Брудный, В. Н. Электрические свойства диарсенида цинка-олова (ZnSnAs[2]), облученного ионами H\{+\} [Текст] / В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 433-435
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): изохронный отжиг -- облученный материал -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- химические примеси -- кристаллические решетки Аннотация: Представлены результаты исследования электрофизических свойств и изохронного отжига p-ZnSnAs[2], облученного ионами H\{+\} (энергия E=5 МэВ, доза D=2x10\{16\} см\{-2\}). Определены предельные электрофизические характеристики облученного материала. Доп.точки доступа: Ведерникова, Т. В. |
Пагава, Т. А. Влияние энергии фотовозбуждения в процессе электронного облучения на дефектообразование в кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 750-754 : ил. - Библиогр.: с. 754 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- электронное облучение -- дефектообразование -- радиационные дефекты -- РД -- метод Холла -- Холла метод -- изохронный отжиг -- n-Si Аннотация: Исследовано влияние подсветки кристаллов n-Si в процессе облучения электронами на природу радиационных дефектов. Образцы, облученные электронами с энергией 2 МэВ, подвергались изохронному отжигу в интервале температур 200-600oC. После каждого цикла 20-минутного отжига методом Холла измерялась концентрация электронов в интервале температур 77-300 K. Показано, что при возбуждении в процессе облучения E-центров квантами с энергией hnu=0. 44 эВ (длина волны lambda=2. 8 мкм) в кристаллах n-Si образуются двухвакансионные фосфорсодержащие дефекты типа PV[2], что приводит к увеличению радиационной стойкости исследуемых кристаллов. При возбуждении отрицательных вакансий V- квантами с hnu=0. 28 эВ (lambda=4. 4 мкм) общее количество радиационных дефектов растет в 1. 2 раза. Доп.точки доступа: Майсурадзе, Н. И. |
Камышанченко, Н. В. Изохронный отжиг закалочных и деформационных дефектов и влияние его на физико-механические свойства технически чистого никеля [Текст] / Н. В. Камышанченко, И. М. Неклюдов, О. А. Печерина // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2013. - Т. 79, № 11. - С. 21-25. - Библиогр.: с. 25 (11 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Техника Материаловедение Машиностроение Упрочнение металлов Кл.слова (ненормированные): изохронный отжиг -- закалочные дефекты -- деформационные дефекты -- физико-механические свойства -- технически чистый никель -- дефекты решетки -- электрическое сопротивление -- пластические деформации -- микротвердость Аннотация: Исследован технически чистый никель в отожженном, деформированном и закаленном состояниях. При помощи изохронного отжига установлена стадийность изменения электрического сопротивления. Доп.точки доступа: Неклюдов, И. М.; Печерина, О. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |