Абрамова, В. В.
    Фотонные кристаллы с заданной шириной запрещенной зоны [Текст] / В. В. Абрамова, А. С. Синицкий, Ю. Д. Третьяков // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 5. - С. 339-343
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
фотонные кристаллы -- запрещенная зона фотонных кристаллов -- инвертированный опал
Аннотация: Предложен новый метод создания фотонных кристаллов с тщательно контролируемой шириной фотонной запрещенной зоны. Метод основан на синтезе фотонного кристалла типа A[1-x]B[x] с контролируемым значением параметра x на основе двух изоструктурных фотонных кристаллов А и B, таких, что ширина фотонной запрещенной зоны кристалла А меньше, а кристалла B - больше требуемой. Метод продемонстрирован на примере инвертированного опала состава (100-x) мол. % SiO[2] - x мол. % ZnO, для которого относительная ширина стоп-зоны монотонно возрастала при увеличении параметра x.


Доп.точки доступа:
Синицкий, А. С.; Третьяков, Ю. Д.