Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл) - (слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 180-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (59 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гибридные структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- ферромагнитный металл-слоистый полупроводник -- ФМ-ПП -- Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- импедансные спектры -- спиновая инжекция -- экстракция -- спиновая диффузия -- релаксация (физика) -- полупроводниковые подложки -- спин-селективные барьеры -- кулоновская блокада -- отрицательные дифференциальные емкости -- наноразмерные включения Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл-слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220-350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>10{6} Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga[2]Se[3] и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл-полупроводник", где расположены наноразмерные включения. Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Литвин, О. С. |
Импедансная спектроскопия высокомолекулярного полиэтилена с углеродными нанотрубками [Текст] / Н. А. Дрокин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 3. - С. 607-611. - Библиогр.: с. 610-611 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): импедансная спектроскопия -- высокомолекулярный полиэтилен -- углеродные нанотрубки -- нанотрубки -- импедансные спектры -- функции распределения времен релаксации -- электропроводность Аннотация: Исследованы импедансные спектры композитных материалов на основе модифицированного углеродными нанотрубками высокомолекулярного полиэтилена. Предложен численный метод, позволяющий восстанавливать функции распределения времен релаксации (ФРВР) активных R и реактивных C элементов образца непосредственно из экспериментально полученной частотной зависимости действительной и мнимой компонент импеданса. Показано, что с ростом концентрации углеродных нанотрубок наблюдается увеличение электропроводности исследуемых образцов и их импедансные характеристики описываются немонотонной ФРВР. Доп.точки доступа: Дрокин, Н. А.; Федотова, А. В.; Глущенко, Г. А.; Чурилов, Г. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние материала электродов на импедансные спектры структур металл-полиэтилен с углеродными нанотрубками [Текст] / Н. А. Дрокин [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 4. - С. 791-796. - Библиогр.: с. . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): металл-полиэтилен -- углеродные нанотрубки -- нанотрубки -- электроды -- импедансные спектры Аннотация: Методом импедансной спектроскопии исследовано влияние материала электродов на электрофизические характеристики композитного материала на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена (СВМПЭ), наполненного углеродными нанотрубками. C помощью метода замещения образца эквивалентной электрической схемой установлено, что в зависимости от материала электрода в области интерфейса возникают блокирующий барьер с высоким активным сопротивлением и прилегающая к нему область объемного заряда. Показано, что высота барьера определяется поверхностными электронными состояниями СВМПЭ и мало зависит от величины работы выхода электронов из металлических электродов (барьер Бардина). Определены характерные времена электрической релаксации, характеризующие объемные и интерфейсные области исследуемого композита. Доп.точки доступа: Дрокин, Н. А.; Кокоуров, Г. А.; Глущенко, Г. А.; Осипова, И. В.; Масленников, А. Н.; Чурилов, Г. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Импедансное описание процессов электропереноса в веществе [Текст] / А. С. Богатин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 7. - С. 930-932. - Библиогр.: c. 932 (3 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): быстрые поляризационные процессы -- импедансные спектры -- принцип суперпозиции токов -- релаксационная поляризация -- сквозная электропроводность Аннотация: Предложены эквивалентные электрические схемы для каждого из видов электропереноса - сквозной электропроводности, быстрых поляризационных процессов, релаксационной поляризации. Принцип суперпозиции токов позволил сконструировать схемы при одновременном развитии нескольких процессов электропереноса. Обсуждена возможность идентификации развивающихся в веществе процессов электропереноса по экспериментальным импедансным спектрам. Доп.точки доступа: Богатин, А. С.; Буланова, А. Л.; Андреев, Е. В.; Игнатова, Ю. А.; Ковригина, С. А.; Богатина, В. Н.; Носачев, И. О. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |