Орлова, Е. Е. Температурная зависимость инверсной заселенности на внутрицентровых переходах мелких примесей в полупроводниках [Текст] / Е. Е. Орлова // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1504-1510. : ил. - Библиогр.: с. 1509-1510 (13 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): температурная зависимость -- инверсия -- лазерные переходы -- примесные состояния -- термическая ионизация -- рекомбинация -- оптические фононы -- излучение фононов -- инверсная населенность -- доноры (физика) Аннотация: Проведен анализ основных факторов температурной зависимости инверсной заселенности на переходах мелких примесей в полупроводниках в рамках четырехуровневой схемы инверсии: заполнение нижнего состояния лазерного перехода при разогреве с основного состояния, уменьшение населенности долгоживущего примесного состояния из-за термической ионизации и при увеличении скорости прямой рекомбинации на основное состояние с излучением оптических фононов. Определены температуры, при которых указанные факторы становятся существенными. Показано, что термическая ионизация с долгоживущего состояния является основным фактором, определяющим температурное гашение стимулированного излучения на переходах по состояниям мелких доноров в кремнии. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |