановское расщепление -- радиационное время жизни носителей -- эффект Зеемана -- Зеемана эффект Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены гетероструктуры с квантовыми точками типа II GaAs/GaSb. Исследована циркулярно-поляризованная фотолюминесценция образцов в магнитном поле до 4. 7 Тл, приложенном в геометрии Фарадея. Обнаружено, что в магнитном поле излучение квантовых точек имеет sigma-поляризацию, соответствующую проекции спина электрона на вектор магнитного поля +1/2. При увеличении интенсивности возбуждения степень поляризации излучения растет. Обнаруженный эффект объясняется инжекцией спина из матрицы GaSb, в которой спиновая ориентация возникает благодаря зеемановскому расщеплению зоны проводимости. Рост степени поляризации связан с уменьшением радиационного времени жизни носителей в квантовых точках типа II при увеличении уровня возбуждения. Доп.точки доступа: Терентьев, Я. В.; Торопов, А. А.; Мельцер, Б. Я.; Семенов, А. Н.; Соловьев, В. А.; Седова, И. В.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В. |
Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (lambda~3. 3 мкм) [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 278-284 : ил. - Библиогр.: с. 284 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- двойные гетероструктуры -- InAs/InAsSbP -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- подложки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электролюминесцетные характеристики -- светоизлучающие кристаллы -- чипы -- эпитаксиальные слои -- спектральные характеристики -- инжекция -- квантовая характеристика -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- квантовый выход -- длина волны -- мощные светодиоды -- светоизлучающие структуры -- оптическая мощность -- квазинепрерывный режим Аннотация: Исследованы два типа конструкций светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках p- и n-InAs. Изучены вольт-амперные и электролюминесцетные характеристики созданных светодиодов. Показано, что конструкция светодиода со светоизлучающим кристаллом (чипом), смонтированным эпитаксиальным слоем к корпусу прибора и выводом излучения через подложку n-InAs, обеспечивает лучший отвод тепла и, как следствие, устойчивость спектральных характеристик при увеличении тока инжекции и более высокую квантовую эффективность излучательной рекомбинации. Внутренний квантовый выход светоизлучающих структур с длиной волны lambda=3. 3-3. 4 мкм достигал величины 22. 3%. Оптическая мощность излучения светодиодов в квазинепрерывном режиме составляла 140 мкВт при токе 1 А, а в импульсном режиме достигала значения 5. 5 мВт при токе 9 А. Доп.точки доступа: Астахова, А. П.; Головин, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Калинина, К. В.; Кижаев, С. С.; Серебренникова, О. Ю.; Стоянов, Н. Д.; Horvath, Zs. J; Яковлев, Ю. П. |
Каримов, А. В. Некоторые особенности получения фототока в одно- и многобарьерных фотодиодных структурах [Текст] / А. В. Каримов, Д. М. Едгорова // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 674-679 : ил. - Библиогр.: с. 679 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотодиодные структуры -- структуры -- фототок -- лавинные фотодиоды -- ЛФД -- внутреннее фотоэлектрическое усиление -- ВФУ -- фотогенерированные носители -- инжекция Аннотация: Многобарьерные фотодиодные структуры в отличие от однобарьерных фотодиодных структур обладают эффектом увеличения фотогенерированных носителей тока во всем диапазоне рабочих напряжений, в то время как в фотодиодах с лавинным и инжекционным процессами появление фототока носит пороговый характер и связан с изменением темновых носителей тока. Предлагаемый способ интерпретации эффекта внутреннего фотоэлектрического усиления позволит произвести оценку экспериментальных значений коэффициентов усиления по току или по напряжению и определить наличие фотоэлектрического усиления в фотодиодных структурах независимо от их происхождения. Доп.точки доступа: Едгорова, Д. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Об "избыточных" точках утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC [Текст] / П. А. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 680-683 : ил. - Библиогр.: с. 683 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- ДШ -- высоковольтные диоды -- p-n-переходы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- 4H-SiC -- термоэлектронная эмиссия -- монополярная инжекция -- инжекция -- ток, ограниченный пространственным зарядом -- ТОПЗ -- полное заполнение ловушек -- ПЗЛ -- ловушки Аннотация: Изготовлены высоковольтные диоды Шоттки на основе 4H-SiC с никелевым барьером и охранной системой в виде "плавающих" планарных p-n-переходов. Анализ вольт-амперных характеристик, измеренных в широком диапазоне температур, показал, что ток в прямом направлении обусловлен термоэлектронной эмиссией, однако в обратном направлении ток "избыточен". Выдвигается предположение о том, что обратный ток протекает локально, в местах выхода на границу Ni-SiC проникающих дислокаций. Вид обратных вольт-амперных характеристик позволил заключить, что электронный транспорт происходит по механизму монополярной инжекции (ток, ограниченный пространственным зарядом) с участием ловушек захвата. Доп.точки доступа: Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П.; Ильинская, Н. Д.; Коньков, О. И.; Серебренникова, О. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Григорьев, Владимир Петрович. Моделирование инжекции и захвата электронов пучка в малогабаритных бетатронах методом макрочастиц [Текст] / В. П. Григорьев, В. В. Офицеров, В. А. Семешов // Известия Томского политехнического университета. - 2007. - Т. 310, N 1. - С. 64-67 : ил. - Библиогр.: с. 67 (9 назв. ). . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): инжекция -- электронные пучки -- бетатроны -- малогабаритные бетатроны -- метод макрочастиц -- численное моделирование -- захваченные электроны -- аксиально-симметричные магнитные поля -- несимметричные поля -- коэффициент захвата Аннотация: Рассмотрена задача моделирования самосогласованной динамики электронного пучка в малогабаритных бетатронах. Дается описание численной модели, разработанной на основе метода макрочастиц. Приведены результаты моделирования процессов инжекции и захвата электронов в режим ускорения в бетатронах с аксиально-симметричным и несимметричным магнитным полем. Определены оптимальные входные параметры инжекции по энергии и току пучка (20... 40 кэВ и 0, 1... 1, 0 А), обеспечивающие максимальное число захваченных электронов. Численно исследованы способы повышения эффективности захвата за счет использования вариации внешнего магнитного поля и дополнительного отбора энергии у захваченных электронов вихревой тормозящей ЭДС. Это позволило увеличить коэффициент захвата с 4 до 7, 4 % и захватить в ускорение до 7, 4. 1010 электронов. Доп.точки доступа: Офицеров, Владимир Викторович; Семешов, В. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Выращивание молекулярно-пучковой эпитаксией и характеризация квантовых каскадных лазеров на длину волны 5 мкм [Текст] / В. В. Мамутин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 995-1001. : ил. - Библиогр.: с. 1001 (12 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- квантовые ямы -- КЯ -- длина волны -- сверхрешетки -- инжекция -- вертикальные переходы -- лазеры -- активные области -- время жизни -- излучение -- генерация -- температура Аннотация: Продемонстрированы квантовые каскадные лазеры, полученные молекулярно-пучковой эпитаксией, излучающие на длине волны 5. 0 мкм при 77 K и 5. 2 мкм при 300 K, основанные на четырехъямной схеме активной области с вертикальными переходами и с напряженно-компенсированными сверхрешетками с высокой эффективностью инжекции и коротким временем жизни основного состояния. Типичные пороги генерации при 300 K были в пределах 4-10 кА/см{2}. Максимальная мощность излучения достигала ~1 Вт, максимальная температура генерации ~450 K, максимальная характеристическая температура составляла T0~ 200 K. Использование модифицированного процесса постростовой обработки позволяло воспроизводимо получать высококачественные приборы. Доп.точки доступа: Мамутин, В. В.; Устинов, В. М.; Boetthcher, J.; Kuenzel, H. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Шкумбатюк, П. С. Свойства нитевидных кристаллов ZnO, полученных под действием излучения CO[2]-лазера [Текст] / П. С. Шкумбатюк // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1147-1150. : ил. - Библиогр.: с. 1150 (12 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нитевидные кристаллы -- ZnO -- CO[2]-лазер -- импульсное лазерное излучение -- ИЛИ -- монокристаллические нити -- удельное сопротивление -- электролюминесценция -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- инжекция -- дефекты -- электрическое поле Аннотация: Методом непрерывного действия CO[2]-лазерного излучения получены монокристаллические нити ZnO в виде игл длиной 0. 3-0. 8 мм, диаметром 1-10 мкм, с удельным сопротивлением 3 x 10{2}-1 Ом x см. В нитях наблюдали слабую электролюминесценцию, обусловленную инжекцией из контактов, с участием собственных дефектов, влияющих на распределение электрического поля. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Разогрев носителей заряда в квантовых ямах при оптической и токовой инжекции электронно-дырочных пар [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1451-1454. : ил. - Библиогр.: с. 1454 (4 назв. )
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- GaAs/AlGaAs -- фотолюминесценция -- ФЛ -- носители заряда -- электронная температура -- оптическая накачка -- токовая инжекция -- инжекция -- электронно-дырочные пары -- электрические поля -- спектры фотолюминесценции -- излучение -- спонтанное излучение Аннотация: Исследован разогрев носителей заряда в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при оптической межзонной накачке в режиме спонтанного излучения. Определена электронная температура как функция интенсивности накачки. Исследовано влияние электрического поля на спектр фотолюминесценции. По спектрам электролюминесценции определено изменение концентрации носителей заряда с током накачки в режимах спонтанного и стимулированного излучения в квантовых ямах InGaAsSb/InAlGaAsSb. Проведены оценки увеличения температуры горячих носителей заряда, вызывающего рост концентрации с током накачки. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Винниченко, М. Я.; Фирсов, Д. А.; Зерова, В. Л.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Тхумронгсилапа, П.; Устинов, В. М.; Жуков, А. Е.; Васильев, А. П.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Hosoda, T.; Belenky, G. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Горбатюк, А. В. Динамическая локализация тока при выключении мощных биполярных переключателей с микрозатворами [Текст] / А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Д. В. Гусин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1577-1583. : ил. - Библиогр.: с. 1583 (12 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): биполярные переключатели с микрозатворами -- БПМЗ -- технологические неоднородности -- ионизация заряда -- электрические поля -- переключатели -- инжекция эммитеров -- локализация тока -- область объемного заряда -- ООЗ -- неоднородности Аннотация: Рассматривается процесс выключения полупроводниковых переключателей с распределенными микрозатворами при наличии небольших встроенных технологических неоднородностей параметров их структур. Динамика этого процесса исследуется на основе аналитической модели оттеснения остаточной плазмы и динамики области объемного заряда в базе с учетом ионизации в сильных электрических полях. Пространственно-неоднородная структура переключателя моделируется двумя группами управляемых ячеек с различающимися параметрами - коэффициентами инжекции эмиттеров или временами жизни носителей в n-базах. Связь всех ячеек по напряжению дополняется взаимодействием прибора с внешней цепью. В рамках предложенной модели исследован опасный эффект локализации тока на стадии выключения, возникающий даже при относительно малом разбросе параметров. Полученные результаты позволяют количественно характеризовать влияние технологических неоднородностей на область безопасной работы мощных биполярных переключателей с микрозатворами. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Гусин, Д. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |