Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SIO2 [Текст] / В. А. Новиков [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 1. - С. 79-87 : рис. - Библиогр.: с. 86-87 (38 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): МДП-структура -- Оксид галлия -- адмиттанс -- диоксид кремния -- инверсионный слой -- низкотемпературные измерения -- объемные ловушки -- органические пленки пентацена -- органические полупроводники -- пентацен -- эквивалентные схемы -- электрофизика Аннотация: В широком диапазоне частот и температур экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе органических пленок пентацена, сформированных методом термовакуумного напыления на подложках из SiO[2] и SiO[2]/Ga[2]O[3]. Вольт-фарадные характеристики МДП-структур с диэлектриком SiO[2] практически не имеют гистерезиса. Показано, что при температурах 150-300 К в структурах формируется инверсионный слой при больших положительных смещениях. Концентрация дырок в пентацене, определенная из емкостных измерений, превышает 10{18} см{-3} и практически не зависит от температуры и частоты. Экспериментальные частотные зависимости адмиттанса МДП-структур с диэлектриком SiO[2] хорошо согласуются с результатами расчета при помощи метода эквивалентных схем. Для структур со слоем Ga[2]O[3] обнаружена отрицательная дифференциальная проводимость диэлектрика, что требует усложнения эквивалентной схемы. Показана возможность использования низкотемпературных измерений адмиттанса для исследования ловушек в объеме пленки пентацена. Доп.точки доступа: Новиков, В. А.; Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Копылова, Т. Н.; Дегтяренко, К. М.; Черников, Е. В.; Калыгина, В. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |