Торхов, Н. А. Влияние периферии контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки на их статические вольт-амперные характеристики [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 615-627 : ил. - Библиогр.: с. 626-627 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- контакты металл-полупроводник -- КМП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод атомно-силовой микроскопии -- электростатические потенциалы -- золотые контакты -- контактная разность потенциалов -- КРП -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- периферийные области -- диэлектрические пленки -- электрические поля -- электрофизические свойства Аннотация: Исследование методом Кельвина атомно-силовой микроскопии электростатического потенциала поверхности золотых контактов с барьером Шоттки на n-GaAs показало, что вокруг контактов существует протяженная на десятки мкм переходная область (ореол), в которой поверхностный потенциал изменяется от потенциала свободной поверхности n-GaAs до потенциала поверхности золотого контакта. Потенциал контакта и распределение потенциала в окружающем его ореоле определяются конструкцией контакта. Исследования токов растекания показали, что за счет сильных электрических полей ореола по периметру контакта существует высокопроводящая область (периферия), приводящая к появлению токов утечки. Проводимость основной площади контакта обусловлена локальными областями 100-200 нм с повышенной и пониженной проводящими способностями. Формирование вокруг контактов мезы приводит к уменьшению работы выхода, уменьшению протяженности ореола и напряженности электрического поля в нем, что сопровождается размытием и понижением проводимости периферийной области. Это приводит к исчезновению токов утечки и уменьшению показателя идеальности. Защита периферийной области контакта диэлектрической пленкой SiO[2] толщиной 0. 5 мкм, напротив, увеличивает работу выхода, что сопровождается образованием вокруг контакта ориентированных по двум взаимно перпендикулярным кристаллографическим направлениям лепестков потенциала. Более сильное проникновение электрических полей ореола в область контакта приводит к увеличению показателя идеальности, исчезновению высокопроводящей периферийной области и токов утечки. Различие электрофизических свойств периферии, зерен золота и их границ определяет механизм включения контакта при подаче прямого или обратного смещений. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |