Макаров, И. А.
    Перестройка поверхности Ферми ВТСП купратов в сильном магнитном поле [Текст] / И. А. Макаров, С. Г. Овчинников, Е. И. Шнейдер // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 12. - С. 736-741
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
поверхность Ферми -- Ферми поверхность -- ВТСП купраты -- электронная структура -- зеемановское расщепление -- расщепление зеемановское -- спиновые корреляционные функции -- дырочные карманы -- парамагнитная фаза -- ферромагнитная фаза -- квантовые фазовые переходы
Аннотация: Рассматривается влияние сильного магнитного поля на электронную структуру ВТСП купратов. Исследование проводится в рамках t-t'-t''-J* модели, при этом эффект действия сильного магнитного поля учтен не только в виде зеемановского расщепления одноэлектронных уровней, но также в числах заполнения состояний с разными проекциями спина и в формировании спиновых корреляционных функций. Поле считается настолько сильным, что все спины выстраиваются по полю. В результате получена перестройка поверхности Ферми от четырех дырочных карманов вокруг нодальной точки (пи/2, пи/2) в парамагнитной фазе к большому дырочному карману вокруг (пи, пи) в ферромагнитной фазе. По мере уменьшения величины магнитного поля был обнаружен ряд квантовых фазовых переходов, проявляющихся в изменении топологии поверхности Ферми.


Доп.точки доступа:
Овчинников, С. Г.; Шнейдер, Е. И.




   
    Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 205-209 : ил. - Библиогр.: с. 208-209 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.37 + 22.345
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

   Люминесценция

Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- GaAs/GaSb -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- квантовые точки -- КТ -- гетероструктуры -- дифракция быстрых отраженных электронов -- ДБОЭ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- магнитные поля -- векторы магнитных полей -- поляризация -- инжекция спина -- спиновая инжекция -- спиновая ориентация -- зеемановское расщепление -- радиационное время жизни носителей -- эффект Зеемана -- Зеемана эффект
Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены гетероструктуры с квантовыми точками типа II GaAs/GaSb. Исследована циркулярно-поляризованная фотолюминесценция образцов в магнитном поле до 4. 7 Тл, приложенном в геометрии Фарадея. Обнаружено, что в магнитном поле излучение квантовых точек имеет sigma-поляризацию, соответствующую проекции спина электрона на вектор магнитного поля +1/2. При увеличении интенсивности возбуждения степень поляризации излучения растет. Обнаруженный эффект объясняется инжекцией спина из матрицы GaSb, в которой спиновая ориентация возникает благодаря зеемановскому расщеплению зоны проводимости. Рост степени поляризации связан с уменьшением радиационного времени жизни носителей в квантовых точках типа II при увеличении уровня возбуждения.


Доп.точки доступа:
Терентьев, Я. В.; Торопов, А. А.; Мельцер, Б. Я.; Семенов, А. Н.; Соловьев, В. А.; Седова, И. В.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В.